通过数值和实验研究了以极化减少的chi多量子势垒（PR-CMQB）作为电子阻挡层（EBL）的GaN基发光二极管的优势。 仿真和实验结果均表明，与传统的单一AlGaN EBL或CMQB相比，具有PR-CMQB的LED具有更高的内部量子效率和光输出功率。 这些改善主要归因于电子泄漏的抑制和空穴注入效率的提高。 此外，当采用PR-CMQB时，效率下降明显减少。