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搜索资源列表

  1. TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用

  2. 介绍了功率器件驱动模块TLP250的结构和使用方法,给出了其与功率MOSFET和DSP控制器接口的硬件电路图。在阐述IRF840功率MOSFET的开关特性的基础上,设计了吸收回路。最后结合直流斩波调速技术,设计了基于TMS320LF2407 DSP的直流电动机全数字闭环调速系统,并给出了实验结果。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-11-04
    • 文件大小：120kb
    • 提供者：ruoxi1001

  1. 开关电源毕业设计毕业论文

  2. 本文介绍一种以KA3525作为控制核心，根据KA3525的应用特点，设计了一种基于该电流型PWM控制芯片、实现输出电压可调的开关稳压电源电路。开关电源是利用现代电子技术，控制开关晶体管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）和MOSFET构成。开关电源和线性电源相比，二者的成本都随着输出功率的增加而增长，但二者增长速率各异。开关电源比普通的线性电源效率高，开关电源的发展与应用在节约能源、节约资源及保护环境方面都具有重要的意义。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-05-27
    • 文件大小：627kb
    • 提供者：liujing3320254

  1. 功率MOSFET介绍与应用

  2. 详细介绍了功率MOSFET的特性，应用及注意事项

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-03-27
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：tyzzd

  1. 新型MOSFET在升压变换器中减少开关损耗的解决方案

  2. 在开关电源设计中，效率是一个关键性的参数。输入和输出滤波电容器、变压器磁芯的几何图形与特性及开关器件等，都会影响系统的效率。为减小滤波电容和磁性元件的尺寸，开关电源的频率在不断提高。因此，功率器件的开关损耗在整个系统损耗中占有更大的比重。本文回顾了升压型变换器的基本工作原理，作为QFET的一个应用实例，介绍了FQP10N20型QFET在70W彩色监视器升压变换器电源中作为开关使用的优点。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：55kb
    • 提供者：weixin_38594252

  1. 电源技术中的分析TOPSwitch GX关电源的设计与应用

  2. 摘要：TOPSwitch-GX器件是一种PWM/MOSFET二合一的新型集成芯片，它采用与TOPSwitch相同的电路，扩展了TOPSwitch系列的功率范围，还集成了多项新功能。介绍了一种用TOP249Y设计的封闭式电源，使用了TOPSwitch-GX的线路检测功能和外部限流功能，设计新颖，具有一定的实用性。 　　从20世纪70年代以来，大规模集成电路技术的迅速发展，使开关电源有了质的飞跃，掀起了电源产品高频化、小型化、模块化的浪潮。对于200W以下的开关电源，与其它电路相比，应用TOPSwi

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：256kb
    • 提供者：weixin_38646645

  1. MOSFET的选型及应用概览

  2. MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用MOSFET产品的行业在近几年来得到了快速的发展，功率MOSFET更是备受关注。本期半月谈将会从基础开始，探讨MOSFET的一些基础知识，包括选型、关键参数的介绍、系统和散热的考虑等等；最后还会就一些最常见的热门应用为大家做一些介绍。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：443kb
    • 提供者：weixin_38749305

  1. 基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

  2. 导读：介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。 　　1.概述 　　功率MOSFET最初是从MOS集成电路发展起来的，它通过增加源漏横向距离提高器件耐压，从而实现集成电路中高压驱动[1].功率MOSFET已大量应用于电力电子，消费电子、汽车电子和水声工程等领域。虽然功率MOSFET具有效率高、结构简单、便于数字化控制等优点，但是其采用的电力电子器件对过压过流的承受能力较差

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：440kb
    • 提供者：weixin_38714509

  1. 5.0到6.5W的以太网供电DC／DC转换器设计介绍

  2. 本文介绍了一种采用安森美公司NCP1031系列单片高压开关稳压器(带内部MOSFET)的以太网供电(PoE)解决方案。这篇应用指南详细说明了如何构建低价高效、输出功率达5.0到6.5W的5.0V直流电源(输出功率取决于转换模式-详见下文所述的直流/直流转换器工作原理)，其中还包含了与响应PoE检测和分类协议相关的输入电路。安森美公司可以根据用户要求提供相关电路的示范PCB。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-26
    • 文件大小：218kb
    • 提供者：weixin_38722874

