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  1. 达林顿管相关资料简介

  2. 电机驱动电路 达林顿功率管 H桥驱动电机

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-08-02
    • 文件大小：19kb
    • 提供者：caoyaocaoyao1

  1. MOS功率管微芯官方资料

  2. MOS功率管微芯官方资料 .MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配设计。作者： Jamie Dunn Microchip Technology Inc.

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-12-09
    • 文件大小：353kb
    • 提供者：woailuo2000652

  1. 一种射频功率管的输入输出阻抗测量方法

  2. 在设计射频放大电路的工作中，一般都要涉及到输入输出阻抗匹配的问题，而匹配网络的设计是解决问题的关键，如果知道网络设计需要的阻抗，那么就可以 利用射频电路设计软件(如RFSim99)自动设计出匹配网络，非常方便。一般在阻抗匹配要求不很严格的情况下，或者只关心其他指标的情况下，可以对器件 的输入输出阻抗作近似估计(有时器件参数的分散性也要求这样)，只要设计误差不大就可行。但是在射频功率放大器的设计中，推动级和末级功率输出的设计必须 要提高功率增益和高效率，这时知道推动级和功率输出级的输入输出阻抗就

  3. 所属分类：网络基础

    • 发布日期：2010-04-06
    • 文件大小：288kb
    • 提供者：walkman999

  1. 功率晶体管和开关二极管的应用技巧.rar

  2. 功率晶体管和开关二极管的应用技巧功率晶体管和开关二极管的应用技巧.rar

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-04-30
    • 文件大小：4mb
    • 提供者：zhulongzhulong

  1. MOSFET开关功率管扫盲

  2. 开关功率管扫盲，MOSFET 及MOSFET驱动电路基础的一点总结，非本人原创

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-06-28
    • 文件大小：240kb
    • 提供者：xyyouc

  1. 飞思卡尔功率管MRF9045N的ADS模型库

  2. design kit 支持ads2009及以上版本 飞思卡尔功率管MRF9045N的模型库

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-05-18
    • 文件大小：15mb
    • 提供者：sby_jack

  1. 三极管,场效应管参数大全

  2. 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2008-09-15
    • 文件大小：206kb
    • 提供者：noraml

  1. 飞思卡尔功率管MRF9045N的模型库

  2. 飞思卡尔LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor） 功率管 MRF9045N模型 用于ADS的功率放大器的仿真。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2015-08-31
    • 文件大小：15mb
    • 提供者：wd20092230223

  1. 功率器件的散热计算及散热器选择

  2. 功率管是电路中最容易受到损坏的器件.损坏的大部分原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值.那么它的额定功 耗值是怎样确定的,还有没有潜力可挖呢?让我们来分析一下. 晶体管耗散功率的大小取决于管子内部结温 Tj. 当 Tj 超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧毁.硅管允许结温一般 是 125~200℃,锗管为 85℃左右(具体标准在产品手册中给出). .管子消耗的功率越大,结温越高.要保证结温不超过允许值,就必须将产生热散发出去.散热条件越好,则对应于相同 结温允许的管耗越大,输出也就越大

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2018-07-23
    • 文件大小：18mb
    • 提供者：dragonliu007

  1. ADS2011攻放章节功率管模型MRF8P9040N

  2. ADS2011攻放章节功率管模型MRF8P9040N，NXP官网可下载

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-02-11
    • 文件大小：22mb
    • 提供者：xd_ljp

  1. 功率管与三极管的区别是什么

  2. 本文主要是关于三极管的相关介绍，并着重对三极管和功率管进行了详尽的对比分析。 三极管 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 什么是三极管 ［1］

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：124kb
    • 提供者：weixin_38715831

  1. 线性电源单片机运行主功率管烧毁的解决

  2. 在本文中，小编将为大家介绍在一款线性电源当中，当输出为5V单片机供电时，主功率管为何会损坏的问题。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-22
    • 文件大小：43kb
    • 提供者：weixin_38562392

