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  1. 模似电子——晶体二极管及应用电路 .ppt

  2. 一 半导体：其导电能力介于导体和绝缘体之间。 半导体具有某些特殊性质：如压敏热敏及掺杂特性， 导电能力改变。 二 半导体材料：用于制造半导体器件的材料。 半导体管又称晶体管。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2008-09-24
    • 文件大小：470kb
    • 提供者：yongwei1213

  1. 半导体单晶和薄膜制造技术.ppt

  2. 单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整

  3. 所属分类：其它

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的学好嵌入式系统电路入门之——二极管/晶体管/FET

  2. 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质 - 半导体      硅和锗是位于银、铝等导体和石英、陶瓷等绝缘体之间，用于制造半导体器件的原材料，具有一定电阻率。不同的物质其产生的不同电阻率是由于可移动的电子量不同引起的。这种可移动电子叫“自由电子”。一般我们把可以通过向其摻入杂质来改变自由电子的数量，并可控制电流动的物质称为半导体。 　　   　　根据电流流动的构造，可将半导体分为N型和P型两类。 　　半导体的电流流通原理

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：260kb
    • 提供者：weixin_38610573

  1. 模拟技术中的剖析硅基MEMS制造技术

  2. 上海硅知识产权交易中心 　　MEMS（微电子机械系统）技术是一种使产品集成化、微型化、智能化的微型机电系统。MEMS是微机电系统（Micro-Electro-Mechanical Systems）的英文缩写。MEMS是美国的叫法，在日本被称为微机械，在欧洲被称为微系统，它是指可批量制作的，集微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体的微型器件或系统。MEMS是随着半导体集成电路微细加工技术和超精密机械加工技术的发展而发展起来的，目前MEMS加工技术还被广

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：93kb
    • 提供者：weixin_38747566

  1. 电源技术中的一种新型逆变器优化光伏系统

  2. 近年来光伏发电在各国的普及和应用取得可观的进展。作为电能转换的关键环节，电力电子变换器对于光伏系统的整体性能与可靠性占有举足轻重的地位。本文在简要回顾了太阳能市场近年来的发展之后，着重分析了逆变器">太阳能逆变器的设计需要并由此阐述了功率半导体器件与电路拓扑方面的优选原则。 　　随着对绿色能源不断增长的需求， 太阳能发电近年来的迅猛发展引起了各方面的广泛关注。这样的高增长率预测是基于以下几个因素：目前过剩的生产能力已经将光伏系统的平均制造成本削减了百分之二十五；光伏系统的安装价格在持续下降

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：216kb
    • 提供者：weixin_38737213

  1. 应用于便携及消费产品的安森美半导体完整ESD及EMI保护方案

  2. 对于电子产品而言，保护电路是为了防止电路中的关键敏感型器件受到过流、过压、过热等冲击的损害。保护电路的优劣对电子产品的质量和寿命至关重要。随着消费类电子产品需求的持续增长，更要求有强固的静电放电（ESD）保护，同时还要减少不必要的电磁干扰（EMI）/射频干扰（RFI）噪声。此外，消费者希望最新款的消费电子产品可以用小尺寸设备满足越来越高的下载和带宽能力。随着设备的越来越小和融入性能的不断增加，ESD以及许多情况下的EMI/RFI抑制已无法涵盖在驱动所需接口的新一代IC当中。 　　另外，先进的系

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：548kb
    • 提供者：weixin_38551187

  1. EDA/PLD中的ISP技术在数字电路实验中的应用

  2. 1 ISP技术 　　在系统编程(In-System-Programming，ISP)技术是美国Lattice半导体公司首先提出来的一种能在产品设计、制造过程中的每个环节具有对其器件、电路或整个数字系统的逻辑和功能随时进行组态或重组能力的最新技术。在可编程逻辑器件(Programming Logic Device，PLD)及其技术中，ISP是一种新的概念、新的标准。传统的编程技术是将PLD器件插在编程器上编程的，ISP技术则可不用编程器，直接在用户自己设计的目标系统中或线路板上对PLD器件编程。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：127kb
    • 提供者：weixin_38698149

  1. 三星声称已开发出最薄的基片

  2. Sansung电子公司声称已开发出世界上最薄的基片。据报道，Samsung电子公司开发的基片只有0.08毫米，比一张普通的纸还薄，该基片技术比现有的技术还致密20%。Samsung表示，此技术可以用来堆叠20层的快闪式存储器和静态随机存储芯片。 　　“在新的基片电路之间的间隔只有20微米”，Samsung公司发言人在一次声明中指出，他同时还说Samsung用特殊的覆铜压层带板作为新产品的基本材料。之前，最薄的基片是Samsung 2005年制造的，有0.1毫米。基片是电路形成和制作的支撑材料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：32kb
    • 提供者：weixin_38551059

