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半导体光电子器件ppt
半导体光电子器件的课件 主要介绍: 半导体光电子器件物理基础; 半导体光电探测器; 半导体光电池; 半导体电荷耦合器件(CCD); 半导体激光器(LD); 半导体发光二极管(LED)。
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-07-14
文件大小:4mb
提供者:
Vernacular
刘恩科--半导体物理
多个在读太阳能专业的朋友推荐,半导体基础必备
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-08-16
文件大小:9mb
提供者:
moruace
半导体物理(黄昆,韩如琦)
半导体物理最老的书了,介绍的内容比较基础,简单,适合初学者
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-08-20
文件大小:11mb
提供者:
tangshaojun325
大规模集成电路基础课件
北京大学微电子所课件;关于IC界的经典课件,讲述半导体物理基础,集成电路前景,集成电路发展趋势,MOS集成电路,影响集成电路性能的因素等.
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-09-17
文件大小:2mb
提供者:
wege86429
半导体物理基础 PDF版本
南昌大学材料学院资深教授 最新课本 对您有用就下载
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-10-19
文件大小:1mb
提供者:
darson555
半导体器件物理基础.rar
半导体器件物理基础.rar半导体器件物理基础.rar
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-01-06
文件大小:10mb
提供者:
hn_yz_laojiang
半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础半导体器件物理基础
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所属分类:
专业指导
发布日期:2010-01-12
文件大小:5mb
提供者:
Yourwei
半导体物理基础-黄昆
半导体物理基础-黄昆 半导体物理基础-黄昆 半导体物理基础-黄昆
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-03-02
文件大小:6mb
提供者:
ali4711
《半导体物理学》刘恩科、朱秉生版上海科技1-12章课后答案
对半导体的基础理解及课后1-12章课后答案答案,非常实用
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-05-09
文件大小:187kb
提供者:
myw5201314
半导体器件物理3章平衡半导体
半导体器件物理3章平衡半导体 IC设计 物理基础知识
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-05-28
文件大小:550kb
提供者:
jasonxzy
半导体器件物理5章半导体P-N结
半导体器件物理5章半导体P-N结 IC设计 物理基础知识
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-05-28
文件大小:308kb
提供者:
jasonxzy
半导体物理 施敏著 课后答案
学习微电子的同学 半导体是必学的 集成电路的基础 加油喽 专业课呢 很重要
所属分类:
专业指导
发布日期:2012-01-05
文件大小:897kb
提供者:
kanyuecheng
半导体物理
本书全面地论述了半导体物理的基础知识,是一本比较经典的基础课程。
所属分类:
专业指导
发布日期:2014-09-30
文件大小:9mb
提供者:
gzliuuestc
半导体物理课程——PN结
该PPT比较清楚和简要地讲述了PN结的基本原理。PN结作为半导体物理的一个最基础的知识点,对于之后的半导体物理的学习非常重要、
所属分类:
讲义
发布日期:2017-09-22
文件大小:1mb
提供者:
bcalbe
半导体器件物理基础【曾树荣】
北大老师编的关于半导体器件物理的书,经典啊!
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-01-06
文件大小:5mb
提供者:
feynmancgz
半导体器件物理学习指导
本学习指导是微电子专业的理论基础课程,内容涵盖了半导体物理基础,PN结,双极半导体器件、。。。光电子器件等。
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-04-05
文件大小:3mb
提供者:
jingmeng1503
半导体器件物理.zip
考研学习半导体器件物理学习资料,里面包含PPt等一些参考学习内容,希望能够帮助大家。里面有半导体器件物理基础概述,1-24个PPT内容完整包括在内
所属分类:
讲义
发布日期:2020-05-21
文件大小:35mb
提供者:
CQQ321
显示/光电技术中的SEED智能像素器件的物理基础
随着分子束外延(MBE)和金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术的成熟与发展,可以在半导体衬底上均匀生 长原子量级的超薄层田,通过两种半导体材料的交替生长,形成一系列周期性的势垒和势阱,这就是所谓的超晶 格量子阱结构卩引。在量子阱中,由于电子的平均自由程大于势阱的宽度,将产生量子尺寸效应,态密度由体材 料的连续抛物线形变成量子阱中的台阶形,台阶形态密度分布使注入量子阱中电子、空穴能量分布更为集中,大 大提高了注入载流子的利用效率,由于量子阱材料吸收带边比体材料要陡直得多,因而吸收损耗系数至少降
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-13
文件大小:81kb
提供者:
weixin_38625464
半导体制造概述
在电子学中半导体器件已经被使用很久了。在19世纪末期第一个固态整流器就被开发出来了。1907年发明的方铅矿晶体检波器被广泛的用来制作晶体收音机。到1947年,在充分理解半导体物理的基础上,Bardeen和Brattain都制作出了第一只双极型晶体管。1959年,Kilby制作的第一块集成电路,从此揭开了现代半导体制造时代的序幕。 制造大量的可靠的半导体器件的障碍本质上来说主要是技术性而不是科学性的。对于制作材料的严苛的纯净度和精确尺寸的控制的要求使得早期的晶体管和集成电路无法发挥他们应有的潜
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:35kb
提供者:
weixin_38705558
EDA/PLD中的ASIC设计基础
1 介绍 一旦一个设计流片,你便希望它是正确的。时间,金钱还有你的名誉可能会因为ASIC的一个故障而一无所有。这门课程将涵盖流片前所有要做的步骤,这些步骤将会将你第一次流片失败的可能性减到最小,成功率达到最大。这些步骤包括怎样去写设计说明,由上到下的设计,仿真,测试向量生成,还有好的程序练习。 这份报告是针对于那些从事ASIC设计或正准备设计的工程师的。那些从未设计过ASIC的工程师会发现这门课程是非常有益的,那些有经验的设计师会发现这门课程是非常有用的参考书目。 1.1 什么是ASIC
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:99kb
提供者:
weixin_38686267
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