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搜索资源列表

  1. 光刻工艺中的金属剥离技术

  2. 光刻工艺中的金属剥离技术.刻蚀工艺：利用化学或者物理方法，将抗蚀剂薄层未屏蔽的晶片表面或介质 层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路 各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。

  3. 所属分类：IT管理

    • 发布日期：2011-06-16
    • 文件大小：84kb
    • 提供者：cddoullent

  1. 显示/光电技术中的波导SOl光刻工艺特点

  2. 脊形光波导的尺寸主要是由光刻工艺决定的。光刻受周围环境、设备条件等影响较大；所以，要保证光刻工艺的质量，就需要对光刻有一个全面的认识。微电子工艺的关键尺寸（Critical Dimension）目前已经减小至65 nm，对于光波导来说已经绰绰有余了。然而对于一般的大截面脊型光波导的制作，只需采用成本较低的接触式曝光机，其分辨率一般为1 gm左右。而若制作光子线或光子晶体波导则需采用极紫外光刻机（一般波长为248 nm或193 nm），这时光学临近效应就显得重要了，通常需要较复杂的补偿技术。 　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：42kb
    • 提供者：weixin_38597533

  1. 光刻工艺及其工艺要求

  2. 课程内容： 1 光刻前的准备工作 1.1 准备要求 1.2 准备方法 1.2.1 光刻前待光刻片子置于干燥塔中 1.2.2 氧化片出炉后可立即送光刻工序涂胶 1.2.3 对氧化片可在涂胶前重吹段时间干氧（氧化温度） 1.2.4 涂胶前片子置于80度烘箱中烘30分钟 2 涂胶 2.1 涂胶的要求 2.2 涂胶

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38725137

  1. 光刻缺陷及影响

  2. 课程内容： 1 光刻工艺的质量要求 1.1 图形完整、尺寸准确、边缘整齐、陡直 1.2 图形内无针孔 1.3 图形外无小岛 1.4 套合精确、无污染 2 光刻缺陷的影响及形成原因 2.1 光刻缺陷及影响 2.1.1浮胶及影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：28kb
    • 提供者：weixin_38503233

  1. 光刻工艺对光刻版的质量要求

  2. 课程内容： 1 版的图形尺寸精确 2 版的套准误差小 3 版的黑白反差高 4 图形边缘光滑陡直无毛刺、过渡区小 4.1 过渡区定义和特点 4.2 过渡区产生的原因 4.3 过渡区造成的影响 5 版面光洁无针孔、小岛及划痕 5.1 版面缺陷 5.2 版面缺陷的影响 6 版面耐磨、坚固、不变形 课程重点：本节前介绍了光刻版的质量在器件制造中的作用，指出：对最简单的三极管制造至少需要四块光刻版，而常规集成电路制造至

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：37kb
    • 提供者：weixin_38660731

  1. 光刻母版和掩膜版

  2. 光刻工艺是用于在晶圆表面上和内部产生需要的图形和尺寸。将数字化图形转到晶圆上需要一些加工步骤。在光刻制程中，准备光刻母版(reticle)是其中一个步骤。光刻母版是在玻璃或石英板的镀薄膜铬层上生成分层设计电路图的复制图。光刻母版可直接用于进行光刻，也可能被用来制造掩膜版。掩膜版也是玻璃底板表层镀铬。在加工完成后，在掩膜版表面会覆盖许多电路图形的复制（图4.15b）。掩膜版被用整个晶圆表面形成图形。（光刻母版和掩膜版的制做在十一章有详细讲述。) 图4.15解释了从电路设计到图形成行与晶圆之上的过程

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：28kb
    • 提供者：weixin_38613330

  1. 光刻

  2. 光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺（图4.7）。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。 光刻工艺也被称为大家熟知的Photomasking, masking, photolithography, 或microlithography。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成。这些部件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，通过光刻工艺过程，最

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：37kb
    • 提供者：weixin_38610717

