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搜索资源列表

  1. 测前馈补偿在0_1um光刻机硅片台长行程电机控制中的应用

  2. 测前馈补偿在0_1um光刻机硅片台长行程电机控制中的应用

  3. 所属分类：IT管理

    • 发布日期：2012-05-18
    • 文件大小：641kb
    • 提供者：feifeikk

  1. 光刻机及行业现状

  2. 描述了光刻机及行业现状，浸润式光刻机，各种制程，ASML

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2018-05-16
    • 文件大小：153kb
    • 提供者：liyuming021

  1. 光刻机传输分系统控制.doc

  2. 本文档是荷兰光刻机公司ASML的内部硅片传输分系统的控制系统设计文档，对了解光刻机内部知识以及控制系统设计有较大的帮助

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-09-17
    • 文件大小：13mb
    • 提供者：cjlusun55

  1. 光刻机ASML内部培训资料 介绍芯片的制作流程以及光刻机的部分原理

  2. 本资料包含荷兰光刻机厂商ASML的内部培训资料 ，包括介绍芯片的制作过程以及原理，光刻机的使用说明以及原理等等

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-09-25
    • 文件大小：488mb
    • 提供者：cjlusun55

  1. 高速激光点阵光刻机的设计

  2. 为了制作大尺寸激光防伪商标，开发了高速激光点阵光刻机。该光刻机以工控机为上位机，ARM LPC2138和单片机STC12C5401AD为下位机，采用直线电机直接驱动X-Y工作台，实现了高速高精度定位。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-18
    • 文件大小：282kb
    • 提供者：weixin_38665668

  1. 基础电子中的步进扫描光刻机

  2. 步进扫描光刻系统是一种混合设各，融合了扫描投影光刻机和分步重复光刻机技术，是通过使用缩小透镜扫描一个大曝光场图像到晶片上一部分实现的。这种技术在一定程度上缓解了器件特征尺寸减小而半导体晶圆物理尺寸增加的问题。一束聚焦的狭长光带同时扫过掩模版和晶片。这种光刻机的标准曝光尺寸为26 mm×33 mm。一旦扫描和图形转移过程结束，晶片就会步进到下一个曝光区域重复这个过程。使用步进扫描光刻机的优点为： 　　（1）增大了曝光场，可以获得较大的芯片尺寸； 　　（2）可以在投影掩模版上放多个图形，因而一次

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：78kb
    • 提供者：weixin_38609089

  1. 基础电子中的分步重复光刻机

  2. 图显示了一种简单分步重复光刻系统。掩模版放在聚焦透镜和投影系统之间，掩模图像是被缩小了5～10倍投影到衬底晶片上的。这种光学系统有很多优点：第一，可以利用大得多的特征尺寸绘制掩模图形，例如在制作了特征尺寸为0.1 μm的图形，可以在掩模上用1μm的线宽，相对来说容易很多；其次，由于缩小作用，一次曝光可以只用到晶片上的一小部分。步进光刻机采用的是投影掩模版，上面包含了一个曝光场内对应一个或多个芯片的图形。为了曝光整个晶片，每次曝光以后都需要一定晶片来使下一个芯片区域移动到投影照射区域，因此称为分步

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38734037

  1. 基础电子中的接触式／接近式光刻机

  2. 对于接触式光刻机，曝光时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于0.1 gm的特征尺寸，常用的光源分辨率为0.5 gm左右。接触式光刻机的掩模版包括了要复制到衬底上的所有芯片阵列图形。在衬底上涂上光刻胶，并被安装到一个由手动控制的台子上，台子可以进行X、y方向及旋转的定位控制。掩模版和衬底晶片需要通过分立视场的显微镜同时观察，这样操作者用手动控制定位台子就能把掩模版图形和衬底晶片上的图形对准了。经过紫外光曝光，光线

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：42kb
    • 提供者：weixin_38571453

  1. 显示/光电技术中的光电所成功研制URE-2000/17型台式紫外深层光刻机

  2. 光电所成功研制URE-2000/17型台式紫外深层光刻机  　　近日，中国科学院光电技术研究所为适应市场需求，成功研发了一种URE-2000/17型台式紫外光刻机，并投入批量生产。 　　该产品采用200W直流高压汞灯(光能稳定性很高，汞灯寿命长)、双目双视场显微镜对准、球碗调平、单片机控制、触摸开关操作等，具有体积小、外形美观、性能可靠、操作方便、经济实用性强等特点，尤其适合高等院校和研究机构从事微电子技术、MEMS、声表器件、红外探测器、液晶等领域的科研、教学，以及生产企业用于小批量器件生产。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：33kb
    • 提供者：weixin_38742951

  1. 光电所i线深度光刻机品质满足市场生产线需求

  2. 中科院科研机构>高技术领域>光电技术研究所" href="[removed]void(0)">光电所以其独特的技术优势和质量管理、技术服务保障为依托，创新研发的URE-2000/25型i线深度曝光光刻机，深受科研院所、高等院校、微细加工生产厂家的青睐。与此同时，朝鲜、新加坡等东南亚国家的用户也十分看好，陆续前来订购。用户评价科研机构>高技术领域>光电技术研究所" href="[removed]void(0)">光电所在产品开发和高可

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：54kb
    • 提供者：weixin_38735544

  1. TG2U型光刻机

  2. ■ [产品名称]：TG2U型光刻机 ■ [工艺方案]： 半导体设备 ■ [产品简介]： 产品特点：TG2U型光刻机是制造中，大规模集成电路，传感器，表面波元件，磁泡，微波和CCD等器件的重要光刻设备。 ■ 说 明 TG2U型光刻机主要技术参数见下表： 项目 参数 适用的掩模尺寸 a.100X100X2－3mm；b.75X75X2—3mm；c.63X63X2—3(选购)； 适用的硅片尺寸 φ35—75mm 光刻图形线条 3-4μm, 最细可达2μm

