硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：　　A. 有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。　　B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。　　C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：　　a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。　　b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电