自1960年相继出现了固体、气体等光激射器后，在1962年又在半导体领域，出现了砷化镓电致发光和激光二极管。这种器件的结构是一小片(大约十分之几毫米到2毫米长，百分之几毫米到十分之几毫米宽和厚)一定质量的砷化镓单晶体，经过扩散等方法,将杂质(如锌）引入，形成Ρ-Ν结。