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  1. 多层布线技术

  2. 多层布线技术基础 LSI的布线结构 金属膜 层间介质膜 化学机械抛光（CMP）

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2014-01-18
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：dai260324

  1. 显示/光电技术中的基片的SOl背部刻蚀和键合

  2. 将两种亲水表面（如二氧化硅）紧密接触可以形成很强的键合。这种现象使BESOI法在20世纪70年代就发展起来了。 　　BESQI的制作分如下三个步骤：（1）氧化两个基片，为键合做准备；（2）化学键合两个氧化基片；（3）减薄其中一个基片。 　　键合化学法较复杂，这里就不详述了。在一般情况下，首先在室温下进行初步键合，然后再在1100℃的高温下增加键合强度。 　　硅片减薄有几种不同的工艺，最通常的是化学机械抛光（CMP），这是微电子领域广泛应用的一种基片平坦化方法。但其平坦度不高，通常表层硅为1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：67kb
    • 提供者：weixin_38747566

  1. 化学机械研抛光技术(CMP)

  2. 化学机械研磨技术（化学机械抛光， CMP）兼具有研磨性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用，可以使晶圆表面达到全面性的平坦化，以利后续薄膜沉积之进行。 在CMP制程的硬设备中，研磨头被用来将晶圆压在研磨垫上并带动晶圆旋转，至于研磨垫则以相反的方向旋转。在进行研磨时，由研磨颗粒所构成的研浆会被置于晶圆与研磨垫间。影响CMP制程的变量包括有：研磨头所施的压力与晶圆的平坦度、晶圆与研磨垫的旋转速度、研浆与研磨颗粒的化学成份、温度、以及研磨垫的材质与磨损性等等。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：27kb
    • 提供者：weixin_38682518

  1. 化学机械抛光（CMP）

  2. 最终的抛光步骤是一个化学腐蚀和机械磨擦的结合。晶圆装在旋转的抛光头上，下降到抛光垫的表面以相反的方向旋转。抛光垫材料通常是有填充物的聚亚安酯铸件切片或聚氨酯涂层的无纺布。二氧化硅抛光液悬浮在适度的含氢氧化钾或氨水的腐蚀液中，滴到抛光垫上。 碱性抛光液在晶圆表面生成一薄层二氧化硅。抛光垫机以持续的机械磨擦作用去除氧化物，晶圆表面的高点被去除掉，直到获得特别平整的表面。如果一个半导体晶圆的表面扩大到10000英尺（飞机场跑道的长度），在总长度中将会有正负2英寸的平整度偏差。 获得极好平整度需要规格和

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：39kb
    • 提供者：weixin_38697753

  1. 具有计量延迟的双EWMA控制器的稳定性和控制性能分析

  2. 本文主要着重于在过程受到一般性干扰时建立具有计量延迟的双指数加权移动平均（d-EWMA）控制器的稳定性条件，并分析其在某些典型过程性干扰下的控制性能。 Routh-Hurwitz标准确定了稳定的必要和充分条件。 研究表明，如果过程增益不匹配大于4/3，则计量延迟将使d-EWMA控制器中两个加权因子的可行区域减小，而计量延迟越大，可行区域越小。 此外，在给定两个加权因子的情况下，发现计量延迟将削弱d-EWMA控制器的鲁棒性。 基于渐近均方误差（AMSE）评估计量延迟对渐近控制性能的影响。 可以基于

  3. 所属分类：其它

  1. 基于3D分析的晶片形貌对化学机械抛光Craft.io影响的建模

  2. 本文研究了化学机械抛光（CMP）过程中由晶片表面形貌引起的去除速率变化基于三维（3D）固体-固体接触模型。 在模型中，晶片形貌的高度是二维为TG（x，y）。 一种在CMP过程中计算晶片与焊盘之间的接触压力P（x，y）的新方法是建议的。 它是由模拟结果发现，当TG（X，Y）被表示为cos的线性组合 广泛的信号可以表示为线性 当3D幅值谱和3D谱图很容易获得接触压力P（x，y） 该系统的相位谱是已知的。 晶片形貌的演变包括两个方波特征， 模拟不同的密度并将其与实验数据进行比较。 这种新方法将有助于建

  3. 所属分类：其它

  1. 基片的SOl背部刻蚀和键合

  2. 将两种亲水表面（如二氧化硅）紧密接触可以形成很强的键合。这种现象使BESOI法在20世纪70年代就发展起来了。 　　BESQI的制作分如下三个步骤：（1）氧化两个基片，为键合做准备；（2）化学键合两个氧化基片；（3）减薄其中一个基片。 　　键合化学法较复杂，这里就不详述了。在一般情况下，首先在室温下进行初步键合，然后再在1100℃的高温下增加键合强度。 　　硅片减薄有几种不同的工艺，通常的是化学机械抛光（CMP），这是微电子领域广泛应用的一种基片平坦化方法。但其平坦度不高，通常表层硅为10

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：79kb
    • 提供者：weixin_38689477