  1. 一种射频功率管的输入输出阻抗测量方法

  2. 下面介绍一种用普通测量仪器测量射频功率管在实际工作条件下的输入输出阻抗的方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-30
    • 文件大小：90kb
    • 提供者：weixin_38658564

  1. 40V 2A LM317外加功率管稳压电源

  2. 本文介绍了40V 2A LM317外加功率管稳压电源

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-29
    • 文件大小：27kb
    • 提供者：weixin_38743054

  1. 理解功率管MOSFET的RDS

  2. 本资源主要通过讲解MOSFET管的RDS的温度特性，纠正对MOS管的一些认识上误区

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-03-16
    • 文件大小：229kb
    • 提供者：luckmoon112

  1. 射频功率管的输入输出阻抗测量方法

  2. 有时候为了降低产品的功耗，必须设计出匹配良好和高效率的射频功率放大器，这时就有必要测量功率管在特定工作条件下的输入输出阻抗。在测定的过程中，首选的仪器是昂贵的网络分析仪，但是在不具备网络分析仪的情况下，可以寻求用普通的仪器(如示波器、阻抗测试仪等)进行测量。下面介绍一种用普通测量仪器测量射频功率管在实际工作条件下的输入输出阻抗的方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：225kb
    • 提供者：weixin_38724370

  1. 显示/光电技术中的节能灯功率管失效机理分析

  2. 1引言 　　节能灯作为一种环保型的电源，在全世界得到了广泛的应用，国内节能灯的生产更是一枝独秀。作为节能灯（包括电子镇流器）的重要部件，大功率开关三极管的质量对节能灯的质量和寿命起着关键的作用。目前市场上除了仙童、ST等几个进口品牌外，国内的节能灯功率管质量都不够稳定。本文就大功率开关三极管在节能灯应用中的失效机理作出分析，并对影响失效的因素进行探讨。 　　2失效模式 　　节能灯损坏、寿命短的主要原因是大功率开关三极管的失效。通过对失效功率管的解剖分析，绝大多数失效管属发射结烧毁短路。用显微镜观

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：85kb
    • 提供者：weixin_38609002

  1. 基础电子中的中／高频／低频小功率管

  2. 通常把集电极耗散功率小于lW的三极管称为中、小功率三极管。中、小功率三极管的种类很多，外形各异，但体积不是很大。中、小功率三极管的实物外形如图所示。                                                             图:中、小功率三极管实物外形　　特征频率f(T)大于3MHz的称为高频小功率三极管，特征频率f(T)小于3MHz的称为低频小功率三极管。　　高频小功率管多用于高频放大电路，混频电路，高频震荡电路等。如电视机、收录机的高频电路等。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：86kb
    • 提供者：weixin_38678022

  1. RFID技术中的中外射频功率管参数及互换表

  2. 型号 工作频率（MHZ） 额定输出功率（W） 极限工作电压（V） 额定工作电流（mA） 代换型号 MRF5812 5G 2 20 200   A-238 1G 5 36 800   D10-P 1.1G 11 30 1A   C1959 300 0.5 30 1A

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：39kb
    • 提供者：weixin_38512659

  1. 意法半导体推出全新VIPower:trade_mark:MOSFET功率管

  2. 电路发生故障或异常，随着电流不断升高，并且电流升高有可能损坏电路中的某些重要器件或贵重器件，也可能烧毁电路甚至造成火灾。电路中正确地安置了熔断器，熔断器就会在电流异常升高到一定的高度和一定的时候，自身熔断切断电流，从而起到保护电路安全运行的作用。 　　意法半导体STEF01可编程电子熔断器集成低导通电阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管，在8V到48V的宽输入电压范围内，能够维持高达4A的连续电流，并且插入损耗低，将动作快速的过载保护的优势延续到额定功率更高的应用产品。 　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：174kb
    • 提供者：weixin_38735570
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