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搜索资源列表

  1. 两室型离子刻蚀微调机运行流程示意图-测试(含部分源码)

  2. 本程序用于测试两室型离子刻蚀微调机的运行流程示意图。 该运行流程示意图的程序封装为一个DLL，测试程序在运行时会自动注册该DLL。 注意：测试时也需要按照真实操作流程顺序来测，否则，流程示意图可能无效果或逻辑异常。比如：如果预抽室抽了真空，后面没有放气的话，则直接送料就会无反应。 测试程序仅实现了部分功能的测试，也可通过DLL本身的调试界面进行测试。DLL调试界面中，基本上每个基本操作都有对应的按钮。 by freebird (557039@qq.com)

  3. 所属分类：VB

    • 发布日期：2013-04-10
    • 文件大小：94kb
    • 提供者：sszh001

  1. MEMS_制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真

  2. MEMS_制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真,反应离子刻蚀(RIE)的二维物理模型,包括各向同性和各向异性 两部分.该速率公式的参数由实验提取,随RIE工艺参数而变化

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-10-23
    • 文件大小：280kb
    • 提供者：duanyu1992

  1. 基于硫醇-烯的微光学元件低收缩紫外压印工艺

  2. 基于硫醇-烯的微光学元件低收缩紫外压印工艺，刘楠，金鹏，应用紫外纳米压印技术结合反应离子刻蚀技术制作石英玻璃基底上微结构光学元件是一种低成本、高效率、高分辨力的加工方法。光刻胶

  3. 所属分类：其它

  1. 具有深高宽比的SiO2/GaAs纳米图形衬底的制作工艺

  2. 具有深高宽比的SiO2/GaAs纳米图形衬底的制作工艺，李玉斌，王琦，本文采用电子束光刻技术及反应离子刻蚀技术在GaAs（100）衬底上制作了深宽比>1的（深宽比=槽深/槽宽）周期性的SiO2纳米槽。这种纳米图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-28
    • 文件大小：229kb
    • 提供者：weixin_38721119

  1. CMOS集成电路工艺.rar

  2. 生长一层薄氧化层 淀积一层氮化硅 光刻场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来 反应离子刻蚀氮化硅 场区离子注入 热生长厚的场氧化层 去掉氮化硅层、薄氧化层

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-07-08
    • 文件大小：22mb
    • 提供者：weixin_42576437

  1. 传感器技术未来发展方向及战略目标解读

  2. MEMS工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（DRIE）工艺或IGP工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-30
    • 文件大小：49kb
    • 提供者：weixin_38571603

  1. 薄膜电路技术在T/R组件中的应用

  2. 采用薄膜技术来制造薄膜电路是薄膜领域中一个重要分支。薄膜电路主要特点：制造精度比较高(薄膜线宽和线间距较小)，可实现小孔金属化，可集成电阻、电容、电感、空气桥等无源元件，并且根据需要，薄膜电路可以方便地采用介质制造多层电路。薄膜多层电路是指采用真空蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺以及湿法刻蚀和干法刻蚀(反应离子刻蚀、等离子刻蚀、激光刻蚀)等图形形成技术，在抛光的基板(陶瓷、硅、玻璃等材料)上制作导体(Cu或Au等)布线与绝缘介质膜(PI或BCB等)相互交叠的多层互连结构。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：281kb
    • 提供者：weixin_38528463

  1. 基础电子中的薄膜电路技术在T/R组件中的应用

  2. 1.引言 　　采用薄膜技术来制造薄膜电路是薄膜领域中一个重要分支。薄膜电路主要特点：制造精度比较高(薄膜线宽和线间距较小)，可实现小孔金属化，可集成电阻、电容、电感、空气桥等无源元件，并且根据需要，薄膜电路可以方便地采用介质制造多层电路。薄膜多层电路是指采用真空蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺以及湿法刻蚀和干法刻蚀(反应离子刻蚀、等离子刻蚀、激光刻蚀)等图形形成技术，在抛光的基板(陶瓷、硅、玻璃等材料)上制作导体(Cu或Au等)布线与绝缘介质膜(PI或BCB等)相互交叠的多层互连结构。 　　薄膜多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：306kb
    • 提供者：weixin_38547421

