发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。

LED半导体发光二极管工作原理、特性及应用 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。

本文介绍了半导体发光二极管工作的原理特性及应用

（一）ＬＥＤ发光原理 　　发光二极管是由Ⅲ－Ⅳ族化合物，如ＧａＡｓ（砷化镓）、ＧａＰ（磷化镓）、ＧａＡｓＰ（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是ＰＮ结。因此它具有一般Ｐ－Ｎ结的Ｉ－Ｎ特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由Ｎ区注入Ｐ区，空穴由Ｐ区注入Ｎ区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图１所示。 　　假设发光是在Ｐ区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后