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功率器件的散热计算及散热器选择
功率器件的散热计算及散热器选择
所属分类:
机器学习
发布日期:2017-06-16
文件大小:18mb
提供者:
qdlysports
模拟功率器件型号速查手册
瑞萨公司的模拟功率器件型号速查手册,包括二极管三极管,接口IC等
所属分类:
硬件开发
发布日期:2018-03-09
文件大小:3mb
提供者:
wuxiaoluo
矿用隔爆型变频器功率器件热损计算及散热设计
提出了一种适用于矿用隔爆型变频器功率器件热损的计算方法,为矿用隔爆型变频器散热系统的设计提供了理论依据。同时针对矿用变频器的特殊性,设计了一种热管散热器配间歇性风冷的散热系统,通过理论计算及实验结果对比证明此方法实用可行。
所属分类:
其它
发布日期:2020-05-12
文件大小:442kb
提供者:
weixin_38647925
有源箝位型三电平变频器功率器件损耗分析
针对传统中点箝位型三电平变频器运行过程中存在功率器件损耗分布不均匀问题,介绍了有源箝位型三电平拓扑的工作原理和基本调制策略,分析了有源箝位型三电平变频器的损耗特性。有源箝位型三电平拓扑使用双向功率器件取代传统中点箝位型三电平中的箝位二极管,通过选择恰当的零电压状态组合,可实现功率器件损耗均衡的目的。仿真结果表明,在各种典型工作状态下,相比于中点箝位型三电平拓扑,有源箝位型拓扑可更好地平衡功率器件内外管损耗,提升了变频器容量。
所属分类:
其它
发布日期:2020-05-09
文件大小:629kb
提供者:
weixin_38616809
威柏电子通用变频器功率器件解决方案.pdf
威柏电子通用变频器功率器件解决方案pdf,威柏电子通用变频器功率器件解决方案
所属分类:
其它
发布日期:2019-10-13
文件大小:789kb
提供者:
weixin_38744270
电子设备中高功率器件的强迫风冷散热设计资料.rar
电子设备中高功率器件的强迫风冷散热设计资料rar,电子设备中高功率器件的强迫风冷散热设计资料
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-19
文件大小:98kb
提供者:
weixin_38744153
高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究
高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究
所属分类:
其它
发布日期:2014-05-28
文件大小:259kb
提供者:
pangzhipengnum1
功率器件热设计\功率器件热设计及散热器的优化设计
功率器件热设计\功率器件热设计及散热器的优化设计
所属分类:
硬件开发
发布日期:2012-09-25
文件大小:235kb
提供者:
jams2607
功率器件热设计及散热计算
功率器件热设计及散热计算,对您应该有帮助
所属分类:
硬件开发
发布日期:2012-08-03
文件大小:71kb
提供者:
zhaolei8_8
电子设备中高功率器件的强迫风冷散热设计
:针对电子设备中高功率器件的热设计问题,介绍了一种实用的强迫风冷散热设计方法。并以某 发射机的强迫风冷散热设计为例,详细阐述了此方法的设计计算过程,给出了强迫风冷系统合理的设计 结果。
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-12-08
文件大小:137kb
提供者:
ninefly
功率器件MOSFET开关过程大揭秘
功率器件MOSFET作为一种在开关电源新产品研发过程中不可或缺的重要元件,历来是新人工程师开始接触电源设计时的学习重点之一,而弄清楚MOSFET的导通和关断过程则是重中之重。本文将会就功率MOSFET的导通和关断过程进行详细分析和总结。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-23
文件大小:66kb
提供者:
weixin_38737635
论功率器件与雾霾的关系
在环境问题日益突出,可再生能源不断耗尽的大背景下,绿色能源及高能效成为了当今社会主流趋势,功率器件作为决定产品能效的重要半导体元件,其技术发展相当引人关注,而中国功率器件市场由于中国政府大项目的带动,有蓬勃发展的势头。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-22
文件大小:77kb
提供者:
weixin_38499336
完全自保护MOSFET功率器件分析
为了提高系统可靠性并降低保修成本,设计人员在功率器件中加入故障保护电路,以免器件发生故障,避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现,但是在更多情况下,设计人员使用完全自保护的MOSFET功率器件来完成。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-21
文件大小:86kb
提供者:
weixin_38702417
【功率器件心得分享】+GaN与SiC新型功率器件
1 GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料,由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,与刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC 功率器件在 C 波段
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-18
文件大小:65kb
提供者:
weixin_38665804
功率器件心得——功率MOSFET心得
功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此,要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载,带载能力要强。 功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-18
文件大小:77kb
提供者:
weixin_38722329
关于功率器件的保护方法
目前用于电子产品和自动化电子控制设备及功率半导体器件的保护方法有保险丝法、检测主电路法、检测功率器件工作电流法、并联式检测功率器件电压法和并联式监测工作压降法。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-02
文件大小:64kb
提供者:
weixin_38697471
功率器件热设计及散热计算
通过功率器件发热原理的分析和散热计算,可以指导设计散热方式和散热器的选择,保证了功率器件工作在安全的温度范围内,减少了质量问题,提高了电子产品的可靠性。本文我们主要介绍功率器件的设计及散热计算。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-12
文件大小:97kb
提供者:
weixin_38713099
元器件应用中的完全自保护MOSFET功率器件分析
为了提高系统可靠性并降低保修成本,设计人员在功率器件中加入故障保护电路,以免器件发生故障,避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现,但是在更多情况下,设计人员使用完全自保护的MOSFET功率器件来完成。 图1显示了完全自保护MOSFET的一般拓扑结构。这些器件常见的其他特性包括状态指示、数字输入、差分输入和过压及欠压切断。高端配置包括片上电荷泵功能。但是,大多数器件都具备三个电路模块,即电流限制、温度限制和漏-源过压箝制,为器件提供大部分的保护。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:120kb
提供者:
weixin_38610573
元器件应用中的功率器件心得——功率MOSFET心得
功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此,要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载,带载能力要强。 功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-15
文件大小:81kb
提供者:
weixin_38747566
智能功率器件的原理与应用
目前,功率器件正朝着集成化、智能化和模块化的方向发展。智能功率器件为机电一体化设备中弱电与强电的连接提供了理想的接口。介绍了智能功率器件的特点、产品分类、工作原理及典型应用。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-23
文件大小:194kb
提供者:
weixin_38711778
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