半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片

本文分析了不同驱动方案的设计考虑因素、相关问题及解决之道，并从多个角度对比了这两种驱动方案。尽管精心设计的话，这两种驱动方案都可以良好工作，但安森美半导体建议选择诸如NCP5181这样的硅芯片驱动方案，在简化布线及设计的同时，也可避免变压器驱动方案的诸多问题，帮助设计人员缩短设计周期，加快产品上市进程。

在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等软开关技术能提供更高的能效。因此，在注重高能效的应用中，软开关技术越来越受设计人员青睐。 　　另一方面，半桥配置最适合提供高能效/高功率密度的中低功率应用。半桥配置涉及两种基本类型的MOSFET驱动器，即高端(High-Side)驱动器和低端(Low-Side)驱动器。高端