提出了一种新型的绝缘体上硅（SOI）沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有较低的比导通电阻（R-on，（sp））。 它具有氧化物填充的沟槽和不耗尽的嵌入式p型岛（p-SOI）。 氧化物沟槽将漂移区折叠成U形，从而导致单元间距和R-on（sp）减小。 通过在不降低击穿电压（BV）的情况下提高漂移区的最佳掺杂浓度，可采用非耗尽型p-岛进一步降低R-on，（sp）。 仿真结果表明，在相同的BV下，p-SOI将常规SOI MOSFET的R-on，（sp）从17.4m Omega.cm（2