  1. 电子测量中的意法半导体推出一款电子电表IC——STPM01

  2. 意法半导体公司宣布推出一款电子电表IC——STPM01，该器件集成了全电子电表所需的全部核心电路，能够满足各种形式的电力测量需求，可以在最简单的低端应用中充当独立的电表，或者在基于单片机的复杂电表中用作系统外设，以支持远程测量、无功功率测量、多重电价和防篡改功能。 　　STPM01是ST和世界最大的电表制造厂商之一的ISKRAEMECO公司合作开发的产品，采用ST先进的BCD6智能制造技术，能够在同一个芯片上集成所需的全部的模拟、数字和功率电路。主要模块包括模拟信号调节、两个模数转换器、一个硬连

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：60kb
    • 提供者：weixin_38734492

  1. RFID技术中的SiGe半导体推出射频 （RF） 前端模块 SE2593A

  2. SiGe 半导体公司 (SiGe Semiconductor, Inc) 宣布推出全球集成度最高的射频 (RF) 前端模块，型号为  SE2593A。该器件专为符合 IEEE 802.11n 规范的 Wi-Fi 产品而设计，包含了收发器和天线之间所需的全部电路，可提供一个完整的 2.4 GHz / 5 GHz WLAN 多输入多输出 (MIMO) RF 解决方案。此外，该模块还具有最佳性能，能在支持大带宽无线多媒体服务之余，同时减小尺寸、降低系统级成本及提升可制造能力。    　　IEEE 80

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：65kb
    • 提供者：weixin_38564003

  1. 飞兆半导体多媒体开关节省手机面积减小成本

  2. 只有巴掌大小的手机似乎正在变成一个无所不能的神奇盒，而随着终端用户的不断成熟，位于手机底部的数据线接口正在变得越来越重要。比如利用配备专用接口的耳机，消费者可以欣赏其中的音乐文件，同时，专用的数据线也使他们可以同外界设备交换文档、下载音乐视频以及为手机电池充电。而默默站在这些便捷体验背后的，是多媒体开关器件的大力支持。 　　“多媒体开关器件是专用器件的一个新种类。仅通过一个设备便可以在音频信号、USB数据以及视频信号之间进行切换。这种对开关器件的复用无疑大大的节省了终端产品的电路空间和制造成本。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：72kb
    • 提供者：weixin_38663036

  1. 半导体硅制备

  2. 半导体器件和电路在半导体材料晶圆的表层形成，半导体材料通常是硅。这些晶圆的杂质含量水平必须非常低，必须掺杂到指定的电阻率水平，必须是指定的晶体结构，必须是光学的平面，并达到许多机械及清洁度的规格要求。制造IC级的硅晶圆分四个阶段进行：   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：19kb
    • 提供者：weixin_38669618

  1. 制造半导体器件和电路

  2. 当今的芯片结构含有多层薄膜和掺杂，很多层的薄膜生长或淀积在晶圆表面，包括多层的导体配合以绝缘体（图4.10四层截面）。完成如此复杂的结构需要很多生产工艺。并且每种工艺按照特定顺序进行包含一些工步和和子工步。64G CMOS 器件的特殊制程需要180个重要工艺步骤，52次清洗，和多达28层膜版。1尽管如此，所有这些工艺步骤都是四大基础工艺之一。图4.11列出了基础工艺和每一个工艺方案的原理。在图中的是一个简单器件-MOS栅极硅晶体管的构成，插图说明了制造的顺序。这类晶体管各部分的功能和晶体管的工作

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38709312

  1. 半导体产品材料

  2. 锗和硅 锗和硅是两种重要的半导体，在最初固态器件时代，第一个晶体管是由锗制造的。但是锗在工艺和器件性能上有问题。它的937摄氏度熔点限制了高温工艺，更重要的是，它表面缺少自然发生的氧化物，从而容易漏电。硅与二氧化硅平面工艺的发展解决了集成电路漏电问题，使得电路表面轮廓更平坦并且硅的1415摄氏度的熔点允许更高温的工艺。因此，世界上超过了90%的生产用晶圆的材料都是硅。   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：23kb
    • 提供者：weixin_38688890

