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搜索资源列表

  1. 基于酞菁铜的红光无机/有机混合光敏二极管制备

  2. 基于酞菁铜的红光无机/有机混合光敏二极管制备，郑挺才，刘金凤，采用酞菁铜(CuPc)为有源层，P型(100)硅(p-Si)为衬底制备了有机-无机混合红外光敏二极管。这种光敏二极管具有与半导体工艺兼容，成本低�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：513kb
    • 提供者：weixin_38747566

  1. 硅纳米带的制备与应用

  2. 硅纳米带的制备与应用，魏大鹏，陈清，硅纳米带作为一种新型的纳米半导体材料，拥有独特的电子学性质。虽然对硅纳米带的研究起步较晚，但现在已经日益受到人们的关注。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-28
    • 文件大小：724kb
    • 提供者：weixin_38637580

  1. 高性能低维半导体材料_硅异质结光电探测器_刘雪梅.caj

  2. 二维材料石墨烯、低维化合物材料硒化铟等光电性能良好的半导体材料，可 以与硅衬底结合制备高响应度高探测率等高性能的光电探测器。由于石墨烯与硅 接触时易被调控，本论文主要研究了将氟化石墨烯、掺硼硅量子点等材料与石墨 烯／硅光电探测器结合，对石墨烯进行调控，提升器件的响应特性。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-02-26
    • 文件大小：8mb
    • 提供者：SparkQiang

  1. 基于宏孔硅的二维晶体制备与模拟

  2. 基于宏孔硅的二维晶体制备与模拟，梁超，王国政，采用硅光电化学腐蚀、整形技术与半导体微细加工工艺相结合的方式，在n型（100）晶向硅衬底上制作出正方晶格方形空气柱的二维光子�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-12
    • 文件大小：822kb
    • 提供者：weixin_38640830

  1. LED照明中的贴片LED（SMD）用硅树脂的制备与性能测试

  2. 作为全球照明工具的先驱，白炽灯逐渐被新一代照明工具发光二极管(LED)取代，正逐步淡出人们的生活。过去几年来，LED的颜色种类、亮度和功率都发生了极大变化。作为新型高效固体光源，LED具有体积小、节能、环保等显着优点，因此被广泛用于指示灯、显示屏和背光源等方面，发挥着传统光源无可比拟的作用；然而到目前为止，它们还未能在家庭和公共照明领域充分发挥作用。 　　有机硅材料凭借其优异的性能正在为LED照明工具走进千家万户奠定基础。 　　LED是一种发光半导体材料，是能直接将电能转变成光能的发光显示器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：52kb
    • 提供者：weixin_38632046

  1. 基础电子中的半导体材料种类及制备介绍

  2. 种类 　　常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等）、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38744902

  1. 多孔硅上制备大光子带隙的单量子点与半导体微腔的强耦合三维光子...

  2. 三维光子晶体由于存在完全的三维光子带隙而日益引起人们的兴趣。虽然人们已经能够制备出光子晶体，但是制备出带隙在近红外或者可见光波段的光子晶体结构还是很困难的。美国加利福尼亚技术研究所的J. Schilling等人用光电化学方法和聚焦离子束技术相结合，用聚焦离子束在已经制备出一个方向上光子晶体结构的多孔硅上制备了另外一个维度的光子晶体结构，形成六方格子正交结构的光子晶体，并进行了光学性能方面的测试。光致发光数据显示的强关联也显示了被激发的量子点和腔体模式下的散射效应是不同的。该成果发表在APL.,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：32kb
    • 提供者：weixin_38595473

  1. 半导体硅制备

  2. 半导体器件和电路在半导体材料晶圆的表层形成，半导体材料通常是硅。这些晶圆的杂质含量水平必须非常低，必须掺杂到指定的电阻率水平，必须是指定的晶体结构，必须是光学的平面，并达到许多机械及清洁度的规格要求。制造IC级的硅晶圆分四个阶段进行：   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：19kb
    • 提供者：weixin_38669618

