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  1. 模拟信号发生和模拟光发射光接收电路设计

  2. 模拟信号发生和模拟光发射光接收电路设计,阐述了利用模拟电路搭建的光传输系统。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-05-02
    • 文件大小：280kb
    • 提供者：manutd_cc

  1. 单一基质白光发射正硅酸盐荧光粉：格位敏感的能量传递

  2. 单一基质白光发射正硅酸盐荧光粉：格位敏感的能量传递，张吉林，张巍泸，本论文基于近紫外光芯片的荧光转化型白光发光二极管，拟合成能被近紫外光激发的单一基质白光发射荧光粉。采用传统高温固相法合成

  3. 所属分类：其它

  1. 微晶硅沉积的射频等离子体辉光发射谱

  2. 微晶硅沉积的射频等离子体辉光发射谱，朱锋，赵颖，采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术在高沉积功率、低衬底温度的条件下沉积微晶硅薄膜材料。光发射谱（OES）测量技术�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-01
    • 文件大小：446kb
    • 提供者：weixin_38551837

  1. 厘米尺度柔性纸状SiCSiO2纳米电缆及其蓝-紫光发射特性

  2. 厘米尺度柔性纸状SiCSiO2纳米电缆及其蓝-紫光发射特性，张猛，李镇江，本文采用简单的Ni催化化学气相沉积法制备出一种新型厘米长度柔性纸状产物。结果表明：这种纳米纸状产物由大量超高堆积密度的SiCSiO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-06
    • 文件大小：802kb
    • 提供者：weixin_38737366

  1. 无线激光通信光发射电路模块设计

  2. 本文主要是围绕军用车载无线激光通信发射机中的两类光发射模块进行研究，分别针对激光发射机中的信标光发射模块和信号光发射模块进行了设计。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-09
    • 文件大小：168kb
    • 提供者：weixin_38720256

  1. 基础电子中的亿光发射管简介

  2. 亿光发射管也可以称作亿光红外发射管或亿光红外线发射二极管，属于二极管类。它是可以将电能直接转换成近红外光（不可见光）并能辐射出去的发光器件，主要应用于各种光电开关及遥控发射电路中。亿光发射管的结构、原理与普通发光二极管相近，只是使用的半导体材料不同。亿光红外发光二极管通常使用砷化镓（GaAs）、砷铝化镓（GaAlAs）等材料，采用全透明或浅蓝色、黑色的树脂封装 　　亿光发射管参数介绍 　　发射距离、发射角度（15度、30度、45度、60度、90度、120度、180度）、发射的光强度、波长。是

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38610870

  1. 元器件应用中的集成硅基光发射概念器

  2. 与以往的砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等化合物材料的分立元件集成芯片不同，与标准微电子工艺兼容的硅基光电子集成回路需要在硅衬底上实现光发射器、光波导/调制器、光电探测器及驱动电路和接收器电路的单片集成。其中，硅基光发射器件与驱动电路的单片集成是一项关键的研究内容，涉及工艺选择、集成技术、工作机理、器件可靠性等各方面的工作。同时，还需要考虑同光波导的耦合技术与工艺，考虑同光波导、接收器等各部分实现单片集成的技术与工艺等多方面的问题。 　　一个基本的硅基发射器包括一个光发射器件及其驱动电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：52kb
    • 提供者：weixin_38548434

  1. 基础电子中的光发射器件简介

  2. 用半导体材料制作的光发射器件一般分为两类：半导体光电二极管和半导体激光二极管。从物理的角度看，光发射的原理一般分为以下几种情况：①台邕带间的跃迁；②能带－杂质能级间的跃迁；③施主－受主对的跃迁；④激子的跃迁；⑤缺陷中心的局域化能级间的跃迁；⑥跃迁元素（稀土元素）的多电子能级间的跃迁。这些跃迁在发光过程中起决定性作用，它们决定了各种光发射器的性质。 　　发光二极管（LED）是表面发光型的光发射器。发光二极管的发光效率与载流子浓度和有源区厚度有关。有关发光二极管的机构和原理将在第2章中详细描述。一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：94kb
    • 提供者：weixin_38529951

  1. 显示/光电技术中的并行光发射模块耦合技术

  2. 耦合也是光发射模块的关键工艺之一，耦合的效果直接影响着出射光的性能。激光器芯片和光纤的耦合有两种 形式：即直接耦合和间接耦合。直接耦合由激光器发出的光直接进入光纤，不经过其他中间元件。间接耦合则在 激光器和光纤之间加入其他光学元件，完成由激光器到光纤的耦合。 　　光发射模块的光接口就是将激光器的出射光耦合到光纤中。VCSEL的出射光垂直于安装的电路板表面，这对于器 件的封装和应用都不大方便，人们根据实际需求可以将光接口的方向设计为平行于电路板，这就需要使电信号或 者光信号在传输过程中有一个90

