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搜索资源列表

  1. 利用分立器件完成电缆断点的测试

  2. 利用分立器件测120m电缆的断点位置，电路分为3大模块：窄脉冲产生模块，放大电路模块，锁存模块

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-05-23
    • 文件大小：246kb
    • 提供者：panweibo123456

  1. RF 小信号分立器件产品及设计手册

  2. RF 小信号分立器件产品及设计手册

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-04-29
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：winter888191

  1. RF 小信号分立器件产品及设计手册

  2. RF 小信号分立器件产品及设计手

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-04-29
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：winter888191

  1. 用分立元件设计制作功率放大器教程DIR

  2. 用分立元件设计制作功率放大器教程，内容包含了所有的分立器件的音频放大器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-08-11
    • 文件大小：171kb
    • 提供者：xiaoxiongyyy

  1. RF 小信号分立器件产品及设计手册

  2. RF 小信号分立器件产品及设计手册 兴趣的可以看看

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-03-17
    • 文件大小：4mb
    • 提供者：itczzz

  1. 对讲机原理图

  2. 现在的对讲机越做越小，电路是也是集成度越来越高！本原理图是分立器件的原理图，包含锁相环（PLL）、本振电路（VCO）、低噪放(LNA)、功放（AMP）、基带（AUDIO）、CPU、电源部分。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-07-09
    • 文件大小：181kb
    • 提供者：hp88682f

  1. 全桥分立器件电机驱动，可驱动10A的大电机

  2. 采用IR2101进行全桥分立器件驱动，可以驱动120W的直流电机，也可以切换电压。

  3. 所属分类：硬件开发

  1. 日本半导体分立器件型号命名方法

  2. 日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：35kb
    • 提供者：weixin_38676851

  1. GJB128A-97半导体分立器件试验方法

  2. 国军标 GJB 128A-97 半导体 分立器件 试验方法

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2011-07-03
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：starsky108

  1. 可替代集成MOSFET的分立器件

  2. 在电源设计中，工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC 功耗过大的问题。为缓解这一问题，工程师通常会采用外部驱动器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-25
    • 文件大小：60kb
    • 提供者：weixin_38624556

  1. pads9.5制作分立器件封装-附原理图pcb图-74LS00.doc

  2. 看网络上的教程，最开始一直不知道分立元器件的另外两个脚在哪里显示？于是写了如下的事例说明。7和8脚不显示，也不用连线，导入到pcb的时候，会根据7和8脚的网络名称自动分配给相应的电源网络

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-09-01
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：qq_31392737

  1. 高速1553总线分立器件收发器设计

  2. 提出了一种适用于高速1553总线的分立器件收发器电路设计方法，解决了传统1 MHz 1553收发器无法与10 MHz协议处理器接口的问题。与其他方案相比，由于采用的是分立器件搭建，不改变原有的总线结构，不用改换线缆及接口方式，节省了大量成本与时间，实现起来灵活方便，同时具有很好的通用性和强大的可扩展性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：315kb
    • 提供者：weixin_38506103

  1. 电源技术中的电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件

  2. 在电源设计中，工程师通常会面临控制IC驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过大的问题。为缓解这一问题，工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商（包括TI在内）拥有现成的MOSFET集成电路驱动器解决方案，但这通常不是成本最低的解决方案。通常会选择价值几美分的分立器件。 图1 简单的缓冲器可驱动2Amps以上的电流。 　　图1中的示意图显示了一个NPN/PNP发射跟随器对，其可用于缓冲控制IC的输出。这可能会增加控制器的驱动能力并将驱动损耗转移至外部组件。许多人都认为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：151kb
    • 提供者：weixin_38684633

  1. 集成电路中的集成电路和分立器件

  2. 半导体产业中有两大分支：集成电路和分立器件。 　　集成电路 　　集成电路（integrated circuit，港台称之为积体电路）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；.集成电路板按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路板和数字两大类.按制作工艺可分为半导体和薄膜。.按集成度高低的不同可分为小规模、中规模、大规模和超

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：36kb
    • 提供者：weixin_38656064

