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搜索资源列表

  1. 微电子常见工艺流程

  2. 涵盖基本工艺流程以及微电子学理论，半导体集成电路，器件类型，双极型晶体管中隐埋层

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-04-08
    • 文件大小：212kb
    • 提供者：ghvnop

  1. SiGeSi HBT的工艺技术研究

  2. 介绍了多晶硅发射极双台面SiGe／Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD 在n型Si衬底j二外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区 台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行 研究，探索出关键工艺的控制方法，并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe／Si 异质结双极晶体管进行了，一y特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小，欧姆接触良 好，直流电流放大倍数口随，。变化不大，截止频率最高达到

  3. 所属分类：软件测试

    • 发布日期：2013-12-06
    • 文件大小：370kb
    • 提供者：u013066314

  1. SiGeSi HBT的工艺技术研究.doc

  2. SiGe/Si HBT是一种以Si为衬底的新型器件，与传统的双极型晶体管相比，SiGe/Si HBT具有很多优点，包括高电流增益，良好的频率特性和低噪声，能带工程和掺杂工程的引进使得设计更加自由。本论文描述了SiGe/Si HBT的基本制作工艺流程，研究了SiGe材料外延工艺，发射极台面刻蚀工艺，N型掺杂多晶硅和硅化物制作工艺，并且探究了一种关键过程控制方法。这种最大电流增益的NPN SiGe/Si HBT是通过下面工艺流程制作的。

  3. 所属分类：3G/移动开发

    • 发布日期：2013-12-06
    • 文件大小：187kb
    • 提供者：u013066314

  1. 双极晶体管工艺流程

  2. 双极型三极管的制备工艺流程，从三级管衬底的选择到各个步骤所需的工艺，适合入门

  3. 所属分类：电子政务

    • 发布日期：2013-03-11
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：hexintong2009

  1. 基于0．5μm CMOS工艺的一款新型BiCMOS集成运算放大器设计

  2. 为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数进行调整，包括MOS器件的宽长比和电容电阻的值。完成电路设计后，在T-spice中进行电路的瞬态仿真，插入CMOS，PNP和NPN的工艺库，对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整，最终在W-Edit输出波形图。在MCNC 0.5μm工艺平台上完成由MOS、双极型晶体管和电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：216kb
    • 提供者：weixin_38680957

  1. 新型BiCMOS集成运算放大器设计

  2. 为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数进行调整，包括MOS器件的宽长比和电容电阻的值。完成电路设计后，在T-spice中进行电路的瞬态仿真，插入CMOS，PNP和NPN的工艺库，对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整，最终在W-Edit输出波形图。在MCNC 0.5μm工艺平台上完成由MOS、双极型晶体管和电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：230kb
    • 提供者：weixin_38593644

  1. 模拟技术中的SiGe HBT 低噪声放大器的设计与制造

  2. 摘 要：该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构，所以可灵活调整不同反馈电阻，同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。 　　基于0.35 μm Si CMOS 平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数，在制作放大器中SiGe 器件时，采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感，最终研制出的SiGe HBT LNA 芯片面积仅为0.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：389kb
    • 提供者：weixin_38620741

  1. 电源技术中的集成电路的特殊工艺及结构

  2. 内容: 1 典型pn结隔离工艺 1.1 pn结隔离工艺的工艺流程 1.2 典型pn结隔离的实现及埋层作用 1.3 pn结隔离结构形成的说 明 2 介质隔离工艺 2.1 介质隔离工艺的工艺流程 2.2 介质隔离工艺中晶体管和电阻的结构剖图 2.3 介质隔离工艺的工艺特点 3 pn结-介质混合隔离 3.1 pn结-介质混合隔离剖面结构 3.2 pn结-介质混合隔

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：41kb
    • 提供者：weixin_38606466

  1. PCB技术中的双极集成电路中元件的形成过程和元件结构

  2. PN结隔离的制造工艺 （a） P-Si衬底（b）氧化（c）光刻掩模1 （d）腐蚀（e）N+埋层扩散（f）外延及氧化（g）光刻掩模2（i）P+隔离扩散及氧化在隔离岛上制作NPN型管的工艺流程及剖面图 双极集成电路中元件的形成过程和元件结构 由典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺制作的集成电路中的晶体管的剖面图如图1所示，它基本上由表面图形(由光刻掩模决定)和杂质浓度分布决定。下面结合主要工艺流程来介绍双极型集成电路中元器件的形成过程及其结构。典型的PN结隔离的掺金TTL

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：30kb
    • 提供者：weixin_38576779

  1. SiGe HBT 低噪声放大器的设计与制造

  2. 摘 要：该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构，所以可灵活调整不同反馈电阻，同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。 　　基于0.35 μm Si CMOS 平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数，在制作放大器中SiGe 器件时，采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感，终研制出的SiGe HBT LNA 芯片面积仅为0.2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：533kb
    • 提供者：weixin_38577922