  1. 光刻工艺

  2. 光刻工艺过程与一般器件相同，包括有：涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等。其中前烘的温度和时间需要严格控制，温度过高，时间太长，易造成显影困难；温度低，时间短，易造成浮胶，针孔或图形变形。坚膜的温度和时间控制也同样重要。鉴于CCD结构中，多晶硅条细且长，又密集，显影通常采用动态显影法，该法较易去掉胶渣，免得胶渣残留在多晶硅条中，引起连条。腐蚀在光刻中是十分重要的一环，光刻精度的提高在某种程度来说只有在腐蚀时才付诸实现的，而腐蚀质量的优劣直接影响着图形的分辨率和精确度。  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：28kb
    • 提供者：weixin_38628990

  1. 表面活性剂在IC芯片光刻工艺中的应用

  2. 贺开矿 （杭州士兰集成电路有限公司， 杭州 310018） 摘要：叙述了表面活性剂的性质、分类、分子结构特点，重点介绍了表面活性剂在光刻工艺的涂胶、显影、湿刻工序中的应用。适当加入表面活性剂，在现有设备的条件下可极大地提高光刻质量，对双极电路以及CMOS电路制作都有着重要的现实意义。 关键词：表面活性剂；表面张力；光刻；显影；湿法腐蚀 中图分类号：TN305.7 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2005)03-0024-03 1 引言 在液体内部，分子受到邻近分子间的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：104kb
    • 提供者：weixin_38658085

  1. 未来的光刻工艺挑战

  2. 光刻技术是开发新型 CMOS 制造工艺中的闸控功能 (gating function)。所有半导体制造商都采用相同的光刻工具，但使用工具的方法则根据制造商的专业技术及相关要求而有所差异。在德州仪器 (TI)，我们在光刻技术方面长期开展创新工作。我们的专业技能帮助我们开发了领先的工艺，为客户实现了性能、成本和功耗的最佳平衡。随着晶体管的临界尺寸越来越小，在芯片光阻材料 (photoresist) 暴露的区域上聚光也越来越难。目前的氩氟 (ArFl) 光刻工具可提供 193 nm 的波长，我们用它来

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38747566

  1. 光刻胶等效扩散长度对0.13um工艺窗口的影响

  2. （上海华虹NEC电子有限公司，上海201206）摘 要：介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估。展示了在0.13um及以下工艺中等效扩散对能量裕度和掩模版误差因子的影响的研究结果。关键词：等效扩散长度,像对比度,能量裕度,光刻 中图分类号：TN305.7 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2005)07-0039-041 引言 化学增幅光刻胶在248nm和193nm光刻工艺中被广泛应用。化学放大的过程需要光致酸在空间上扩散开来，从而

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：80kb
    • 提供者：weixin_38688890

  1. 光刻技术概况

  2. 光刻技术是集成电路的关键技术之一 　　在整个产品制造中是重要的经济影响因子，光刻成本占据了整个制造成本的35％ 　　光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的 　　进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。 所以说光刻系统的先进程度也就决定了光刻工程的高低,光刻系统的组成： 　　　　光刻机（曝光工具） (光刻工程的核心部分,其造价昂贵.号称世界上最精密的仪 器,目前世界是已有7000万美金的光刻机.) 　　　　掩膜版 　　　　光刻胶(常伴随着

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：53kb
    • 提供者：weixin_38704830

  1. 全干光刻工艺为群集技术铺平道路

  2. 全干光刻工艺为群集技术铺平道路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：784kb
    • 提供者：weixin_38703866

  1. 利用数字光刻系统制作铬掩模的工艺

  2. 提出一种利用基于数字微反射镜装置(DMD)的数字光刻系统制作掩模版的方法。通过制图软件制作出二元光栅、菲涅耳波带片等衍射光学元件的掩模图，将这些图形导入数字光刻机，利用DMD系统的空间光调制特性，经精缩投影曝光，在覆胶铬板上刻蚀出相应的图案，经过腐蚀及去胶得到需要的掩模版。将制作好的掩模版用于精缩光学系统，可在晶圆片上得到亚微米结构的图案，达到高分辨率的要求。该方法是将传统的光刻工艺与DMD数字化虚拟掩模的特点相结合，相对于激光束直写法和粒子束刻蚀法，可以更方便、高效、低成本地获得掩模版。