  1. 国内中小分立器件制造商以渠道制胜

  2. 在“中国制造”的道路上国产分立器件已经不可或缺的融入供应链。现阶段，以客户需求为出发点，调整并深化产品线，走专业化道路，合理的性价比成为国内分立器件制造的主要目标以及竞争优势的体现。也只有这样，才能做好“中国制造”的配套，并随之实现国内分立器件制造的向前发展。国内分立器件制造企业深圳市拓锋半导体科技有限公司总经理陈金松，就此有自己的看法。 　　新需求引领专业化产品线稳扎稳打 　　2011年全球电子产业的萧条景况也无可避免地影响着国内分立器件制造业，在整体市场低迷、业务量萎缩的情况下，一些中小

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：98kb
    • 提供者：weixin_38528180

  1. 分立器件——一款可替代集成MOSFET驱动器的卓越解决方案

  2. 自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步整流器栅极免受过高电压带来的损坏。理想情况下，您可以利用电源变压器直接驱动同步整流器，但是由于宽泛的输入电压变量，变压器电压会变得很高以至于可能会损坏同步整流器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：122kb
    • 提供者：weixin_38637093

  1. PCB技术中的分立器件封装及其主流类型

  2. 龙 乐(龙泉长柏路98号l栋208室，四川 成都 610100)摘 要：分立器件封装也是微电子生产技术的基础和先导-本文介绍国内外半导体分立器件封装技术及产品的主要发展状况，评述了其商贸市场的发展趋势。关键词：半导体；封装；分立器件中图分类号：TN305．94；TN32 文献标识码： A 文章编号： 1681-1070(2005)02-12-61 引言半导体分立器件是集成电路的前世今生，相对而言，它是单个无联系的、具有器件功能特性的管芯，封装在一个管壳内的电子器件，在大功率、高反压、高频高速、射

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：163kb
    • 提供者：weixin_38558623

  1. 电源技术中的电源用分立器件

  2. 电源用分立器件包括双极型晶体管开关、FET(场效应晶体管)、整流二极管等。双极型晶体管从门断开晶体管到绝缘栅双极晶体管都正向高速度、低损耗发展。FET从结型FET到电源MOS FET、STT(静电感应晶体管)则正努力走向高速化和高性能化。最近，开关电源和DC/DC变换器多使用N沟道的电源MOS FET，若将几万个这样的FET并列组装使用，即可达到耐高压，正开发700V级的耐高压产品。 　　便携电子产品用的低压电源MOS FET近日很受人注目。它们采用SOP(小外型封装)或TS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：33kb
    • 提供者：weixin_38556668

  1. 详解半导体分立器件脉冲测试的必要性及相关要求

  2. 本文主要讨论了半导体分立器件参数的脉冲测试技术，在这里我们能了解 脉冲测试的必要性是什么，它的相关标准又是什么，实现脉冲测试的方法又是什么。　　一、脉冲测试的必要性　　半导体分立器件通常包括二极管、三极管、MOS 埸效应管、结型埸效应管、可控硅、光电耦合器等各种器件。在对这些器件进行参数测试时，需要首先使被测试器件满足参数测试规定的测试条件（即进入规定的工作点），同时也要满足规定的测试环境温度，这样所测的数据才有实际的意义。因为所测试的参数既是测试条件的函数，同时也是环境温度的函数。例如三极管的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：153kb
    • 提供者：weixin_38534444

  1. 分立器件封装及其主流类型

  2. 龙 乐(龙泉长柏路98号l栋208室，四川 成都 610100)摘 要：分立器件封装也是微电子生产技术的基础和先导-本文介绍国内外半导体分立器件封装技术及产品的主要发展状况，评述了其商贸市场的发展趋势。关键词：半导体；封装；分立器件中图分类号：TN305．94；TN32 文献标识码： A 文章编号： 1681-1070(2005)02-12-61 引言半导体分立器件是集成电路的前世今生，相对而言，它是单个无联系的、具有器件功能特性的管芯，封装在一个管壳内的电子器件，在大功率、高反压、高频高速、射

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：163kb
    • 提供者：weixin_38665822
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