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  1. 不对称半桥DC-DC变换器设计

  2. 不对称半桥DC-DC变换器设计报告，详细设计步骤以及实例讲解

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-06-27
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：rolandee

  1. 开关电源的设计pdf

  2. 摘要：采用脉宽调制型开关电源集成控制器SG3525、EE55磁芯、VIOSFET开关管制作功率为 1 000 W，输出为-4-15、、33 A，开关频率为60 kHz的半桥软开关高频稳压电源一 关键词：控制器；SG3525；半桥软开关；磁芯；开关电源 Design of Switching Power Supply

  3. 所属分类：iOS

    • 发布日期：2009-08-23
    • 文件大小：198kb
    • 提供者：fengshuilover

  1. 半桥LLC谐振电路知识详解-半桥LLC谐振转换器的设计考虑及安森美半导体解决方案.pdf

  2. 半桥LLC谐振电路知识详解-半桥LLC谐振转换器的设计考虑及安森美半导体解决方案.pdf转换器的工作频率取决于功※需求。功率需求较低时,工作频率相当高,超 出谐振点。相反,功率需求较高时,控制环路会降低廾关频牽,使其中一个谐振频 率提供负载所需大小的电流。总的来看,转换器工作在种不同的工作状 态,分别是:在和之间;直接谐振在 高于;在和 之间过载;低于。 与分立储能电路解决方案相比,集成储能电路解决方案的行为特性不同,如漏电感 米自于变压器耦合,且仅在变压器初级和次级之间存在能量转换时参与谐 振

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：514kb
    • 提供者：weixin_38743481

  1. LLC谐振半桥工作原理

  2. 随着开关电源的发展，软开关技术得到了广泛的发展和应用，已研究出了不少高效率的电路拓扑，主要为谐振型的软开关拓扑和PWM型的软开关拓扑。近几年来，随着半导体器件制造技术的发展，开关管的导通电阻，寄生电容和反向恢复时间越来越小了，这为谐振变换器的发展提供了又一次机遇。对于谐振变换器来说，如果设计得当，能实现软开关变换，从而使得开关电源具有较高的效率。LLC谐振变换器实际上来源于不对称半桥电路，后者用调宽型(PWM)控制，而LLC谐振是调频型（PFM）。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-01-03
    • 文件大小：729kb
    • 提供者：luoyejun

  1. 实现半桥DC/DC变换器软开关的PWM控制解决方案

  2. 在本文中缓冲型软开关对称PWM控制策略是指对称控制半桥变换器磁心双向磁化，利用率高，且不存在偏磁。控制方便，控制特性线性。功率管上电压应力低，适用于高输入电压场合，但此种半桥变换器较难实现软开关，变换器效率难以得到提高。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：139kb
    • 提供者：weixin_38713450

  1. 新型开关磁阻电机驱动系统软开关功率变换器原理分析与仿真

  2. 通过在直流电源与不对称半桥式开关磁阻电机功率电路间插入一种准谐振直流环节,给每个相开关并联电容,构成新型开关磁阻电机软开关功率变换器主电路.该电路控制简单且能够实现变换器中全部功率器件的软开关操作.在介绍变换器主电路拓扑及特点基础上,深入分析了其软开关原理,并通过仿真实验验证了该电路方案的可行性及原理分析的正确性.

  3. 所属分类：其它

  1. 软开关半桥DC/DC变换器的PWM控制策略分析

  2. 本文明确了控制型软开关半桥DC/DC变换器的定义，主要总结和归纳了4种控制型软开关半桥DC/DC变换器的PWM 控制策略和2种缓冲型软开关半桥DC/DC 变换器的对称PWM 控制策略，对上述PWM 控制策略进行了深入分析和综合比较，为选择具体应用场合提供了依据。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-09
    • 文件大小：138kb
    • 提供者：weixin_38678394

  1. 控制与缓冲型半桥DC-DC变换器的PWM控制

  2. 大家都知道，常见的半桥控制器通常有两种控制方法，一种是对称控制，而另一种则是不对称互补控制，本文主要分析实现半桥DC/DC变换器软开关的PWM控制策略。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-29
    • 文件大小：114kb
    • 提供者：weixin_38622777

