报告了具有衬底偏置的新型高压硅LDMOS结构（SB S-LDMOS）。 当将正衬底偏压施加到SB S-LDMOS时，垂直导电路径被双p（-）/ n（+）层衬底阻挡。 漂移区中的整体电场由于衬底偏置而重新分布，并且漏极下的耗尽区所维持的垂直电压显着降低，这对于薄型漂移区功率器件而言尤其重要。 数值结果表明，与传统的LDMOS相比，该器件的击穿电压提高了94％，同时保持了较低的导通电阻。