  1. 电源技术中的5.0-6.5W以太网供电DC/DC转换器应用设计技巧

  2. 本文介绍了一种采用安森美公司NCP1031系列单片高压开关稳压器(带内部MOSFET)的以太网供电(PoE)解决方案。这篇应用指南详细说明了如何构建低价高效、输出功率达5.0到6.5W的5.0V直流电源(输出功率取决于转换模式-详见下文所述的直流/直流转换器工作原理)，其中还包含了与响应PoE检测和分类协议相关的输入电路。安森美公司可以根据用户要求提供相关电路的示范PCB。 　　PoE背景介绍 　　作为IEEE802.3AF标准，如今通过以太网数据传输线向以太网通信设备馈电已经成为现实，只要

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：257kb
    • 提供者：weixin_38688820

  1. 电源技术中的5.0到6.5W的以太网供电DC/DC转换器设计介绍

  2. 本文介绍了一种采用安森美公司NCP1031系列单片高压开关稳压器(带内部MOSFET)的以太网供电(PoE)解决方案。这篇应用指南详细说明了如何构建低价高效、输出功率达5.0到6.5W的5.0V直流电源(输出功率取决于转换模式-详见下文所述的直流/直流转换器工作原理)，其中还包含了与响应PoE检测和分类协议相关的输入电路。安森美公司可以根据用户要求提供相关电路的示范PCB。 　　PoE背景介绍 　　作为IEEE802.3AF标准，如今通过以太网数据传输线向以太网通信设备馈电已经成为现实，只要

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：261kb
    • 提供者：weixin_38602982

  1. 电源技术中的安森美推出小封装功率MOSFET 散热特性面向便携式产品

  2. 为了满足业界对更小巧轻薄、更快速、散热更好及性能更可靠的便携式应用MOSFET器件的需求，安森美半导体　　(ON Semiconductor)日前推出具备良好效能与设计灵活度的功率MOSFET产品μCool系列，首批推出的六款μCool器件采用强化散热的超小型WDFN6封装。 　　据介绍，新推出的六款μCool产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在4平方毫米面积上取得良好的热阻(38℃/W)与额定功率(1.9W)，额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了190%，比SD-70-6扁平引脚封装提

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：70kb
    • 提供者：weixin_38722464

  1. Zetex新款MOSFET使D类音频放大器输出效率达90％..

  2. ZetexSemiconductors日前推出ZXM N/P 7系列沟道MOSFET，提供D类输出级所需的高效率、良好的散热效果及音频复制功能。这些N及P信道器件的额定电压为70V，设有SOT223和DPAK封装，能在平面电视、5.1环回立体声系统等功率更高的音频应用中实现安全可靠的操作。各款器件皆可适配采用互补性或全N信道MOSFET配置的单端及桥接式负载输出级。       据介绍，ZXM N/P 7系列MOSFET具有更高的漏源电压，相比于60V零件，能为设计人员提供额外空间，适应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：62kb
    • 提供者：weixin_38712416

  1. 模拟技术中的满足开关电源要求的功率MOSFET

  2. 近年来，电源的输出电压越来越低、输出电流越来越大（某些电源系统输出几十安培到上百安培）。因此，电源设计中采用开关电源控制器、加上多个驱动器及功率 MOSFET组成的多相开关电源能满足这种要求。若采用多相控制器与功率MOSFET组成的结构，应用十分灵活，可以根据输出电流的大小合理选择开关管及同步整流管，并且可获得很好的转模效率及低的纹波电压。 　　为减少在工作频率高时的开关管损耗，要求开关管的栅极电容小、导通电阻小；并且要求输出漏极电流大，不少功率MOSFET厂家纷纷开发出各种低Qg、低RDS(

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：190kb
    • 提供者：weixin_38663837

  1. 模拟技术中的场效应晶体管介绍

  2. 场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：30kb
    • 提供者：weixin_38608866

