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  1. 晶闸管及可控整流电路，单结晶体管及触发电路的工作原

  2. 主要内容是： 1.了解晶闸管的基本结构、工作原理、特 性和主要参数。 2. 理解可控整流电路的工作原理、掌握电 压平均值与控制角的关系。 3. 了解单结晶体管及其触发电路的工作原 理。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-02-26
    • 文件大小：253kb
    • 提供者：maoxuefei0210

  1. 单结晶体管触发电路

  2. 把交流电变成大小可调的单一方向直流电的过程称为可控整流。由调光灯电路可以得出晶闸管可控整流的原理框图如图1- 32所示。可控整流装置由主电路和触发电路两部分构成。整流装置的输入端一般接在交流电网上。为了适应负载对电源电压大小的要求，或者为了提高可控整流装置的功率因数，一般在主电路输入端接整流变压器，把一次侧电压U1，变成二次侧电压U2。由晶闸管等组成的可控整流主电路，其输出端的负载，可以是电阻性（如白炽灯、电炉、电焊机等）、大电感性负载（如直流电动机的励磁绕组、滑差电动机的电枢线圈等）以及反电势

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-10-17
    • 文件大小：751kb
    • 提供者：zgy198703

  1. 单结晶体管原理

  2. 单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：42kb
    • 提供者：weixin_38696090

  1. 单结晶体管（双基极二极管）原理

  2. 单结晶体管（双基极二极管）原理 单结晶体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图。 判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。 单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。 应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：30kb
    • 提供者：weixin_38710566

  1. 开关电源保护电路实用设计方案

  2. 本文通过对单结晶体管与晶闸管组合构成的电压保护电路构成的电压保护电路工作原理的分析，提出一种利用LM339电压比较器来完成开关电源的过、欠压及过热保护电路，使得保护电路更加简单，成本大大降低。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：100kb
    • 提供者：weixin_38643127

  1. 电源技术中的开关电源保护电路实用设计方案

  2. 摘要：本文通过对单结晶体管与晶闸管组合构成的电压保护电路构成的电压保护电路工作原理的分析，提出一种利用LM339电压比较器来完成开关电源的过、欠压及过热保护电路，使得保护电路更加简单，成本大大降低。 　　1 、引言 　　随着科学技术的发展，电力电子设备与们的工作、生活的关系日益密切，而电子设备都离不开可靠的电源，因此开关电源开始发挥着越来越重要的作用。同时随着许多高新技术的发展，开关电源技术在不断地创新。开关电源的设计要以安全性、可靠性为首要原则，在各种指标满足正常使用要求的条件下，为使电源

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：98kb
    • 提供者：weixin_38674569

  1. EDA/PLD中的应用于晶体管图示仪的CPLD控制器设计

  2. 晶体管图示仪是电路设计中常用的电子仪器，它能够显示晶体管的输入特性、输出特性和转移特性等多种曲线和参数。它不仅可以测量晶体二极管和三极管，还可以测量场效应管、隧道二极管、单结晶体管、可控硅和光耦等器件。但传统的晶体管图示仪存在着电路复杂，体积庞大，示波管的显示屏小，功耗大，价格昂贵等缺点。随着计算机软硬件技术、单片机技术和EDA技术的不断发展及其在电工电子测量技术的应用，晶体管图示仪在结构、工作原理和功能上发生很大变化，成为数字化和智能化的虚拟仪器。本文设计的晶体管图示仪就是这样一种新型仪器，除

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：228kb
    • 提供者：weixin_38603204

  1. 元器件应用中的程控单结晶体管（PUT）应用及原理

  2. 程控单结晶体管PUT（Programmable Uniguction Tr-ansistor），又称可编程单结晶体管或可调单结晶体管，程控单结晶体管实质上是一个N极门控晶闸管的功能，但因它与单结晶体管的用途相近，故纳入单结管之列。它与单结晶体管也有重工区别。单结管一经制成，从外部就无法改变rB1、rB2、RBB、ηV、IP、IV等参数值，加之工艺的离散性导致同类单结管的ηV值总会存在一定的偏差，这就给用记带来不便。程控单结晶体管圆满解决了上述问题，它是用外部电阻R1、R2取代内基极电阻rB1、r

