您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. 凹型掺杂层位置对GaN Gunn diode输运区中深能级缺陷分布影响

  2. 凹型掺杂层位置对GaN Gunn diode输运区中深能级缺陷分布影响,李亮,杨林安,本文首先通过Transmission electron microscopy (TEM) 研究了凹形掺杂层位置对输运区长度1um的GaN Gunn diode中刃位错分布的影响。相比顶部凹形槽掺�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-12-29
    • 文件大小:439kb
    • 提供者:weixin_38718262