  1. 电源技术中的德州仪器高性能模拟电源控制产品系列介绍集锦

  2. TPS2049单通道100ma功率开关 TPS2049 功率分配开关适用于可能出现较高容性负载与短路情况的应用。该器件采用 600mΩ N 通道 MOSFET 功率开关，适用于只需一个电源分配路径的电源分配系统。该开关由一个逻辑使能输入端控制。内部充电泵提供栅极驱动，以控制功率转换的上升时间与下降时间，从而最小化开关期间的电流突波。充电泵无需外部组件，即可在低至 2.7V 的电源电压下工作。 如果输出负载超过限流阈值或出现短路，则器件会切换至恒流模式，将过流 (OC) 逻辑输出端电平拉低，从而将

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：90kb
    • 提供者：weixin_38670297

  1. 适用于小功率电机驱动系统的MOSFET逆变模块

  2. 摘要本文介绍新型的MOSFET逆变模块，用于驱动风扇和水泵中的小型直流无刷电机。这种功率模块集成了6个MOSFET和相应的高压栅极驱动电路 (HVIC)。通过使用专门设计的MOSFET和HVIC，该模块能提供最小的功耗和最佳的电磁兼容 (EMC) 特性。本文将探讨这种逆变模块在电机驱动应用中所涉及的封装设计、MOSFET和HVIC，并着重讨论其中的功率损耗、电磁干扰和噪声问题。电气设计 ; 对于小型电机驱动系统，MOSFET在功耗、成本和性能方面较其它功率开关管更具优势。MOSFET的正向特征电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：111kb
    • 提供者：weixin_38666300

  1. TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用(图)

  2. 摘 要：介绍了功率器件驱动模块TLP250的结构和使用方法，给出了其与功率MOSFET和DSP控制器接口的硬件电路图。在阐述IRF840功率MOSFET的开关特性的基础上，设计了吸收回路。最后结合直流斩波调速技术，设计了基于TMS320LF2407 DSP的直流电动机全数字闭环调速系统，并给出了实验结果。关键词：TLP250；IRF840 MOSFET；吸收回路；直流斩波；DSP 引言---功率集成电路驱动模块是微电子技术和电力电子技术相结合的产物，其基本功能是使动力和信息合一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：102kb
    • 提供者：weixin_38733787

  1. TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用

  2. 摘 要：介绍了功率器件驱动模块TLP250的结构和使用方法，给出了其与功率MOSFET和DSP控制器接口的硬件电路图。在阐述IRF840功率MOSFET的开关特性的基础上，设计了吸收回路。最后结合直流斩波调速技术，设计了基于TMS320LF2407 DSP的直流电动机全数字闭环调速系统，并给出了实验结果。关键词：TLP250；IRF840 MOSFET；吸收回路；直流斩波；DSP 引言---功率集成电路驱动模块是微电子技术和电力电子技术相结合的产物，其基本功能是使动力和信息合一，成为机和电的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：94kb
    • 提供者：weixin_38638163

  1. TOPSwitch器件在电源中的应用

  2. 摘要：采用PWM控制器和MOSFET功率开关一体化的集成控制芯片是新一代开关电源设计的重要特点和趋势。本文介绍美国功率集成公司（PowerIntegrationsInc.）于九十年代中期研制推出的三端PWM/MOSFET二合一集成控制器件TOPSwitch系列及其在开关电源设计中的应用，同时介绍如何应用EXCEL电子表格设计与TOPSwitch相匹配的高频功率变压器的程序。1引言　　MOSFET功率开关、PWM控制器和高频功率变压器是开关电源必不可少的组成部分。其中，特别是PWM控制器和变压器的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：181kb
    • 提供者：weixin_38628990

  1. 基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

  2. 导读：介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。 　　1.概述 　　功率MOSFET初是从MOS集成电路发展起来的，它通过增加源漏横向距离提高器件耐压，从而实现集成电路中高压驱动[1].功率MOSFET已大量应用于电力电子，消费电子、汽车电子和水声工程等领域。虽然功率MOSFET具有效率高、结构简单、便于数字化控制等优点，但是其采用的电力电子器件对过压过流的承受能力较差，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：431kb
    • 提供者：weixin_38722164
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