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搜索资源列表

  1. 模拟电子技术基础 课件

  2. 模拟电子技术基础知识一至十章的详细课件：半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性，二极管的结构、伏安特性以及温度对二极管特性的影响等；三极管的结构、输入与输出特性以及温度对三极管特性的影响等；FET的结构原理、输出与转移特性等；放大电路的组成原理、信号传输过程和设置合适Q点的必要性等；BJT的h参数等效模型及放大电路输入电阻、输出电阻与电压放大倍数的计算。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-04-18
    • 文件大小：10mb
    • 提供者：bluekobe

  1. 电子技术--半导体器件.ppt

  2. 了解半导体的特性和导电方式，理解PN结的单向导电特性 了解半导体二极管、三极管的结构 理解二极管的工作原理、伏安特性和主要参数 理解双极型三极管的放大作用、输入和输出特性曲线及主要参数 了解MOS场效应管的伏安特性、主要参数及其与双极型三极管的性能比较

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-06-23
    • 文件大小：373kb
    • 提供者：shwjylyp

  1. 电子技术大纲

  2. 电子技术基础： 一． 模拟电子技术部分 1. 半导体器件 半导体二极管、双极型三极管的特性和主要参数；PN结。 2. 基本放大电路 共射、共集和共基组态放大电路的工作原理；静态工作点；放大倍数、输入电阻和输出电阻的计算。 3. 多级放大电路 直接耦合多级放大电路的工作原理；放大倍数、输入电阻和输出电阻的计算。 4. 负反馈 集成运放构成的反馈放大电路类型、极性判断；负反馈对放大电路性能的影响；深反馈条件下闭环增益的计算；运算放大器的虚短、虚断。 5. 正弦波振荡电路 产生正弦振荡的条件；RC正

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-09-26
    • 文件大小：22kb
    • 提供者：zyh517469688

  1. 压敏电阻的型号及选用方法.pdf

  2. 压敏电阻的型号及选用方法pdf,压敏电阻是一种以氧化锌为主要成份的金属氧化物半导体非线性电阻元件；电阻对电压较敏感，当电压达到一定数值时，电阻迅速导通。由于压敏电阻具有良好的非线特性、通流量大、残压水平低、动作快和无续流等特点。被广泛应用于电子设备防雷。压敏电阻用字母MY"表示,如加]为家用,后面的字母W、G、P、L、H、Z、B、C、N、K分别用于稳压 过压保护、高频电路、防雷、灭弧、消噪、补偿、消磁、高能或高可靠等方面。压敏电阻虽然能吸攻很大 的浪涌电能量,但不能承受毫安级以上的持续电流,在用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：255kb
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 电子基础知识和基本技能

  2. 目 录 第一章 基础知识和基本技能 §1.1 常用仪器的使用与测量练习 §1.1.1 COS-620双踪示波器 §1.1.2 毫伏表 §1.1.3 低频电子仪器使用练习 §1.2 常用电子元器件的认识及简易测试 §1.2.1 电阻器 §1.2.2 电容器 §1.2.3 电感器 §1.2.4 半导体晶体管 §1.2.5 集成电路 §1.3 电路的设计、安装与调试方法 第二章 模拟电子电路实验 §2.1 单管共发射极放大电路实验 §2.2 负反馈放大电路实验 §2.3 基本运算电路

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2012-09-25
    • 文件大小：4mb
    • 提供者：luofu1975

  1. 半导体三极管的技术参数

  2. 半导体三极管除了特性曲线可以表示其特性外，还要用一些技术参数，而且两者可以互相补充，以利于合理地选用半导体三极管。在半导体三极管手册中可以看到以下一些常用的主要技术参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：59kb
    • 提供者：weixin_38695061

  1. 模拟电子技术的重点及难点简析

  2. 模拟电子技术是电气工程及其自动化等的学生必须掌握的一门技术，此课程在培养计划中具有举足轻重的的地位，少年子弟江湖老，如今，走上工作岗位的我们在工作中也许会接触到这些知识，下面就模拟电子技术中的重难点做一些说明。     一、放大电路基础     作为本课程的基础，由于课程刚入门，概念较多，又要初步培养分析、计算能力，因此，必须放慢进度，保证足够的学时。     关于半导体的物理基础部分，因“物理”和“化学”两课中一般都已讲过，本课程不必重复，可从晶体的共价键结构讲起。ＰＮ结是重点内容，要求

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：88kb
    • 提供者：weixin_38706045

  1. 详解半导体分立器件脉冲测试的必要性及相关要求

  2. 本文主要讨论了半导体分立器件参数的脉冲测试技术，在这里我们能了解 脉冲测试的必要性是什么，它的相关标准又是什么，实现脉冲测试的方法又是什么。　　一、脉冲测试的必要性　　半导体分立器件通常包括二极管、三极管、MOS 埸效应管、结型埸效应管、可控硅、光电耦合器等各种器件。在对这些器件进行参数测试时，需要首先使被测试器件满足参数测试规定的测试条件（即进入规定的工作点），同时也要满足规定的测试环境温度，这样所测的数据才有实际的意义。因为所测试的参数既是测试条件的函数，同时也是环境温度的函数。例如三极管的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：153kb
    • 提供者：weixin_38534444