IBM的科学家发布了一种比现有SRAM快两倍、能够达到6GHz以上速度的嵌入式SRAM芯片组原型。这种嵌入式SRAM用以保存由处理器频繁存取的资料,存取的速度越快,从SRAM到CPU的资料交换就越快。 IBM旗下T. J. Watson研究中心的研究小组成员Rajiv V. Joshi表示:“在制程技术遵循摩尔定律降低电子组件尺寸,以实现更高的密度的过程中,制程存在的变异性使这个任务越来越难达成。”研究人员一直在寻找克服制程变异性影响的方法,特别是当一个组件被放置在大量组件之中
IBM、Macronix和Qimonda公司将在国际电子器件会议(IEDM)上宣布共同开发出一种相变内存原型,该原型的转换速度号称比传统闪存技术快500多倍。 该设备的横截面大小仅有3 x 20纳米,写数据时的功耗比传统技术的功耗降低了一半多。22纳米甚至更高节点的器件将可以通过这一技术而实现。构成该技术之核心的是一小块半导体合金,能在一个有序的晶体相位中快速变换。 这种新的存储器材料是一种锗-锑(GeSb)合金,其中添加了微量元素来改进性能。届时在IEDM大会上将会有一篇名为《利用Ge