通过四阶Runge-Kutta算法求解荧光介质的速率方程，详细分析了受激辐射耗尽(STED)显微镜的激发过程和耗尽过程中的荧光态分子数密度转移过程，得到了高斯时间脉冲激发光将基态荧光分子抽运到荧光态所用的时间与激发光强度的关系，得到了高斯时间脉冲耗尽光将荧光态分子经过受激辐射跃迁到基态所用时间与STED光强的关系，模拟了一个激发周期内的激发和耗尽过程，得到了STED显微镜激发光和耗尽光之间的最佳延迟时间，此模拟结果对实验装置参数设置有指导作用。