  1. 电源技术中的ISP技术在《数字电路》课程设计中的应用

  2. 1 ISP技术 在系统编程(In-System-Programming，ISP)技术是美国Lattice半导体公司首先提出来的一种能在产品设计、制造过程中的每个环节具有对其器件、电路或整个数字系统的逻辑和功能随时进行组态或重组能力的最新技术。在可编程逻辑器件(Programming Logic Device，PLD)及其技术中，ISP是一种新的概念、新的标准。传统的编程技术是将PLD器件插在编程器上编程的，ISP技术则可不用编程器，直接在用户自己设计的目标系统中或线路板上对PLD器件编程。常

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：127kb
    • 提供者：weixin_38519387

  1. 电源技术中的超小型低功耗BOOST变换器LM2731及其应用电路

  2. 0 引言 　　LM2731是美国国家半导体公司(NS)生产的超小型低功耗BOOST变换器。该器件采用模拟双极型CMOS DMOS (ABCD)150制造工艺，因而具有很高的功率密度，并可减化外围电路的设计复杂性，同时可使BOOST变换器的效率和可靠性大幅度提高。因此，该BOOST变换器以其功耗低、成本低廉、电路简单、效率高等特点，可被广泛应用于个人数字助理(PDA)、数码相机、蜂窝式移动电话等各种手持式电子产品中。 1 LM2731的性能特点 　　LM2731有两种不同的版本。在器件型号

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：93kb
    • 提供者：weixin_38634037

  1. 具有平面和沟槽栅极集成的低导通电阻三重RESURF SOI LDMOS

  2. 提出了一种低导通电阻（Ron，sp）的可积硅绝缘体（SOI）n沟道横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS），并通过仿真研究了其机理。 LDMOS具有两个功能：平面栅极和扩展沟槽栅极（双栅极（DGs））的集成； N漂移区中的掩埋P层，形成三重减小的表面场（RESURF）（TR）结构。 三重RESURF不仅可以调节电场分布，而且还可以增加N漂移掺杂，从而导致截止状态下的比导通电阻（Ron，sp）降低，击穿电压（BV）改善。 DG形成双传导通道，而且，扩展的沟槽栅极扩大了垂直传导面积，这两者都进一步降

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：299kb
    • 提供者：weixin_38658982

  1. 用于半导体器件失效缺陷检测和分析

  2. 摘要：光发射显微镜（PEM）是90年代发展起来的一种高灵敏度、高分辨率的新型缺陷定位分析技术。随着半导体器件线宽的不断下降，光发射显微镜已广泛使用于IC和分立器件中漏电、击穿、热载流子等失效点的定位和失效机理的分析。本文介绍了光发射显微镜及在半导体器件进行失效分析的机理和实际应用。    关键词：PEM；微分析；失效    1PEM的基本原理    半导体器件和电路制造技术飞速发展，器件特征尺寸不断下降，而集成度不断上升。这两方面的变化都给失效缺陷定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。而光发射显微

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：229kb
    • 提供者：weixin_38663197

  1. 快恢复二极管和超快恢复二极管的电源特性分析

  2. 在开关电源二次侧的输出整流电路中，一般选用反向恢复时闷较短的整流二极管，常用的主要有快恢复二极管、超快恢复二极管、肖特基势垒二极管。　　快恢复二极管和超快恢复二极管广泛用于PWM脉宽调制器、开关电源、不间断电源（UPS）等领域作为高频、大电流的整流二极管、续流二极管或阻塞二极管，是极有发展前途的电力电子半导体器件，具有开关特性好、反向恢复时间短、耐压高、正向电流大、体积小、安装简便等优点。这两种整流二极管还减少了开关电压尖峰，而这种尖峰直接影响输出直流电压的波纹。　　快恢复二极管是指反向恢复时间

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：168kb
    • 提供者：weixin_38673812

  1. ISP技术在数字电路实验中的应用

  2. 1 ISP技术 　　在系统编程(In-System-Programming，ISP)技术是美国Lattice半导体公司首先提出来的一种能在产品设计、制造过程中的每个环节具有对其器件、电路或整个数字系统的逻辑和功能随时进行组态或重组能力的技术。在可编程逻辑器件(Programming Logic Device，PLD)及其技术中，ISP是一种新的概念、新的标准。传统的编程技术是将PLD器件插在编程器上编程的，ISP技术则可不用编程器，直接在用户自己设计的目标系统中或线路板上对PLD器件编程。常规

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：161kb
    • 提供者：weixin_38601499
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