提出了一种采用反向泄漏补偿技术的源极开关电荷泵（SSCP），以降低由电荷泵反向亚阈值泄漏引起的宽带PLL杂散电平。 该技术可以在电荷泵的截止状态下将电流源N型MOS（NMOS）/ P型MOS的源极-漏极电压设置为接近零，从而减少反向泄漏。 与传统的SSCP相比，建议的电荷泵中仅增加了一个NMOS电容器，两个CMOS开关和两个反相器。 因此，可以忽略不计的额外功率和额外的面积成本。 设计了0.7-1.6 GHz PLL，并采用了65 nm CMOSCraft.io的常规电荷泵和建议电荷泵。 仿真结

提出了一种采用反向泄漏补偿技术的源极开关电荷泵（SSCP），以降低由电荷泵反向亚阈值泄漏引起的宽带PLL杂散电平。 该技术可以在电荷泵的截止状态下将电流源N型MOS（NMOS）/ P型MOS的源极-漏极电压设置为接近零，从而减少反向泄漏。 与传统的SSCP相比，建议的电荷泵中仅增加了一个NMOS电容器，两个CMOS开关和两个反相器。 因此，可以忽略不计的额外功率和额外的面积成本。 设计了0.7-1.6 GHz PLL，并采用了65 nm CMOSCraft.io的常规电荷泵和建议电荷泵。 仿真结