在使用20-60 nm的铝（Al）纳米颗粒（NPs）的基于AlGaN的日盲紫外（SB-UV）检测器中实现了增强的光谱响应。 具有60 nm Al NPs的检测器（约288 nm）的峰值响应率是在5-V偏压下达到0.288 A / W时，无Al NPs的检测器的两倍以上。 为了确认铝纳米颗粒的增强机理，使用时域和频域有限元方法模拟了消光光谱。 计算结果表明，Al NPs的偶极表面等离子体共振波长位于基于AlGaN的SB-UV检测器的峰值响应位置附近。 因此，检测器的改进可以归因于Al NP的局部表

在使用20-60 nm的铝（Al）纳米颗粒（NPs）的基于AlGaN的日盲紫外（SB-UV）检测器中实现了增强的光谱响应。 具有60 nm Al NPs的检测器（约288 nm）的峰值响应率是在5-V偏压下达到0.288 A / W时，无Al NPs的检测器的两倍以上。 为了确认铝纳米颗粒的增强机理，使用时域和频域有限元方法模拟了消光光谱。 计算结果表明，Al NPs的偶极表面等离子体共振波长位于基于AlGaN的SB-UV检测器的峰值响应位置附近。 因此，检测器的改进可以归因于Al NP的局部表

在使用20-60 nm的铝（Al）纳米颗粒（NPs）的基于AlGaN的日盲紫外（SB-UV）检测器中实现了增强的光谱响应。具有60 nm Al NPs的检测器（约288 nm）的峰值响应率是在5-V偏压下达到0.288 A / W时，没有Al NPs的检测器的响应率的两倍以上。为了确认铝纳米颗粒的增强机理，使用时域和频域有限元方法模拟了消光光谱。计算结果表明，Al NPs的偶极表面等离子体共振波长位于基于AlGaN的SB-UV检测器的峰值响应位置附近。因此，检测器的改进可以归因于Al NP的局部