半导体的导电能力取决于他们的纯度。完全纯净或本征半导体的导电能力很低，因为他们只含有很少的热运动产生的载流子。某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目。这些掺杂质的半导体能接近金属的导电能力。轻掺杂的半导体可能在每十亿中只有一小部分。由于在硅中杂质的有限的固体溶解性，即使重掺杂的半导体每百万中也只有几百个杂质而已。由于半导体对于杂质的极度敏感性，很难制造真正的本征物质。因此实际上半导体器件几乎都是由掺杂物质制造的。 掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体。假设硅晶体中已掺入少量的磷。磷原子进入了原本该由

均匀掺杂的半导体只有很少的应用。几乎所有的固态器件都是由多个P型和N型区域组合而成。P型和N型区域之间的交界面就被称为PN结，或简单的称为结。 图1.8A中是两片硅。左边是一块P型硅，右边则是一块N型硅。只要他们之间没有接触就没有结。每块硅里都有均匀分布的载流子。P型硅里有大量的多数载流子空穴和一些电子，而N型硅里有大量的多数载流子电子和一些空穴。740)this.width=740" border=undefined>图1.8 硅中载流子在结形成前（A）和形成后（B）的分布。 现在，假设