  1. 基于UCC29950的LLC谐振半桥电源的设计

  2. LLC谐振半桥变换器可以在宽电压范围内全负载条件下实现软开关，在整个工作过程中，实现初级MOSFET的零电压开关（ZVS）和次级整流二极管零电流开关（ZCS）。因此可以达到较高的效率和功率密度，而且在负载和输入电压范围变化较大的情况下，其开关频率变化较小。文中首先分析了LLC谐振半桥变换器的工作原理，并基于TI公司的UCC29950芯片设计了一种300 W电源样机，该芯片集成了PFC和LLC控制器。文章重点介绍了LLC谐振半桥变换器的参数设计，实验结果表明该电源性能优良。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：839kb
    • 提供者：weixin_38604330

  1. 接口/总线/驱动中的半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案

  2. 在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等软开关技术能提供更高的能效。因此，在注重高能效的应用中，软开关技术越来越受设计人员青睐。     另一方面，半桥配置最适合提供高能效/高功率密度的中低功率应用。半桥配置涉及两种基本类型的MOSFET驱动器，即高端(High-Side)驱动器和低端(Low-Side)驱动器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：172kb
    • 提供者：weixin_38685832

  1. 元器件应用中的不对称半桥变压器偏磁问题分析和解决方法

  2. 引　言     不对称半桥具有结构简单,控制方便和无需辅助器件就可以实现软开关等优点,所以在中小功率的应用场合很有优势。但是这种不对称的控制方法却导致变换器中的隔离变压器励磁电流具有直流分量。这就要求变压器必须有足够能力承受直流偏磁,通常对于铁氧体磁芯要开一定的气隙以防止饱和。但是变压器开气隙,会令变压器的励磁电感减小,从而增加励磁电流和损耗。     本文详细分析了不对称半桥变压器直流偏磁的产生机理,并且探讨了两种解决偏磁问题的方法。     1 　不对称半桥结构分析     传统的半

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：219kb
    • 提供者：weixin_38729685

  1. 电源技术中的半桥谐振LLC+CoolMOS开关管电路解析

  2. 1.摘要 近来， LLC拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复体二极管，低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。 长期以来， 提升电源系统功率密度，效率以及系统的可靠性一直是研发人员面临的重大课题。 提升电源的开关频率是其中的方法之一， 但是频率的提升会影响到功率器件的开关损耗，使得提升频

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：424kb
    • 提供者：weixin_38638309

  1. 电源技术中的软开关半桥DC/DC变换器的PWM 控制策略分析

  2. 摘要：文章根据控制型软开关半桥DC/DC变换器的定义，总结和归纳了4种控制型软开关半桥DC/DC变换器的PWM 控制策略和缓冲型软开关半桥DC/DC变换器对称PWM 控制策略。对上述PWM 控制策略进行了深入分析和综合比较，为选择具体应用场合提供了依据。 　　0 引 言 　　半桥DC/DC变换器结构简单，控制方便，非常适用于中小功率场合。硬开关变换器高频时开关损耗很大，严重影响其效率。软开关技术可降低开关损耗和线路的EMI,提高效率和功率密度，提高开关频率从而减小变换器体积和重量。传统半桥变

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：141kb
    • 提供者：weixin_38663169

  1. 软开关半桥DC/DC变换器的PWM控制策略分析

  2. 文章根据控制型软开关半桥DC/DC变换器的定义，总结和归纳了4种控制型软开关半桥DC/DC变换器的PWM控制策略和缓冲型软开关半桥DC/DC变换器对称PWM控制策略。对上述PWM控制策略进行了深入分析和综合比较，为选择具体应用场合提供了依据。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：150kb
    • 提供者：weixin_38750007

