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  1. ACDC脉宽调制开关电源控制芯片设计

  2. 随着科学技术的发展，通信、消费电子类产品等对开关电源需求迅猛增长，开关电源核心控制电路的集成化是开关电源的发展方向。集成脉宽调制模式控制芯片的开关电源具有频率特性好、线性度高、输出电压纹波较小等优点，已成为功率电子学研究领域的一大热点，并在通讯、计算机等领域获得了广泛应用。 本文基于双极工艺，利用Cadence EDA设计工具，在分析开关电源工作原理的基础上，设计了一种AC．DC脉宽调制开关电源控制芯片。论文详细分析了不同种类开关电 源控制芯片的实现方法，根据功能需要设计了开关电源控制芯片整体

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-11-18
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：zq1987731

  1. 双极晶体管工艺流程

  2. 双极型三极管的制备工艺流程，从三级管衬底的选择到各个步骤所需的工艺，适合入门

  3. 所属分类：电子政务

    • 发布日期：2013-03-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：hexintong2009

  1. 双极型集成电路工艺流程图

  2. 不错的介绍双极工艺的流程图，有需要的同学可以 下下来看看。。。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-07-08
    • 文件大小：152576
    • 提供者：linjianbinff

  1. 双极膜电渗析法由硫酸铵制备硫酸的工艺研究

  2. 利用两室双极膜电渗析法从硫酸铵溶液中制备硫酸。探讨了电渗析过程中的电流效率、能耗、产酸量等指标。实验结果表明,产酸量随时间的延长而增加,在恒定电流密度(0.09A.cm-2)的条件下,硫酸的电流效率达到90%,能耗为2.5～2.6kW.h.kg-1。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-10
    • 文件大小：367616
    • 提供者：weixin_38738005

  1. 双极型步进电机的斩波驱动电路设计

  2. 设计了一款用于双极型步进电机的斩波驱动电路，采用可变增益放大器实现电流检测和角度细分以提高精度，采用新型低功耗功率放大电路降低芯片功耗，并采用0.35 μm BCD工艺，最高输出电压为35 V，驱动能力为±2.5 A。测试结果表明，负载电源静态电流为3.9 mA，功率管导通电阻不超过0.23 Ω，斩波电流误差小于8%。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：552960
    • 提供者：weixin_38662367

  1. 模拟技术中的Intersil推出首款采用该公司新的专利双极工艺技术的运算放大器

  2. Intersil公司宣布，推出首款采用该公司新的专利双极工艺技术的运算放大器---ISL28207。 　　Intersil的ISL28207是双40V低功耗双极精密运算放大器，具有出色的直流精度和极好的温漂性能。器件的最大偏置电压低至75μV，典型输入偏置电流为60pA。输入偏置电压的最大温漂仅有0.65μV/℃，输入偏置电流的温漂仅有0.2pA/℃，使其成为16bit和24bit应用的理想之选。ISL28207具有4.5V～40V的宽工作电压范围，工作温度范围为-40～+125℃。 　　I

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38746018

  1. 元器件应用中的Diodes推出全新20V NPN及PNP双极晶体管

  2. Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5 matrix emitter Bipolar process)。 　　这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1×1.4毫米，离版高度为0.5毫米，有助于设计出极其纤巧的便携式产品，还可改善产品的电性能及热特性。 　　这些微型晶体管适用于MOSF

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38614287

  1. 元器件应用中的Diodes发布全新20V NPN及PNP双极晶体管

  2. Diodes 公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。 　　这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1 x 1.4毫米，离版高度为0.5毫米，有助于设计出极其纤巧的便携式产品，还可改善产品的电性能及热特性。 　　这些微型晶体管适用于MOSF

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38675970

  1. 显示/光电技术中的双极工艺光电二极管

  2. 图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集电极注入形成，P区则是直接利用轻掺杂的P型衬底。图中N＋区与P＋区的间距为5 gm，N＋区的面积被定义为光电探测器的面积。 　　图1  双极工艺N+-P型光电二极管 　　这种结构能够高效地进行光电转换，在外加偏压为双极电路工作电压（4.2 V）时的量子效率η=30%°但是由于受前面叙述的耗尽区外光生载流子缓慢扩散的影响，其响应速度较慢。该探测器与一跨阻抗为1.8 kΩ的双极型前置放大器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38746387

  1. 显示/光电技术中的基于硅基双极型工艺的光电探测器

  2. 目前，长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的，其传输速率已经超过了40 Gb/s，然而，Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵，对于短距离数据传输的应用，例如局域网、光纤入户和板级光互连等并不适合。随着信息技术的不断进步，对于光信息存储、光数据传输等应用，需要有大量低成本的光电集成电路（OEIC）投入使用。利用普通的硅基集成电路生产技术，在对这些工艺几乎不作改动或者是仅仅作微小调整的基础上，将光电子器件与电信号处理电路集成在一起，无疑是最为理想的光电集成方式。目前硅

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：40960
    • 提供者：weixin_38627826

  1. 基础电子中的双极型微电子技术简介

  2. 双极型制造工艺是早期集成电路产品所应用的唯一工艺。随着微电子工艺的发展，双极型工艺逐渐被MOS工艺所代替。在20世纪70年代，CMOS工艺逐渐成为主流微电子制造工艺。在过去的30多年中，CMOS工艺有了很大的发展，但是双极型工艺始终没有较大的进步。由于双极型工艺过程复杂、成本高、集成度低，在现代的超大规模集成电路中己经很少单独使用。但是，双极型工艺速度快、较大的电流驱动能力等特点是CMOS工艺所达不到的。在某些情况下，作为CMOS工艺的补充，双极型工艺仍然被少量地使用。 　　双极型三极管是双极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：161792
    • 提供者：weixin_38697471

