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搜索资源 - 光纤线双折射对光栅磁场传感器性能影响的理论分析
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光纤线双折射对光栅磁场传感器性能影响的理论分析
给出了基于偏振效应的光纤光栅磁场传感器的方法。为了降低传感器中线双折射对传感系统输出的影响, 提高测量系统的稳定性, 利用琼斯矩阵对线双折射及入射起偏角对系统输出特性的影响进行了理论推导及仿真, 研究了系统对线双折射变化的敏感度大小与起偏角的关系, 确定了最佳起偏角。以最佳起偏角入射, 可以将系统对线双折射变化的敏感度降到最低, 提高系统的稳定性和可靠性, 为光纤光栅磁场传感器的实用化设计提供了参考。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-10
文件大小:871kb
提供者:
weixin_38621150