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  1. 入射能量低于0.9 GeV时氘核上相干双中性子相干光产生的首次测量

  2. 首次在氘核上以低于0.9 GeV的入射能量测量了相干双中性子相干光产生的总截面。 没有明显的类似共振的行为在W Wd = 2.38×2.61 GeV的激发函数中观察到,预计会出现在COZY的dâ(2380)dibaryon共振。 测得的激发函数与该反应的现有理论计算一致。 发现总横截面的上限为0.034μb,在didyon共振中Wdd = 2.37 GeV(90%置信度)在Dd0 0 0d反应中。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-04-04
    • 文件大小:395kb
    • 提供者:weixin_38563525
  1. 基于UCC3809设计的反激变换器(50W).pdf

  2. 基于UCC3809设计的反激变换器(50W)pdf,UCC3809设计反激变换器(50W)在反激变换器中,变压器实际上是一个多绕组的耦和电感,变压器磁芯提 供耦合及隔离,而电感量给出储能大小,储存在空气隙中的电感的能量如下式 E Lp·(PEAK 2 (2) 此处,E为焦耳,Lp为初级电感,单位为享利。 Ipeak为初级电流,单位安 培。当开关导通时,D1反向偏置,没有电流流过二次绕组,初级绕组中流过斜 率如下式的电流 IN(min)v Rds(on) △t P (3) 此处,V1N(min)与
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  1. 电源管理指南中文版.pdf

  2. 电源管理指南中文版pdf,本选型指南,包括设计因素、特色产品、产品组合展示图例以及技术参数表。可携式和插线电源解决方案 插线电源解决方案 隔离式电源解决方案 普通负载点解决方案 负载 交流线 入电源MUX 功率因数 线性稳压器 PWM 控制和保护 正或 保护 A0c控制器热插技厂带集成工的 外设 Dc/Dc转换器 流和 系统电压 替代能源|:隔离电源 MOSFET/:/ ORing\;模数DC/DC控制器 NexFET TM FPGA ASIC 模块驱动器 控制 功率 MOSFETS 模拟电路
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