针对非晶硅薄膜沉积时金字塔沟壑处容易出现外延生长的问题，采用化学抛光液CP133对硅片表面进行了抛光处理。研究结果表明，抛光使得金字塔底部区域形貌由“V”型变成了“U”型，明显改善了非晶硅/晶体硅界面的钝化效果。抛光溶液温度低于30 ℃时难以发挥腐蚀作用，但当溶液的起始温度升高至35 ℃时，获得了较好的抛光效果。采用质量分数为1%的NaOH溶液制绒且抛光时间为30 s时，太阳电池性能较佳。