本篇论文的目的是探讨并研究针对目前半导体製程过程中,包含涂佈光阻 (Coating),曝光(Exposure),与显影(Developer),烘烤(Baking)等过程中,所产生 的 Defect 种类,产生原因的探讨并加以的区分,而且利用一些实验手法去减少 产生 Defect 的现象发生.例如利用 Exhaust 的改变,製程程式的设定,Hardware Modify 等等均可改善,并研究如何去预防发生. 除此之外,现在随着製程技术进步,对于 CD 的要求是越来越小,在黄光 的整个 Proce

课程内容： 1 光刻工艺的质量要求 1.1 图形完整、尺寸准确、边缘整齐、陡直 1.2 图形内无针孔 1.3 图形外无小岛 1.4 套合精确、无污染 2 光刻缺陷的影响及形成原因 2.1 光刻缺陷及影响 2.1.1浮胶及影响

课程内容： 1 版的图形尺寸精确 2 版的套准误差小 3 版的黑白反差高 4 图形边缘光滑陡直无毛刺、过渡区小 4.1 过渡区定义和特点 4.2 过渡区产生的原因 4.3 过渡区造成的影响 5 版面光洁无针孔、小岛及划痕 5.1 版面缺陷 5.2 版面缺陷的影响 6 版面耐磨、坚固、不变形 课程重点：本节前介绍了光刻版的质量在器件制造中的作用，指出：对最简单的三极管制造至少需要四块光刻版，而常规集成电路制造至

建立了一个基于单平面近似的极紫外(EUV)光刻三维含缺陷掩模的快速仿真模型。该仿真模型中，采用相位突变和振幅衰减表示缺陷对多层膜的反射系数的影响，吸收层模型采用薄掩模修正模型。以22 nm 三维接触孔图形为例，周期为60 nm 时，该仿真模型与波导法严格仿真相比，仿真速度提高10倍以上，而关键尺寸(CD)仿真误差小于0.6 nm。基于该仿真模型，对掩模缺陷进行了补偿计算，得到了与严格仿真一致的最佳图形修正量。针对不同的缺陷形态尺寸，提出了缺陷的可补偿性的概念，并进一步讨论了二维图形的缺陷的可补偿