表面陷阱态在纳米器件的光电特性中起着主导作用。 了解表面陷阱状态可以使我们适当地设计设备表面，以获得更好的性能。 但是，使用传统的电容技术在纳米尺度上表征表面陷阱态是一项艰巨的挑战。 在这里，我们演示了一种简单但功能强大的光电方法，可将纳米线表面陷阱态的密度探测到单个态极限。 在这种方法中，我们选择在硅纳米线光电导体的带隙上调整准费米能级，从而允许通过表面陷阱状态捕获和发射光生电荷载流子。 实验数据表明，纳米线表面陷阱态的能量密度在深层为109cm-2 / eV，在导带边缘附近为1012cm-2