  1. STS发布针对IC量产开发的12英寸DRIE电浆源

  2. 电子设备制造商Surface Technology Systems (STS)公司宣布，将开发一种新的深反应离子蚀刻(DRIE)电浆源，该系统将与大量制造IC时所使用的12英寸晶圆有高度兼容性。     DRIE加工法是由德商Robert Bosch GmbH所发明、STS所开发的一项重要硅基微细加工技术，该加工法在MEMS的制造过程中已有长达十年的历史。随着电路的越渐复杂及装置速度的提升，产业需求逐渐倾向于将细薄的芯片采用堆栈方式，而非将所有的功能组件都整合于一颗平面的系统单芯片(SoC)

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：51kb
    • 提供者：weixin_38738511

  1. 常见湿法蚀刻技术

  2. 一般清洗技术 干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。它是硅片表面物理和化学两种过程平衡的结果。在半导体刻蚀工艺中，存在着两个极端：离子铣是一种纯物理刻蚀，可以做到各向异性刻蚀，但不能进行选择性刻蚀；而湿法刻蚀如前面所述则恰恰相反。人们对这两种极端过程进行折中，得到目前广泛应用的一些干法刻蚀技术。例如；反应离子刻蚀(RIE --Reactive Ion Etching)和高密度等离子体刻蚀(HDP)。这些工艺都具有各向异性刻蚀和选择性刻蚀的特点。反应离子刻蚀通过活性离子对

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：36kb
    • 提供者：weixin_38725119

  1. PCB技术中的Refractory Barrier Metal

  2. 随着在大约相同硅面积上封装的器件数目的不断增加，集成电路的尺寸稳步缩小。为了获得必须的封装密度，contact和via openings的sidewall变得越来越陡。铝蒸汽沉积时并不是各向同性的；穿过氧化物台阶的金属比较薄(图2.26A)。在lead代表性区域的任何缩小都会增大电流密度和加速electromigration。有很多技术已经被开发出来提升像厚氧化层的反应式离子蚀刻产生的非常陡的sidewalls上的台阶覆盖。 740)this.width=740" border=undefine

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：67kb
    • 提供者：weixin_38559346

  1. 什么是Patterning?

  2. 曝光过的wafer会用一种合适的developer喷射，通常都是有机溶液的混合液。Developer会溶解部分resist而露出wafer的表面。沉积或蚀刻只影响这些暴露出的区域。一旦选定的工艺完成，光刻胶就能用溶液洗掉。或者，也可以用有氧环境下的反应式离子蚀刻(节2.3.2)来把光刻胶去掉。这个过程叫做ashing。 许多重要的制造工艺都要求masking层能经受高温。由于大多数实用的光刻胶都是有机化合物，很明显他们都不适合。两种普遍的高温masking物质是二氧化硅和氮化硅。适合的气体和

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38740130

  1. Al-Si合金RIE参数选择

  2. 李希有，周 卫，张 伟，仲 涛，刘志弘（清华大学微电子学研究所，北京 100084）摘要：采用正交试验法对二手RIE刻Al设备A-360进行工艺参数选择试验，并以均匀性、刻蚀速率、 对PR选择比为评价指标。试验中发现RF功率是影响各评价指标的最主要因素。通过进一步优化工艺，制定出了均匀性小于3%，刻蚀速率高于300nm/min，对PR选择比好于1.8的刻Al实用工艺。关键词：反应离子刻蚀；正交试验；Al刻蚀；刻蚀速率 中图分类号： TN305.2文献标识码： A 文章编号：1003-353X(2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：99kb
    • 提供者：weixin_38699352

  1. 光学材料的干法刻蚀研究

  2. 摘 要：本文对化学材料二氧化硅的干法刻蚀工艺进行研究，运用反应离子刻蚀设备对二氧化硅进行了刻蚀实验，通过对不同工艺条件下二氧化硅的刻蚀速 率、均匀性等参数对比，最终得出了二氧化硅等同类光学材料最佳的干法刻蚀 工艺条件。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-12-22
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 反应离子蚀刻（RIE）