  1. 晶圆制备阶段

  2. **矿石到高纯气体的转变 **气体到多晶的转变 **多晶到单晶，掺杂晶棒的转变 **晶棒到晶圆的制备 半导体制造的第一个阶段是从泥土里选取和提纯半导体材料的原料。提纯从化学反应开始。对于硅，化学反应是从矿石到硅化物气体，例如四氯化硅或三氯硅烷。杂质，例如其他金属，留在矿石残渣里。硅化物再和氢反应（图3.1）生成半导体级的硅。这样的硅的纯度达99.9999999%，是地球上最纯的物质之一。1它有一种称为多晶或多晶硅（polysilicon）的晶体结构。   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：23kb
    • 提供者：weixin_38747211

  1. 新型的生产工艺和器件

  2. 新生产的概念包含更灵活、集成度更高、更安全和更清洁，这将依赖组织创新和技术的发展。 欧洲委员会在“纳米技术信息器件倡议”５年计划（１９９９－２００３年）中确定了３个目标：设计出超越互补金属氧化物半导体硅兼容器件性能的器件；在化学、电子学、光电子、生物学和力学等学科的基础上，设计原子或分子尺度的新型器件和系统，利用分子的特性解决专门的计算问题。欧洲科学基金会提出了于２００３年开始实施的“自组织纳米结构”５年计划，将分子自组织、与力学机制相联系的软物质或超分子研究、自组织纳米结构的功能和制备列

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：67kb
    • 提供者：weixin_38625442

  1. 室温电抽运硅基ZnO薄膜的随机激光

  2. 在硅衬底上制备了基于ZnO多晶薄膜的金属－绝缘层－半导体（MIS）器件,该MIS器件在室温下被施以不断增大的正向偏压时,来自于ZnO薄膜的紫外发光从自发辐射转变为受激辐射,并产生随机激光。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：646kb
    • 提供者：weixin_38699830

  1. 硅基盘型腔的光学谐振式陀螺DQ乘积优化

  2. 硅基盘型谐振腔由于其高品质因数Q 值的特性，作为谐振式陀螺的核心元件，有望实现谐振式陀螺的小型化、集成化，成为目前谐振式陀螺中研究的基础。谐振式陀螺的极限灵敏度受谐振腔的DQ 乘积(谐振腔直径D 与Q值的乘积)的大小直接影响，提出制作大尺寸的盘型谐振腔获得高的DQ 乘积，从而提升谐振式陀螺的极限灵敏度。通过理论计算仿真得到盘型谐振腔的Q 值、DQ 乘积以及陀螺灵敏度与谐振腔直径D 的对应关系及其原因，实验中，采用传统半导体工艺制备不同直径的盘型腔(400 μm~10 mm)，通过与锥形光纤进行耦

  3. 所属分类：其它

  1. 直流磁控溅射制备a-Si:H膜工艺及其在激光器腔面膜上的应用

  2. 利用直流(DC)磁控溅射方法制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。研究了氢气流量、溅射源功率对膜的沉积速率、氢含量(CH)以及光学性能的影响。通过傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱计算氢含量,其最大原子数分数为11%。用椭偏仪测量了膜的折射率n和消光系数k,发现 a-Si:H薄膜的k值和n值都随CH的增加而减小。将优化的实验结果用于半导体激光器腔面高反镜的镀制,a-Si:H薄膜在808 nm波长处的n和k分别为3.2和8×10-3,获得了良好的激光输出特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：1022kb
    • 提供者：weixin_38724349

  1. 硅基双势垒金属-绝缘层-金属-绝缘层-半导体隧道发光结

  2. 讨论了硅基双势垒金属绝缘层金属绝缘层半导体(MIMIS)隧道发光结的结构、制备方法及发光特性.所制备的样品最大发光亮度达到1.9 cd/m2、光谱的峰值波长移到了蓝绿光区,表明双势垒MIMIS隧道发光结的性能优于单势垒金属绝缘层半导体(MIS)隧道发光结.利用量子力学的共振隧穿效应对它作了较好的解释.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：160kb
    • 提供者：weixin_38717359