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：41kb
    • 提供者：weixin_38691739

  1. 光刻机的匹配和调整

  2. 周虎明 韩隽(中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035)摘要：光刻机的匹配使用是半导体工艺大生产线上提高生产效率的一项重要措施。光刻机的匹配主要包括场镜误差的匹配和隔栅误差的匹配，如何调整相同型号光刻机的匹配使用将是本文论述的重点。 关键词：套刻精度；误差；匹配；调整中图分类号：TN305 文献标识码：A1引言在超大规模集成电路圆片工艺生产线上，往往投入多台光刻机同时使用，有相同型号的多台光刻机，也有不同型号光刻机同时运行。同时随着不同工艺平台的发展(例如：从2μm生产平台逐步

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：104kb
    • 提供者：weixin_38651165

  1. Asml光刻机及工艺介绍

  2. Asml光刻机及工艺介绍

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-08
    • 文件大小：8mb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 基于人工神经网络权值优化的投影光刻机像质校正灵敏矩阵的计算方法

  2. 像质校正灵敏矩阵是像质校正算法中由像质参数计算像质校正参数的过渡矩阵。矩阵中的元素表征了像质参数随像质校正参数变化的灵敏程度。像质校正灵敏矩阵是投影光刻机像质校正算法中重要的参数集合。提出了一种投影光刻机像质校正灵敏矩阵的原位测量方法，该方法利用人工神经网络(ANN)对像质参数和像质校正参数之间的依赖关系进行建模，通过网络自学习能力优化网络的连接权值使其逐渐逼近像质校正灵敏矩阵的数值，从而实现像质校正灵敏矩阵的测量。实验结果表明该方法可以高精度、有效地获得投影光刻机像质校正灵敏矩阵。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：766kb
    • 提供者：weixin_38508497

  1. 基于粒子群优化算法的光刻机光源优化方法

  2. 提出了一种基于粒子群优化算法的光刻机光源优化方法.将光源信息编码为粒子,利用图形误差作为评价函数,通过更新粒子的速度与位置信息不断迭代优化光源图形.对周期接触孔阵列和含有交叉门的复杂掩模图形的仿真验证表明,两者的图形误差分别降低了66.1%和27.3%,有效提高了光刻成像质量.与基于遗传算法的光源优化方法相比,该方法具有更快的收敛速度.另外,还研究了像差和离焦对本方法稳健性的影响.

  3. 所属分类：其它

  1. 投影光刻机光学系统的总体设计

  2. 本文从投影光刻机的图形传递要求出发,导出投影光刻机各主要光学系统的具体要求,并讨论这些参数确定的局限性。

  3. 所属分类：其它

  1. 一种步进扫描投影光刻机承片台不平度检测新技术

  2. 提出一种步进扫描投影光刻机承片台不平度检测新技术。在晶圆与承片台存在不同偏移量时,利用线性差分传感器在线测量晶圆上不同点的局部高度;通过建立临时边界条件,以递推法消除晶圆面形影响,并逐行计算出承片台的相对不平度;通过逐行计算的结果递推相邻行之间的高度差,并将该高度差叠加到每一行,以消除临时边界条件的限制,得到处于同一高度上的承片台不平度;将计算的结果作为初始值,根据最小二乘原理,以邻近的四个测量点作为参考,逐步逼近得到承片台的真实不平度。计算机仿真结果验证了该检测方法的正确性,计算结果逐步收敛并

  3. 所属分类：其它

  1. 一种检测光刻机激光干涉仪测量系统非正交性的新方法

  2. 提出一种精确检测光刻机激光干涉仪测量系统非正交性的新方法。将对准标记曝光到硅片表面并进行显影;利用光学对准系统测量曝光到硅片上的对准标记理论曝光位置与实际读取位置的偏差;由推导的位置偏差与非正交因子、坐标轴尺度比例、过程引入误差的线性模型,根据最小二乘原理计算出干涉仪测量系统的非正交性。实验结果表明,利用该方法使用同一硅片在不同旋转角下进行测量,干涉仪测量系统非正交因子的测量重复精度优于0.01 μrad,坐标轴尺度比例的测量重复精度优于0.7×10-6。使用不同的硅片进行测量,非正交因子的测量

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：923kb
    • 提供者：weixin_38730977

  1. 一种新的光刻机像质参数热漂移检测技术

  2. 提出了一种新的光刻机像质参数热漂移原位检测技术(TDFM)。详细分析了该技术利用镜像测试标记检测投影物镜最佳焦面热漂移与放大倍率热漂移的基本原理。实验结果表明TDFM技术可同时实现最佳焦面热漂移(FFT)与放大倍率热漂移(MFT)的精确测量。与现有的放大倍率热漂移检测技术相比,该技术有效地解决了放大倍率热漂移技术中放大倍率热漂移受最佳焦面热漂移影响的问题,简化了光刻机像质参数前馈校正的测试过程,测试成本与耗时均减少50%。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：950kb
    • 提供者：weixin_38499349

  1. 基于光学对准的光刻机投影物镜密集线焦深原位检测技术

  2. 提出了一种检测光刻机投影物镜密集线焦深(DOF)的新技术。该技术将具有精细结构的测量标记曝光在硅片上，硅片显影后，由光学对准系统获取曝光在硅片上的测量标记图形的对准位置信息，根据对准位置信息计算得到视场中各点的焦深。与传统的FEM焦深测试技术相比，该技术具有测量精度高、速度快、成本低、操作简单等优点，在光刻工艺参数优化及光刻设备性能评价等方面有很好的应用前景。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：867kb
    • 提供者：weixin_38685882
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