  1. 元器件应用中的ST推出一系列新型的绝缘栅双极晶体管STGxL6NC60D

  2. 近日，意法半导体（ST）推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT），新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH），用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。 　　开关性能的改进容许设计工程师把IGBT用于以硬开关拓扑和谐振电路为特点的高度竞争力产品。新产品关断能耗降低，使用很小的缓冲电容器即可在低结温下工

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：44032
    • 提供者：weixin_38636655

  1. 元器件应用中的什么叫双极结型晶体管（BJT）

  2. 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）　　BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：31744
    • 提供者：weixin_38542148

  1. 显示/光电技术中的用于超薄高清CRT显示器的高压双极晶体管

  2. 代号为HD1的高压功率双极晶体管系列产品是专门为超薄高清CRT（阴极射线管）显示器设计的，能够满足超薄高清CRT对水平偏转应用的苛刻要求。 新型CRT的深度通常比上一代产品缩减30%，显像管的深度被大幅度缩减，所以在水平扫描期间，电子束偏转经过的角度从110度提高到124度，这就对控制水平偏转线圈上的电流的功率双极晶体管提出了更加严格的要求。为了满足这一苛刻的要求，HD1系列产品采用了EHVS1 (增强型高压结构)高压双极晶体管技术，应用深基极工艺降低了基极-集电极结内的电容，新的HD1系列产

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38668672

  1. 高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

  2. 报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAs HBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡频率达到140GHz的频率特性.这种新结构的HBT的击穿电压达到25V,有利于在大功率领域应用.而残余电压只有105mV,拐点电压只有0.50V,使其更适用于低功耗应用.同时,还对比了由于不同结构产生的器件性能的差异. 　 关键词： 异质结双极型晶体管 U形发射极 自对准发射极 热处理能力 参考文献：

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38526823

  1. PCB技术中的双极型电路的版图设计

  2. 说明：本节将18.2节的内容归纳在一起1. 版图设计过程2. 版图设计的准备工作3. 版图设计的一般规则4. 集成电路的设计规则5. 双极型IC中元件的图形设计6. 设计举例 版图设计就是按照线路的要求和一定的工艺参数，设计出元件的图形并进行排列互连，以设计出一套供IC制造工艺中使用的光刻掩膜版的图形，称为版图或工艺复合图。 版图设计是制造IC的基本条件，版图设计是否合理对成品率、电路性能、可靠性影响很大，版图设计错了，就一个电路也做不出来。若设计不

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：31744
    • 提供者：weixin_38725531

  1. PCB技术中的双极集成电路中元件的形成过程和元件结构

  2. PN结隔离的制造工艺 （a） P-Si衬底（b）氧化（c）光刻掩模1 （d）腐蚀（e）N+埋层扩散（f）外延及氧化（g）光刻掩模2（i）P+隔离扩散及氧化在隔离岛上制作NPN型管的工艺流程及剖面图 双极集成电路中元件的形成过程和元件结构 由典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺制作的集成电路中的晶体管的剖面图如图1所示，它基本上由表面图形(由光刻掩模决定)和杂质浓度分布决定。下面结合主要工艺流程来介绍双极型集成电路中元器件的形成过程及其结构。典型的PN结隔离的掺金TTL

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：30720
    • 提供者：weixin_38576779

  1. PCB技术中的Infineon用锗化硅和碳双极工艺开发高频集成电路

  2. 计算机世界网消息 德国Infineno公司7月4日(美国当地时间7月3日)宣布，在慕尼黑实验室其研究人员利用锗化硅和碳(SiGe：C)的双极工艺，开发出了工作频率超过110GHz的高速动态分频集成电路。其比竞争对手的相应器件，工作频率高出10%至30%。 　　Infineno公司采用先进的锗化硅-碳双极工艺技术，设计出了工作频率超过200GHz的用于高速通信的Bulding模块。采用这种技术制作出的器件，其截止频率可超过200GHz。由该器件制成的环形振荡器的栅延迟时间为3.7p秒。Infine

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38707192

  1. 通信与网络中的一种适用于宽电源电压幅度的高精度双极带隙基准电路

  2. 摘要：设计并实现了一种bipolar工艺下的高精度带隙基准电路，通过Hspice验证，具有2.28×10-6 K-1的温度系数，在△V=10V的宽电源电压幅度范围作用下，具有1.2mV/V电源抑制特性及直流PSRR=79dB的高电源抑制比。     关键词：带隙基准源；温度系数；电源抑制比     引言     电压基准广泛地应用在模拟电路中，在A/D、D/A的集成电路设计中，也需要基准来确定其输入或输出的全程范围。随着电路系统的不断复杂化，对基准源的要求也越来越高。尽管MOS器件的许多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：229376
    • 提供者：weixin_38636983

  1. Infineon用锗化硅和碳双极工艺开发高频集成电路

  2. 计算机世界网消息 德国Infineno公司7月4日(美国当地时间7月3日)宣布，在慕尼黑实验室其研究人员利用锗化硅和碳(SiGe：C)的双极工艺，开发出了工作频率超过110GHz的高速动态分频集成电路。其比竞争对手的相应器件，工作频率高出10%至30%。 　　Infineno公司采用先进的锗化硅-碳双极工艺技术，设计出了工作频率超过200GHz的用于高速通信的Bulding模块。采用这种技术制作出的器件，其截止频率可超过200GHz。由该器件制成的环形振荡器的栅延迟时间为3.7p秒。Infine

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38654944
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