注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 功率MOSFET的结构和工作原理.pdf

  2. 摘要：文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性，并对动态特性的改进进行了论述，简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词：MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-03-10
    • 文件大小：290kb
    • 提供者：swzhahaha

  1. 功率MOSFET的结构与特点

  2. 本文详尽讲述了 MOSFET 的几个基本要点 及使用规范，尤其在做BLDC 控制器开发的软件人员适合阅读，有助于提高代码可靠性。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2015-05-15
    • 文件大小：413kb
    • 提供者：brightqys

  1. MOSFET结构及其工作原理详解

  2. 1.概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Stat

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：274kb
    • 提供者：weixin_38507208

  1. 功率MOSFET的结构,工作原理及应用

  2. 本文将介绍功率MOSFET(场效应管)的结构、工作原理及基本工作电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-21
    • 文件大小：80kb
    • 提供者：weixin_38545923

  1. 功率MOSFET基础知识

  2. 文化脏主要介绍什么是功率MOSFET及MOSFET的结构。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-29
    • 文件大小：116kb
    • 提供者：weixin_38600432

  1. 降压式DC/DC转换器的MOSFET选择

  2. 同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路,但用户的使用条件经常与典型应用电路不同,要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-11
    • 文件大小：198kb
    • 提供者：weixin_38672807

  1. 电源技术中的功率MOSFET在正激式驱动电路中的应用简析

  2. 功率MOSFET在目前一些大功率电源的产品设计中得到了广泛的应用，此前本文曾经就几种常见的MOSFET电路设计类型进行了简单总结和介绍。在今天的文章中，本文将会就这一功率器件的另一种应用方式，即有隔离变压器存在的互补驱动电路，进行简要分析。     有隔离变压器的互补驱动电路作为一种比较常见的驱动电路形式，在目前的家电产品设计中应用较多，其典型电路结构如图1(a)所示。在图1(a)所给出的电路结构中，V1、V2为互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：97kb
    • 提供者：weixin_38602982

  1. 元器件应用中的MOSFET的驱动保护电路的设计与应用

  2. 摘要：率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配；设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。 　　功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种多数载流子导电的单极型电压控制器件，具有开关

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：238kb
    • 提供者：weixin_38580959

  1. 元器件应用中的常用功率器件MOSFET的基础知识介绍

  2. 我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向；我们不能对其编程以通过或屏蔽一个信号。对于诸如“流控制”或可编程开关之类的应用，我们需要一种三端器件和双极型三极管。我们都听说过Bardeen & Brattain,是他们偶然之间发明了三极管，就像许多其它伟大的发现一样。 　　结构上，它由两个背靠背的结实现（这不是一笔大交易，早在Bardeen之前，我们可能就是采用相同的结构实现了共阴极），但是，在功能上它是完全不

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：206kb
    • 提供者：weixin_38554186

  1. 电源技术中的基于功率MOSFET的锂电池保护电路设计

  2. 铅酸电池具有安全、便宜、易维护的特点，因此目前仍然广泛的应用于电动自行车。但是铅酸电池污染大、笨重、循环次数少，随着世界各国对环保要求越来越高，铅酸电池的使用会越来越受到限制。磷酸铁锂电池作为一种新型的环保电池，开始逐步的应用到电动车中，并且将成为发展趋势。通常，由于磷酸铁锂电池的特性，在应用中需要对其充放电过程进行保护，以免过充过放或过热，以保证电池安全的工作。短路保护是放电过程中一种极端恶劣的工作条件，本文将介绍功率MOSFET在这种工作状态的特点，以及如何选取功率MOSFET型号和设计合适

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：227kb
    • 提供者：weixin_38689113

  1. 降压式DC/DC转换器的MOSFET选择

  2. 同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路，但用户的使用条件经常与典型应用电路不同，要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：201kb
    • 提供者：weixin_38678773

  1. RF功率MOSFET产品及工艺

  2. 本文通过分析RF功率LDMOSFET的性能和结构特征，设计出RF功率LDMOSFET器件结构，通过工艺和器件模拟确定了关键参数，并设计了一套符合6寸芯片生产线的制造工艺流程，对工艺中的难点提出了解决方案。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：95kb
    • 提供者：weixin_38677808

  1. 元器件应用中的功率MOSFET场效应管的特点

  2. 功率MOS场效应晶体管全称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），简称功率MOSFET，它是一种电压控制器件。根据载流子的性质，MOSFET可分为N沟道和P沟道两种类型，图形符号如图所示。根据导电结构，MOSFET有垂直导电结构与横向导电结构，而功率MOSFET几乎都是由垂直导电结构组成的，这种晶体管称为VMOSFET。 　　(a)N沟道类型：(b)P沟道类型 　　图 功率MOSF

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：148kb
    • 提供者：weixin_38698943

  1. 工业电子中的永磁无刷直流电机的结构

  2. 众所周知，有刷直流电机具有旋转的电枢和固定的磁场，因此有刷直流电机必须有一个滑动的接触机构——电刷和换向器，通过它们把电流馈给旋转着的电枢。无刷直流电机却与有刷直流电机相反，它具有旋转的磁场和固定的电枢。这样，电子换相线路中的功率开关器件，如晶闸管、晶体管、功率MOSFET或ICBT（绝缘栅双极型晶体管）等可直接与电枢绕组连接。在电机内，装有一个转子位置传感器，用来检测转子在运行过程中的位置。它与电子换相线路 　　图1 无刷直流电机组成框图 　　一起，替代了有刷直流电机的机械换向装置。综

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：137kb
    • 提供者：weixin_38706782

  1. 模拟技术中的满足开关电源要求的功率MOSFET

  2. 近年来，电源的输出电压越来越低、输出电流越来越大（某些电源系统输出几十安培到上百安培）。因此，电源设计中采用开关电源控制器、加上多个驱动器及功率 MOSFET组成的多相开关电源能满足这种要求。若采用多相控制器与功率MOSFET组成的结构，应用十分灵活，可以根据输出电流的大小合理选择开关管及同步整流管，并且可获得很好的转模效率及低的纹波电压。 　　为减少在工作频率高时的开关管损耗，要求开关管的栅极电容小、导通电阻小；并且要求输出漏极电流大，不少功率MOSFET厂家纷纷开发出各种低Qg、低RDS(

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：190kb
    • 提供者：weixin_38663837

  1. 电源技术中的ST推出微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效

  2. 意法半导体(ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 　　ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻Rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：59kb
    • 提供者：weixin_38688956

  1. 元器件应用中的ST推出微欧功率MOSFET晶体管提高并联服务器电源的能效

  2. 意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 　　ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻Rds(on) 极低，只有800微欧 (0.8毫欧)，为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：38kb
    • 提供者：weixin_38618784

  1. 元器件应用中的意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L

  2. 意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 　　ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻Rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：38kb
    • 提供者：weixin_38638312

  1. 元器件应用中的功率MOSFET的基本知识

  2. 自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率MOSFET(如Siliconix最近开发的厚度为1.5mm“Little Foot系列)。另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC／DC变换器、DC／

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：89kb
    • 提供者：weixin_38614462

  1. 用于SOI功率MOSFET的新型接口栅极结构可降低特定的导通电阻

  2. 用于SOI功率MOSFET的新型接口栅极结构可降低特定的导通电阻

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-07
    • 文件大小：886kb
    • 提供者：weixin_38618784
« 12 3 4 5 6 7 8 9 10 »