  1. 一种新型的不对称半桥隔离驱动电路设计

  2. 随着电力半导体器件的发展，出现了多种全控型器件，其中MOSFET以其开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点成为开关电源中最常用的功率开关器件之一。同时，随着软开关技术的不断发展，具有结构简单、所用元器件少、电压应力小等优点的不对称半桥变换器的应用也越来越广泛。而两路互补导通的驱动电路的设计是不对称半桥变换器设计中的一个重要环节。本文介绍了几种常用的不对称半桥MOSFET驱动电路，分析了各电路的优点和适用场合，并提出其不足之处。最后本文设计了一种新型的不对称半桥隔离驱动电路，通过样机实验，证明这

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：225kb
    • 提供者：weixin_38617602

  1. 基础电子中的半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片

  2. 在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等软开关技术能提供更高的能效。因此，在注重高能效的应用中，软开关技术越来越受设计人员青睐。 　　另一方面，半桥配置最适合提供高能效/高功率密度的中低功率应用。半桥配置涉及两种基本类型的MOSFET驱动器，即高端(High-Side)驱动器和低端(Low-Side)驱动器。高端

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：211kb
    • 提供者：weixin_38643269

  1. 元器件应用中的ST推出谐振半桥拓扑专用的高压控制器IC L6599..

  2. 意法半导体(ST)日前推出一个专门为串联谐振半桥拓扑设计的双终接控制器芯片L6599，该芯片支持保护全面和高可靠性的电源设计，特别适用于液晶电视和等离子电视的电源、便携电脑和游戏机的高端适配器、80+ initiative-兼容ATX电源和电信设备开关电源。       L6599在上一代产品L6598的基础上新增多种功能，如直接连接功率因数校正器(PFC)的专用输出、两级过流保护(OCP)、自锁禁止输入、轻负载突发模式操作和一个上电/断电顺序或欠压保护输入。       新产品工作在50

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：59kb
    • 提供者：weixin_38698367

  1. 电源技术中的LLC谐振变换器与不对称半桥变换器的对比

  2. 摘要：介绍了LLC谐振变换器和不对称半桥变换器两种不同类型的软开关拓扑。分析了它们的工作原理，分别对它们的控制方法，副边整流管的电压应力和副边的开通等进行了比较，分析结果表明，LLC谐振变换器更适合高频化和高效率的要求。 关键词：LLC谐振变换器；不对称半桥变换器；电压应力引言随着开关电源的发展，软开关技术得到了广泛的发展和应用，已研究出了不少高效率的电路拓扑，主要为谐振型的软开关拓扑和PWM型的软开关拓扑。近几年来，随着半导体器件制造技术的发展，开关管的导通电阻，寄生电容和反向恢复时间越

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：66kb
    • 提供者：weixin_38729269

  1. ST 推出新一代谐振半桥拓扑专用高压IC

  2. 2006年6月27日,意法半导体（STM），推出一个先进的专门为串联谐振半桥拓扑设计的双终接控制器芯片。功能丰富，设计可靠，性能卓越，新一代高压IC支持保护全面和高可靠性的电源设计，特别适用于液晶电视和等离子电视的电源、便携电脑和游戏机的高端适配器、80+ initiative-兼容ATX电源和电信设备开关电源。 在上一代产品L6598的基础上取得了突破性进步，新的L6599新增多种功能，像直接连接功率因数校正器（PFC）的专用输出、两级过流保护（OCP）、自锁禁止输入、轻负载突发模式操作和一个

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：38kb
    • 提供者：weixin_38741950

  1. 零电压开关不对称半桥DC/DC变换器

  2. 0 引言不对称半桥DC／DC变换器具有软开关工作、器件数量少以及控制简单等优点，因此，在不超过1000W的中小功率变换电路中得到广泛的应用。但是，在传统的不对称半桥电路拓扑中，只有在变压器漏感和主开关的寄牛电容产生谐振时才能实现零电压开关，因此，为了实现软开关，谐振电感(即变压器漏感)的值必须足够大．而谐振电感与输出整流二极管的寄生电容在换流过程中会发生严重谐振，产生电压冲击，甚至击穿输出二极管，而且大的漏感会导致大的占空比丢失。为避免输出二极管误工作和损坏，必须限制由变压器漏感和二极管寄生参数

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：85kb
    • 提供者：weixin_38530115
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