瑞萨科技布，开发出一种具有45 nm（纳米）及以上工艺的微处理器和SoC（系统级芯片）器件、低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构（在2006年12月以前发布的一种先进技术）改善了CMIS（注1）晶体管的性能。瑞萨已经在2007年6月12日于日本京都举行的2007年超大规模集成电路技术专题研讨会（2007 Symposium on VLSI Technology）上阐述了这一新的、增强的混合结构，并演示了测试数据。 　　像以前的技术一样，新的半导体制造技术有一个采用