理论上，通过紧密结合的方法研究了自组装InAs / GaAs量子点中的电子g因子。 已经发现，由能带混合效应引起的电子g因子的各向异性比点的结构长径比对点的化学组成更敏感。 在纯InAs点中，通常会看到垂直电子g因子的模量小于面内分量，而在高度混合的InGaAs点中，情况可能会相反。 提出了一种微观理论，以揭示电子g因子中各向异性对电子态价带成分比例的依赖性。 我们的研究表明调整量子点中电子g因子各向异性的可能性。