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搜索资源列表

  1. 如何防止计算机芯片被静电击穿

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  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-07-19
    • 文件大小：199kb
    • 提供者：simon1206

  1. 西邮路由击穿！

  2. 西安邮电大学的路由击穿，源地址是学长做的，在西邮BBS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2013-03-14
    • 文件大小：16kb
    • 提供者：tianxixa

  1. 雪崩击穿的代码

  2. 雪崩击穿的matlab代码，基于PN结的突变结势垒区以及线性缓变结。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2013-07-09
    • 文件大小：2kb
    • 提供者：u011354819

  1. 击穿单例模式的Demo示范代码

  2. 对于设计模式，最熟知和最常用的不外乎单例模式和工厂模式，对于单例模式如果编写不严谨的话也存在安全漏洞问题，这个击穿单例模式的代码很形象的说明了这个问题，其中包含如何使用现成并发技术，欢迎大家下载学习。

  3. 所属分类：Java

    • 发布日期：2017-09-25
    • 文件大小：5kb
    • 提供者：lydit

  1. 应用激光感生击穿光谱对大气的定量分析

  2. 应用激光感生击穿光谱对大气的定量分析，余亮英，陆继东，为研究激光感生击穿光谱技术应用于元素定量分析的可行性，利用 激光器与一个大气压下的空气相互作用产生激光等离子体，等离子体�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-13
    • 文件大小：218kb
    • 提供者：weixin_38747946

  1. 基于飞秒激光等离子体丝诱导击穿光谱探测土壤重金属Cr元素含量

  2. 基于飞秒激光等离子体丝诱导击穿光谱探测土壤重金属Cr元素含量，杜闯，高勋，本文基于飞秒激光等离子体丝诱导击穿光谱对土壤重金属Cr元素含量进行了实验研究。利用荧光法对等离子体丝的长度进行测量，给出了�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-02
    • 文件大小：372kb
    • 提供者：weixin_38708461

  1. 应用激光诱导击穿光谱对煤中Al、Ca、Fe的定量分析

  2. 应用激光诱导击穿光谱对煤中Al、Ca、Fe的定量分析，陈文，陆继东，为对煤中次量元素进行定量分析，选取不同产地的代表性煤样，应用激光诱导击穿光谱技术对煤块进行了实验测量，通过脉冲Nd:YAG激光与

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-20
    • 文件大小：164kb
    • 提供者：weixin_38620893

  1. 埋氧层固定电荷对SOI高压器件击穿电压的影响

  2. 埋氧层固定电荷对SOI高压器件击穿电压的影响，郭宇锋，张波，本文通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程，建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURF SOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-30
    • 文件大小：340kb
    • 提供者：weixin_38613548

  1. 功率MOSFET雪崩击穿问题分析.pdf

  2. 功率MOSFET雪崩击穿问题分析pdf,分析了功率 MOSFET 雪崩击穿的原因，以及 MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET 雪崩击穿过程不在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在MOSFET 的雪崩击穿中起着决定性的作用，寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。在MOSFET 发生雪崩击穿时，器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：126kb
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 几种MOS管“击穿”，你了解吗？.pdf

  2. 几种MOS管“击穿”，你了解吗？pdf,MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate，场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G。先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：182kb
    • 提供者：weixin_38744153

  1. 电介质强度试验击穿判定电流值的选取

  2. 从电介质的结构特点和产生电击穿的原因 、 过程以及人体遭受不同电流宏电击危险时的反应两 个方面 , 论述了电介质强度试验中击穿判定电流值的选取原则 , 并对微电击危险和试验回路中存在较大分 布电容的情况 , 作了补充分析 、 说明

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-12-08
    • 文件大小：133kb
    • 提供者：sunylihongbobj

  1. 相同的输入自适应滤波器，用于检测信号的击穿点

  2. 信号击穿点的检测对于许多科学和工程应用而言都很重要。 为此目的已经使用了多种信号处理方法。 然而，其中的自适应预测简单易行。 输入信号所需的延迟会阻碍其简单性和鲁棒性。 本文介绍了一种在故障和拐点检测应用中自适应预测的有效替代方法。 与自适应预测器不同，所提出的滤波器不需要在主输入中产生延迟即可生成滤波器的参考输入，从而显着提高了计算速度并克服了对延迟值的性能敏感性问题。 使用归一化最小均方算法来实现自适应预测器和所提出的滤波器。 过滤器在LabVIEW系统设计软件中实现。 使用仿真信号研究了滤

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-05
    • 文件大小：582kb
    • 提供者：weixin_38702844

  1. 洗煤厂高压电缆击穿原因分析及预防

  2. 对庆华马克洗煤厂35kV高压交联电缆被击穿事故进行分析研究,提出了相应的防范措施。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-01
    • 文件大小：136kb
    • 提供者：weixin_38666527

  1. 绝缘击穿理论在电缆附件安装中的应用

  2. 在电缆运行中,电缆附件的故障居高不下,电缆附件的安装质量对电网的安全运行有着十分重要的影响。基于绝缘击穿的机理,结合多个电压等级的电缆附件故障现象,从电缆附件的现场施工环境、运行条件、绝缘护套的剥削、半导电层的处理、电缆本体和预制应力锥之间界面压力不足等方面入手,分析造成绝缘加速老化直至引起绝缘击穿的原因,有针对性地提出加强施工人员的教育,提高电缆附件安装工艺水平,以及建立质量跟踪体系等措施,全面提高电缆附件的安装质量,为电网的安全运行提供指导。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-15
    • 文件大小：224kb
    • 提供者：weixin_38678796

  1. 电子元件分析:MOS管击穿的原因

  2. 本文主要总结MOS管被击穿的原因及其解决方案。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：67kb
    • 提供者：weixin_38688906

  1. 可控硅击穿原因有三种

  2. 本文主要讲了可控硅击穿的3种原因，希望对你的学习有所帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38548717

  1. mos管击穿原因_mos管静电击穿

  2. 本文主要讲了mos管击穿原因，希望对你的学习有所帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：97kb
    • 提供者：weixin_38725623

  1. 这几种MOS管“击穿”，你了解几种？

  2. 本文主要对几种MOS管“击穿”进行了简单解析，下面一起来学习一下

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：71kb
    • 提供者：weixin_38693084

  1. 整流电路电压超过二极管门限电压会击穿吗

  2. 本文主要讲了整流电路电压超过二极管门限电压会击穿吗这个问题，下面一起来学习一下

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：87kb
    • 提供者：weixin_38628175

  1. 解析LED死灯——静电击穿的现象及原理

  2. LED死灯有很多种原因，但由于LED本身抗静电能力弱，因此，大部分死灯都是由于静电击穿造成的。LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难免不受静电感应影响而产生感应电荷。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-23
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38519387
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