注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 功率半导体的工作原理

  2. 功率半导体的工作原理 功率半导体的工作原理

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-05-05
    • 文件大小：10485760
    • 提供者：lanyu555

  1. 功率半导体的工作原理.pdf

  2. 功率半导体的工作原理,中文版，价值极高。功率半导体的工作原理极全

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-09-21
    • 文件大小：10485760
    • 提供者：tgxzer

  1. 最新功率半导体器件应用技术

  2. 最新功率半导体器件应用技术 259页 3.4M。。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2018-11-12
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：u011144283

  1. 罗姆SiC功率半导体介绍.pdf

  2. 罗姆SiC功率半导体介绍pdf,SiC功率半导体的优点，与其他材料的对比，可以给产品带来的优势，SiC功率半导体的推广方向，SiC市场主要竞争情况概览，ROHM的产品性能，竞争优势劣势，以及样品情况等。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38744153

  1. 功率半导体器件在应用上常见的几个问题.docx

  2. 功率半导体器件在应用上常见的几个问题docx,什么是大功率半导体器件？如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT、IGCT、IPM及TRIAC、SCR、GTO等各型晶闸管与二极管(DIODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，属于大功率的范围。此类元件多用于车船，工厂的动力，地铁高铁机车牵引及其他新能源的转换上。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：19456
    • 提供者：weixin_38743968

  1. 功率半导体的额定电流和散热设计

  2. 本文描述了用于计算功率电路中功率器件峰值结温的通用方法，同时对功率半导体额定电流的假设条件进行了解释。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-01-12
    • 文件大小：1032192
    • 提供者：weixin_43876859

  1. 浅谈高功率半导体激光器的可靠性

  2. 本文详细论述了影响高功率半导体激光器的主要因素点，以此来提高高功率半导体激光器向更好方向发展

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-07-12
    • 文件大小：608256
    • 提供者：guanchuchu123

  1. 富士电机功率半导体全线产品选型手册2013最新版

  2. 富士电机功率半导体全线产品选型手册2013最新版

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-02-17
    • 文件大小：11534336
    • 提供者：moutoumawei

  1. 高功率半导体激光器在金属材料加工中的应用

  2. 高功率半导体激光器及其阵列具有体积小、质量轻、能耗低、光斑易调节、光电转换效率较高的优点,广泛应用于金属材料焊接、金属表面相变硬化和金属材料表面熔覆。利用高功率半导体激光器可以连续性焊接不同型号的合金钢,获得大面积深度均匀的相变硬化层,也能够精确控制熔覆层结构及其几何形状。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-20
    • 文件大小：1028096
    • 提供者：weixin_38732277

  1. 常用的功率半导体器件汇总

  2. 电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上)电子器件。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-04
    • 文件大小：112640
    • 提供者：weixin_38723691

  1. 面向电动车窗/天窗应用的集成嵌入式功率半导体

  2. 更高的半导体集成度是管理防夹等复杂功能的关键，同时也满足了小型、轻量要求。本文主要介绍了面向电动车窗/天窗应用的集成嵌入式功率半导体。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-01
    • 文件大小：97280
    • 提供者：weixin_38712908

  1. 功率半导体及LED用封装热阻检测方法JEDEC标准

  2. 美国明导科技宣布，基于该公司MicReD部门与德国英飞凌科技AutomotivePowerApplication部门2005年共同发表创意时所提出的半导体封热阻检测方法，已成为JEDEC标准。该方法主要针对功率半导体及LED等领域，用于散热路径单一的场合。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：201728
    • 提供者：weixin_38586118

  1. 功率半导体器件的直接均流技术

  2. 在认真研究双极注入型功率半导体器件通态特性的基础上，结合装置整机厂的并联技术经验，从器件角度出发，提出了功率半导体器件的直接均流技术，目前，这一技术已得到了成功验证。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：317440
    • 提供者：weixin_38608055

  1. 显示/光电技术中的SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范

  2. 1 范围 　　本规范规定了功率半导体二极管芯片产品（以下简称芯片）的技术要求，检验规则和检验方法，芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定。 　　2 规范性引用文件 　　下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款，凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。 　　GB/T 4937.1—2006 半导体器件机械和气候试

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：37888
    • 提供者：weixin_38752628

  1. 高功率半导体激光器的波长稳定技术

  2. 高功率半导体激光器系统作为发展成熟的激光光源，在材料加工和固体激光器泵浦领域具有广泛应用。尽管高功率半导体具备转换效率高、功率高、可靠性强、寿命长、体积小以及成本低等诸多优点，但是光谱亮度相对较差则是一个不容忽视的缺点

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：142336
    • 提供者：weixin_38575456

  1. Littelfuse推出高额定值的IGBT模块功率半导体产品

  2. Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A。这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 除了标准设计外，Littelfuse还可提供定制解决方案以满足客户的具体规范。 这些模块将被用于工业电子产品的众多功率应用中，包括工业驱动与运动控制硬件、太阳能逆变器、不间断电源/开

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38705873

  1. 电子测量中的功率半导体风冷散热器的选配

  2. 功率半导体元件在工作时，自身必然要产生热损耗。但若发热量太大，且又来不及向周围媒质消散，元件就会因超过其正常工作的保证温度而失效。因此，选配合适的散热器，是元件可靠工作的重要条件之一。 　　1.概念 　　(1)元件工作结温Tj：即元件允许的最高工作温度极限。本参数由制造厂提供，或产品标准强制给出要求。 　　(2)元件的损耗功率P：元件在工作时自身产生的平均稳态功率消耗，定义为平均有效值输出电流与平均有效值电压降的乘积。 　　(3)耗散功率Q：特定散热结构的散热能力。 　　(4)热阻R：

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38655987

  1. 电子测量中的高功率半导体激光器的波长稳定技术

  2. 1. 引言 　　高功率半导体激光器系统作为发展成熟的激光光源，在材料加工和固体激光器泵浦领域具有广泛应用。尽管高功率半导体具备转换效率高、功率高、可靠性强、寿命长、体积小以及成本低等诸多优点，但是光谱亮度相对较差则是一个不容忽视的缺点。半导体激光器bar条典型的光谱带宽大约是3～6nm，而且峰值波长会受工作电流和工作温度的影响而发生漂移。 　　通常，掺钕固体晶体是对其相对较宽的808nm吸收带进行泵浦，标准的半导体激光器系统能很容易地满足808nm泵浦的光谱要。但是在过去几年里，随着半导体激

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：144384
    • 提供者：weixin_38583278

  1. 电源技术中的开关电源转换器高性能碳化硅（SiC）功率半导体器件

  2. 进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作，沿着下述方向，开发与开关电源相关的产品和技术。 　　碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是禁带宽，工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、DNI结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率的半导体开关器件，如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。　　  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：33792
    • 提供者：weixin_38632488

  1. 电源技术中的开关电源功率半导体器件

  2. 在过去的20多年，出现了一些新功率半导体开关器件和功率模块，在如功率MOS-FET，绝缘栅双极晶体管IGBT，碳化硅（SiC）器件等领域都有 了不同程度的新进展（以下未特别注明的MOSFET、IGBT或IGCT等，均是指用硅晶片制成的）。 　　1）功率MOSFET 　　1979年，功率MOSFET场效应晶体管问世。由于它的输入阻抗高、开关速度快和热稳定性好，可以完全代替功率晶体管GTR和中小电流的晶闸管 ，使电力电子电路如开关电源实现高频化成为可能。其电压电流定额已经达到了500V/240

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：77824
    • 提供者：weixin_38609720
« 12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 »