  2. 本文介绍了玻璃微加工的工艺，包括喷砂，湿法蚀刻，反应离子蚀刻（RIE）和玻璃回流技术。根据实验介绍并讨论了每种方法的优缺点。喷砂和湿法蚀刻技术是简单的工艺，但是在小而高纵横比的结构中却面临困难。演示了喷砂处理过的2 cm×2 cm Tempax玻璃晶片，其蚀刻深度约为150 µm。通过湿蚀刻工艺观察到具有蚀刻深度和侧面约20μm的Tempax玻璃结构。这项工作最重要的方面是开发RIE和玻璃回流焊技术。这些方法的当前挑战在此得到解决。深Tempax玻璃柱，表面光滑，垂直，通过RIE技术获得了直径为

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-06
    • 文件大小：542kb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 提高离子束刻蚀亚微米光栅侧壁陡直度的方法

  2. 现代亚微米光栅的应用通常要求栅脊侧壁陡直。通过比较两种配备不同离子源的刻蚀机的反应离子束刻蚀结果,认为影响亚微米光栅侧壁陡直度的一个重要因素是离子束发散角(束散角),且小束散角有利于获得陡直的光栅侧壁。国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大(大于13°),致使用常规方法获得的熔石英光栅的侧壁倾角仅为77°。针对此刻蚀机,尝试了三种提高侧壁陡直度的方法：旋转倾斜刻蚀法、交替倾斜刻蚀法和二次金属掩模法,分别把侧壁倾角提高到86°、86°和82°。最后从掩模侧壁收缩速率和槽底部与顶部离子通量的差异

  3. 所属分类：其它

  1. 150 nm亚波长铝光栅的近红外偏振特性

  2. 采用纳米压印、反应离子辅助刻蚀及物理溅射技术制作了周期为150 nm的铝光栅，用分光光度计测量了样品的透过率随入射光偏振方向变化的关系以及在可见、近红外波段TE，TM波的透射光谱。利用严格耦合波理论对光栅的上述性能进行了数值模拟和理论分析。考察了斜入射情况下样品的性能及损耗随入射角的变化关系。理论和实验结果表明，光栅的透过率对入射光的偏振态十分敏感:在近红外范围内(1000～2000 nm)对TE波完全反射，对TM波具有90%的透过率，并且在斜入射时因入射角的增大而轻微加强。此外，还比较了不同金

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：778kb
    • 提供者：weixin_38635449

  1. 掺镁铌酸锂晶体的ICP刻蚀性能

  2. 掺镁铌酸锂晶体(MgLiNbO3)是一种相对难刻蚀的晶体，MgLiNbO3的干法刻蚀速率和刻蚀形貌控制是铌酸锂光电子器件加工中的关键技术之一。采用牛津仪器公司的Plasmalab System 100以SF6/Ar为刻蚀气体，具体研究MgLiNbO3的刻蚀速率随着感应耦合等离子体(ICP)功率、反应离子刻蚀(RIE)功率、气室压强和气体流量配比等刻蚀参数的变化，同时研究发现SF6/(Ar+SF6)气体流量配比还会影响刻蚀表面的粗糙度。实验结果表明：在ICP功率为1000 W，RIE功率为150

  3. 所属分类：其它

  1. 激光蚀刻的新方法

  2. 大阪大学S. Namba教授等人研究出一种能高速进行精细加工而不损坏基片的新激光蚀刻法。该法利用了可见氩离子激光照射时四氯化碳（一种反应气体)和基片表面间所发生的“光泵热化学反应”。据称这种方法成本低，无须掩模即可加工细的布线图案，速度比用紫外准分子激光快三个数置级。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：590kb
    • 提供者：weixin_38602563

  1. 蚀刻工艺YES蚀刻过程分为两类：

  2. 为了在基板上形成功能性的MEMS结构，必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常，蚀刻过程分为两类： 浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻 干蚀刻，其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料 在下文中，我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-09
    • 文件大小：166kb
    • 提供者：jfkj2021
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