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资源分类
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半导体器件物理基础.rar
半导体器件物理基础.rar半导体器件物理基础.rar
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-01-06
文件大小:10mb
提供者:
hn_yz_laojiang
半导体器件物理3章平衡半导体
半导体器件物理3章平衡半导体 IC设计 物理基础知识
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-05-28
文件大小:550kb
提供者:
jasonxzy
半导体器件物理5章半导体P-N结
半导体器件物理5章半导体P-N结 IC设计 物理基础知识
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-05-28
文件大小:308kb
提供者:
jasonxzy
半导体器件基础
半导体器件基础
所属分类:
C/C++
发布日期:2013-10-27
文件大小:1mb
提供者:
frankchen443
半导体器件基础2.
半导体器件基础2.
所属分类:
C/C++
发布日期:2013-10-27
文件大小:1mb
提供者:
frankchen443
半导体器件物理基础【曾树荣】
北大老师编的关于半导体器件物理的书,经典啊!
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-01-06
文件大小:5mb
提供者:
feynmancgz
半导体器件基础 电子元器件
电子元器件基本都是半导体器件,本书解释了半导体器件的原理。
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-02-18
文件大小:332kb
提供者:
renyujie_0214
半导体器件物理学习指导
本学习指导是微电子专业的理论基础课程,内容涵盖了半导体物理基础,PN结,双极半导体器件、。。。光电子器件等。
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-04-05
文件大小:3mb
提供者:
jingmeng1503
半导体器件基础.pdf
半导体器件基础教程,对于半导体从业及其技术指导是重要的参考。
所属分类:
专业指导
发布日期:2019-08-27
文件大小:89mb
提供者:
merlinwhu
半导体器件物理.zip
考研学习半导体器件物理学习资料,里面包含PPt等一些参考学习内容,希望能够帮助大家。里面有半导体器件物理基础概述,1-24个PPT内容完整包括在内
所属分类:
讲义
发布日期:2020-05-21
文件大小:35mb
提供者:
CQQ321
电子工程师必备基础知识手册(五):半导体器件
电子工程师必备基础知识手册(五):半导体器件,半导体基础知识介绍,相关的命名规则和半导体分类以及参数介绍
所属分类:
硬件开发
发布日期:2015-10-27
文件大小:124kb
提供者:
qq_29405873
半导体器件物理
主要讲述半导体器件物理相关基础知识、原理以及应用
所属分类:
专业指导
发布日期:2014-04-28
文件大小:12mb
提供者:
u014771704
半导体器件基础
半导体器件基础,了解相关器件基础知识。内外电场方向相同,空间电荷区变得更加宽,多子根本无法扩散,只有少子在电场力作用下的产生漂移运动,PN结流过极小的电流,PN结不导电。
所属分类:
专业指导
发布日期:2013-12-17
文件大小:3mb
提供者:
u013182309
半导体基础知识简单的半导体器件及其工作原理
本资源介绍了半导体的基础知识,适合大学生使用。
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-10-11
文件大小:3mb
提供者:
qiaozhihua19910415
模拟电路基础(常用半导体器件)课件
第一章 常用半导体器件 含典型例题分析、解题方法、小结
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-09-07
文件大小:2mb
提供者:
azlyx
半导体器件基础
半导体器件基础,很好的,可以多看看 半导体器件基础-R.F.Pierret.pdf
所属分类:
电信
发布日期:2011-11-09
文件大小:27mb
提供者:
yuliguo0
电子元器件基础知识(1)——半导体器件
电子元器件基础知识(1)——半导体器件 一、 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-11
文件大小:122kb
提供者:
weixin_38564598
功率半导体器件的直接均流技术
在认真研究双极注入型功率半导体器件通态特性的基础上,结合装置整机厂的并联技术经验,从器件角度出发,提出了功率半导体器件的直接均流技术,目前,这一技术已得到了成功验证。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:310kb
提供者:
weixin_38608055
基础电子中的生荣电子:半导体器件损坏的特点和检测方法
半导体器件损坏的特点 二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路,其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现:一是热稳定性变差,表现为开机时正常,工作一段时间后,发生软击穿;另一种是PN结的特性变差。(更多半导体相关的产品信息,请点击http://hyg.dzsc.com/model.asp) 半导体器件的检测方法 用万用表R×1k测,各PN结均正常,但上机后不能正常工作,如果用R×10或R×1低量程档测,就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量,较准确的方
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-20
文件大小:32kb
提供者:
weixin_38589168
基础电子中的关于中外半导体器件型号命名方法
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、pin型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:a-n型锗材料、b-p型锗材料、c-n型硅材料、d-p型硅材料。表示三极管时:a-pnp型锗材料、b-npn型锗材料、c-pnp型硅材料、d-npn型硅材料。 第三部分:用
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-12
文件大小:67kb
提供者:
weixin_38593644
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