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：114kb
    • 提供者：weixin_38747946

  1. 显示/光电技术中的并行光发射模块

  2. 随着常规的光纤传输正向着高速大容量的方向发展，并行光发射和接收技术也是实现这一方向的方案之一。首先，在相同的电路速率下，并行光发射技术可以提供更大的容量：其次，它可以用中高速电路数量和光纤数量来取得高速率、大容量的传输，这种方法在短距离传输是行之有效的，制作的并行光发射和接收模块从传输速率和传输容量上都比单通道收发模块优越得多。 　　光发射模块是指将包括半导体激光器、驱动电路和控制电路及其他光学元件集成在一个封装盒内，完成输入为标准电平，输出为光信号的功能。光发射模块包括驱动电路、激光器、接口

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38555616

  1. 元器件应用中的半导体光发射二极管的基本结构

  2. 半导体光发射二极管本质上就是一个pn结二极管，但各种发光二极管的具体结构却不尽相同。图给出了几种发光二极管的基本结构。 　　这些发光二极管的有源层通常是在体材料上形成的。尽管用于显示应用的LED都是发射可见光的，但是其结构却多种多样。pn结构的同质结发光二极管与异质结一样能发射红、黄光，而且制作容易。发射蓝或绿光的发光二极管大多采用Ⅲ族氮化物的量子阱结构，如InGaN／GaN、GaN｀AlGaN等。但是这种类型的发光二极管，光发射区发出的由自发辐射产生的光是向着各个方向的。所以，发展了各种结构

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：160kb
    • 提供者：weixin_38569109

  1. 退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响

  2. 退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响 李 忠1，赵 显2，李玉国1，薛成山1 （1.山东师范大学物理与电子科学学院，山东 济南 250014；2.山东大学晶体材料国家重点实验室，山东济南 250100） 摘要: 获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱，分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响，发现退火温度为1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质C = O复合体是发光的重要因素；经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构，因量子限制效应–表面复合

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38558054

  1. MachineLearning-Plasma:机器学习在光发射光谱估计电子能量分布中的应用-源码

  2. 机器学习与非热等离子体 机器学习在光发射光谱估计电子能量分布中的应用。

  3. 所属分类：其它

  1. GaAs纳米线阵列光电阴极光发射特性的理论分析与建模

  2. GaAs纳米线阵列光电阴极光发射特性的理论分析与建模

  3. 所属分类：其它

  1. 薄GaAs异质结光电阴极的光发射特性

  2. 薄GaAs异质结光电阴极的光发射特性

  3. 所属分类：其它

  1. 微波辅助水合过渡金属离子掺杂的ZnSe / ZnS核/壳量子点的可调白光发射

  2. 报道了合成的亮白色发光的Mn和Cu共掺杂的ZnSe / ZnS核/壳量子点（QDs）（Cu，Mn：ZnSe / ZnS）的合成。 锰和铜掺杂的水溶性ZnSe基量子点是使用微波辅助方法在水溶液中采用通用的热注入方法制备的。 研究了Selenium/硫比，稳定剂，回流时间和铜/锰掺杂离子浓度对粒径和光致发光（PL）的影响。 通过X射线粉末衍射仪（XRD），高分辨率透射电子显微镜（HRTEM），紫外可见（UV-vis）分光光度计和荧光分光光度计对在不同生长阶段制备的量子点进行了表征。 发现在温和条件下

  3. 所属分类：其它

  1. 氮化铝块状单晶的宽带白光发射

  2. 氮化铝块状单晶的宽带白光发射

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：516kb
    • 提供者：weixin_38631773

  1. In2Se3装饰的硅纳米线在室温下与Si兼容的红光发射。

  2. In2Se3装饰的硅纳米线在室温下与Si兼容的红光发射。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：388kb
    • 提供者：weixin_38714910

  1. Cs，O活化和再形成后反射型InGaAs光电阴极的光发射

  2. Cs，O活化和再形成后反射型InGaAs光电阴极的光发射

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-12
    • 文件大小：610kb
    • 提供者：weixin_38747592

  1. 六角形Ag纳米阵列通过局部表面等离子体激元耦合诱导了非晶态氧化氮化硅的蓝光发射增强

  2. 六角形Ag纳米阵列通过局部表面等离子体激元耦合诱导了非晶态氧化氮化硅的蓝光发射增强

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-12
    • 文件大小：128kb
    • 提供者：weixin_38589168
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