提出了一种在复合掩埋层（CBL）上具有阶梯掩埋氧化物（SBO CBL SOI）的绝缘体上硅（SOI）高性能横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）。 阶梯式掩埋氧化物位于上掩埋氧化物（UBO）层的顶部界面中的Kong中。 此外，在多晶硅层和下部埋入氧化物（LBO）层之间的界面中收集有高密度的空穴。 结果，通过这些Kong增强了薄LBO和厚UBO两者中的电场，从而导致了击穿电压的提高。 SBO CBL SOI LDMOS的击穿电压从具有相同厚度的SOI层和掩埋氧化物层的常规SOI的477 V增加到