  1. 半导体薄膜实现Nd:YVO

  2. 采用射频磁控溅射和热退火处理技术制备SiNx/Si/SiNx多层薄膜，测试了纳米硅晶粒平均尺寸、光学带隙和薄膜对1064 nm激光的非线性吸收系数。建立SiNx/Si/SiNx多层薄膜被动调Q的Nd:YVO4双波长激光器速率方程，得到双波长调Q脉冲的数值模拟结果。在激光二极管(LD)端面抽运的三镜复合腔Nd:YVO4激光器中，SiNx/Si/SiNx多层薄膜作为可饱和吸收体同时实现了双波长激光被动调Q，获得20 ns的1064 nm激光脉冲和19 ns的1342 nm激光脉冲输出。研究表明，薄膜

  3. 所属分类：其它

  1. 激光使晶态半导体变为非晶态

  2. 不久前有几个研究小组观察到硅的表层晶态结构在脉冲激光辐射作用下消失(非晶态化)。这种改变半导体材料性质的新方法能产生非晶态半导体，其性质强烈地取决于其制备方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：577kb
    • 提供者：weixin_38559203

  1. 飞秒激光在硅表面诱导微结构

  2. 利用飞秒激光直写加工平台，对飞秒激光脉冲与半导体硅材料相互作用进行了研究。在不同的激光功率和脉冲数作用下，通过定点辐照和扫描方式在硅表面进行微结构诱导。用扫描电子显微镜对表面诱导结构进行表征，实验发现激光功率和脉冲数影响诱导微结构的形貌和周期，并发现诱导得到的周期性条纹结构的取向与诱导激光的偏振方向有关，通过调整激光的偏振方向可以有效地控制结构的取向。通过扫描的方式，可以在硅材料表面制备排列规则的周期结构。依据实验结果，分析了脉冲数对周期性条纹结构周期变化的影响。研究结果为硅材料表面微结构加工提

  3. 所属分类：其它

  1. 阵列波导光栅解复用器的偏振相关损耗的优化

  2. 对硅基二氧化硅阵列波导光栅解复用器(AWG DEMUX)的偏振相关损耗(PDL)进行了优化。理论分析了引起AWG偏振相关性的物理因素以及消除偏振相关性的工艺方法和条件。利用化学气相沉积、光刻和刻蚀等半导体工艺制备了AWG DEMUX芯片,并结合理论分析对包层材料中的硼(B)、磷(P)含量进行了优化调整,成功地将芯片的PDL降低至0.12 dB,使PDL参数满足芯片的商用化需求。

  3. 所属分类：其它

  1. 一文读懂晶体生长和晶圆制备

  2. 有了之前的介绍，相信大家对晶圆在半导体产业中的作用有了一个清晰的认识。那么，自然而然地，一个疑问就冒出来了：晶圆是如何生长的?又是如何制备的呢?本节小编将为大家一一道来。　　本节的主要内容有：沙子转变为半导体级硅的制备，再将其转变成晶体和晶圆，以及生产抛光晶圆要求的工艺步骤。这其中包括了用于制造操作晶圆的不同类型的描述。生长450mm直径的晶体和450mm晶圆的制备存在的挑战性。　　更高密度和更大尺寸芯片的发展需要更大直径的晶圆供应。在20世纪60年代开始使用的1英寸直径的晶圆。在21世纪前期业

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：312kb
    • 提供者：weixin_38608055

  1. 中等Kong径的多Kong硅的微观结构表征和NO“ 2-传感性能

  2. 在这项工作中，成功地制备了一种新型的中型多Kong硅（intermediate-PS）气体传感器通过电化学蚀刻方法。 观察PS样品的形貌和几何形状使用场发射扫描电子显微镜（FESEM）。 确定表面化学键用傅立叶变换红外（FTIR）光谱仪。 发现PS表现出典型的n型半导体行为。 此外，它还具有良好的响应值，出色的重复性和快速性在室温下暴露于NO2气体时的响应-回收特性。 与其他相比PS的微观结构，中级PS表现出更好的气敏特性，因为高特殊性表面积提供了更多的吸附位点，独特的结构性能大大提高气体扩散速

  3. 所属分类：其它

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