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：188kb
    • 提供者：weixin_38683562

  1. 电子测量中的基于NI Multisim 10与LabVIEW的单结晶体管伏安特性测试

  2. 单结晶体管是近几年发展起来的一类新型电子器件，它具有一种重要的电气性能，即负阻特性，可以大大简化自激多谐振荡器、阶梯波发生器及定时电路等多种脉冲产生单元电路的结构，故而应用十分广泛。了解单结晶体管的伏安特性曲线，是理解及设计含单结晶体管电路工作原理的基础。在传统的单结晶体管伏安特性测试实验中，通常需要直流电源与晶体管图示仪两种设备配合使用，然而图示仪没有相应的器件插孔，测试很不方便。另外，因图示仪的频率特性低，无法显示单结晶体管伏安特性的负阻区，这给理解其特性曲线带来困难。可以利用Multisi

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：181kb
    • 提供者：weixin_38663516

  1. 基础电子中的单结晶体管（双基极二极管）原理

  2. 单结晶体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图。 　　判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。 　　单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。 　　应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：41kb
    • 提供者：weixin_38621638

  1. 基础电子中的单结晶体管原理

  2. 单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电路如图1所示。 　　一、单结晶体管的特性 　　从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻： 　　rbb=rb1+rb2 　　式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：64kb
    • 提供者：weixin_38733525

  1. 基础电子中的可控硅调压电路原理_可控硅调压器电路图_晶闸管交流调压电路分析

  2. 1. 可控硅(晶闸管)交流调压电路的原理方框图如图1所示。 　　图1 交流可控硅调压电路原理方框图 　　（1）整流电路采用桥式整流,将220伏,50赫兹交流电压变为脉动直流电。 　　（2）抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。 　　　（3）可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。 　　　　（4）张弛振荡器由单结晶体管和电阻组成。 　　（5）冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。 　　2． 可控硅(晶闸管)交流调压电路原理图 　　图2 交流可控硅调压电路的原理图 　　3.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：72kb
    • 提供者：weixin_38570459

  1. 基于NI Multisim 10与LabVIEW的单结晶体管伏安特性测试

  2. 单结晶体管是近几年发展起来的一类新型电子器件，它具有一种重要的电气性能，即负阻特性，可以大大简化自激多谐振荡器、阶梯波发生器及定时电路等多种脉冲产生单元电路的结构，故而应用十分广泛。了解单结晶体管的伏安特性曲线，是理解及设计含单结晶体管电路工作原理的基础。在传统的单结晶体管伏安特性测试实验中，通常需要直流电源与晶体管图示仪两种设备配合使用，然而图示仪没有相应的器件插孔，测试很不方便。另外，因图示仪的频率特性低，无法显示单结晶体管伏安特性的负阻区，这给理解其特性曲线带来困难。可以利用Multisi

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：231kb
    • 提供者：weixin_38712578

  1. 应用于晶体管图示仪的CPLD控制器设计

  2. 晶体管图示仪是电路设计中常用的电子仪器，它能够显示晶体管的输入特性、输出特性和转移特性等多种曲线和参数。它不仅可以测量晶体二极管和三极管，还可以测量场效应管、隧道二极管、单结晶体管、可控硅和光耦等器件。但传统的晶体管图示仪存在着电路复杂，体积庞大，示波管的显示屏小，功耗大，价格昂贵等缺点。随着计算机软硬件技术、单片机技术和EDA技术的不断发展及其在电工电子测量技术的应用，晶体管图示仪在结构、工作原理和功能上发生很大变化，成为数字化和智能化的虚拟仪器。本文设计的晶体管图示仪就是这样一种新型仪器，除

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：303kb
    • 提供者：weixin_38727980