  3. 所属分类：其它

  1. 基于光学对准的光刻机投影物镜密集线焦深原位检测技术

  2. 提出了一种检测光刻机投影物镜密集线焦深(DOF)的新技术。该技术将具有精细结构的测量标记曝光在硅片上，硅片显影后，由光学对准系统获取曝光在硅片上的测量标记图形的对准位置信息，根据对准位置信息计算得到视场中各点的焦深。与传统的FEM焦深测试技术相比，该技术具有测量精度高、速度快、成本低、操作简单等优点，在光刻工艺参数优化及光刻设备性能评价等方面有很好的应用前景。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：867kb
    • 提供者：weixin_38685882

  1. 基于光刻工艺的阶跃滤光片式微型分光器件研制

  2. 为了消除机械掩模的尺寸限制和阴影效应, 采用基于光刻掩膜的组合刻蚀法来制备阶跃滤光片, 并成功地实现了16×1通道阶跃滤光片式微型分光器件的制备, 该分光器件中滤光片单元的宽度只有90 μm, 总体尺寸不到2 mm。各滤光片通道分布在632.4 nm到739.6 nm之间, 带宽均小于2.9 nm, 透过率均高于70 %. 这样的阶跃滤光片最小单元尺寸可达微米量级, 阴影效应可减小到微米甚至亚微米量级, 与电荷耦合器件(CCD)完全匹配, 可以作为微型分光器件来构建应用于空间等领域的微型光谱系统

  3. 所属分类：其它

  1. 激光等离子体有助于改进X射线光刻

  2. 为了迅速突破集成电路的X射线光刻工艺，华盛顿州贝尔里尤的Spectra Technology研究小组发展了一种高亮度激光等离子体源。用这种X射线光刻可望大大提高电路板的生产效率。

  3. 所属分类：其它

  1. 基于随机并行梯度速降算法的光刻机光源与掩模联合优化方法

  2. 随着集成电路特征尺寸进入2Xnm及以下节点，光源与掩模联合优化(SMO)成为了拓展193 nm ArF浸没式光刻工艺窗口、减小工艺因子的重要分辨率增强技术(RET)之一。提出了一种基于随机并行梯度速降(SPGD)算法的SMO方法，通过随机扰动进行梯度估计，利用估计梯度来迭代更新光源与掩模，避免了求解梯度解析表达式的过程，降低了优化复杂度。对周期接触孔阵列及十字线、密集线三种掩模图形的仿真验证表明，三种掩模图形误差（PE）值分别降低了75%、80%与70%，该方法较大程度地提高了光刻成像质量。

  3. 所属分类：其它

  1. 基于同步辐射光刻工艺和电铸工艺的金属纳米光栅模具制备

  2. 随着微电子技术的发展，有必要研究在基板上制备高深宽比并拥有垂直侧壁的微纳结构。基于X射线可以制备高质量的纳米母光栅，利用精密纳米电铸技术从母光栅中复制出高质量的微纳金属光栅模具。研究了一种高深宽比的金属镍光栅模具的制备技术。基于同步辐射光刻技术，在硅基板上制备线宽分别为0.25，0.5，1 μm，高2.0 μm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)光栅。利用精密电铸技术，得到线宽分别为0.25，0.5，1 μm的金属镍纳米光栅模具，1 μm的金属光栅深宽比达1.5。为了获得高质量的PMMA纳米光栅母模，

  3. 所属分类：其它

  1. 基于自相干叠栅条纹的光刻机对准技术

  2. 随着光刻技术向10 nm及以下工艺节点的延伸, 光刻工艺对套刻精度提出了更高的要求, 相应的对准精度的要求已经达到亚纳米量级。提出一种基于自相干叠栅条纹的光刻机对准方法, 其原理是利用对准系统的光学结构将位相型光栅对准标记的同级次衍射光束进行分束和转像, 在对准系统像面上形成两组周期不同的干涉条纹, 这两组干涉条纹进一步干涉叠加形成自相干叠栅条纹, 组成自相干叠栅条纹的两组干涉条纹随对准标记的移动向相反方向移动, 并将对准标记的位移量进行放大, 从而提高对准标记位置测量的精度。通过对自相干叠栅条

  3. 所属分类：其它

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