以解析分析理论为基础,研究矩形横截面Nd∶GdVO4晶体受到具有高斯分布的端面中心入射时,激光晶体温度场分布情况和晶体抽运面热形变分布情况。通过对半导体激光端面入射Nd∶GdVO4激光晶体工作特点分析,建立了符合激光晶体工作状态的热模型,利用热传导方程(泊松方程)的一种新求解方法,得出了矩形截面Nd∶GdVO4晶体的温度场分布和端面热形变场通解表达式,同时对影响激光晶体温度场分布的各种因素进行了定量研究。研究结果表明,当使用输出功率为15 W的半导体激光器端面中心入射Nd∶GdVO4晶体(晶体掺

以解析分析理论为基础,研究圆截面Nd∶GdVO4激光晶体受到具有高斯分布半导体激光端面中心入射时,晶体温度场分布和抽运面热形变分布情况。通过对激光二极管(LD)端面入射晶体工作特点分析,建立了符合实际工作情况的热模型,利用热传导方程新求解方法,得出了圆形截面Nd∶GdVO4晶体温度场分布和端面热形变场通解表达式,对比分析了圆形截面和矩形截面Nd∶GdVO4晶体的热形变。研究结果表明,当使用输出功率为15 W激光二极管端面中心入射Nd∶GdVO4激光晶体时,在抽运端面中心获得187.5 ℃最高温升

在半导体激光端面抽运工作条件下,激光晶体会产生剧烈的热透镜效应。利用532 nm激光作为探测光,观测探测光束通过晶体后的远场图像可以很好地评估热透镜效应程度大小。利用现有的热透镜理论结果建立了光束干涉模型,对远场光环现象进行了解释,并且分析得到了基于远场光环的热焦距计算公式。使用谐振腔稳定性法测量了热透镜焦距,并将测量结果与基于远场光环的热焦距计算结果作对比,验证了光线干涉模型的合理性及计算热焦距公式的准确性。

报道了两种Nd:GdVO

报道了一种可宽温稳定工作的高峰值功率亚纳秒被动调Q的Nd∶GdVO4激光器。激光振荡级采用平凹腔结构，以尾纤耦合半导体激光器端面抽运Nd∶GdVO4晶体，以Cr4+∶YAG作为可饱和吸收体进行被动调Q。在抽运吸收能量为5.9 mJ时，振荡级输出峰值功率为1.5 MW,脉冲宽度为600 ps的脉冲激光，单脉冲能量为0.9 mJ，光-光转换效率为15.4%，光束发散角为1.2 mrad。采用端面抽运的双程放大结构对振荡级输出激光进行放大，最终得到峰值功率为3.5 MW，单脉冲能量为2.1 mJ激光输