您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. 数字器件设计的交通灯

  2. 数字器件设计的交通灯,可以仿真。与单片机无关,制作核心,其他的课自己完善
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2011-12-29
    • 文件大小:204kb
    • 提供者:xinlingbing
  1. 光无源器件常见问题解答

  2. 比如偏振无关型光隔离器中,输入/输出准直器之间必然存在Offset,如果金属桥内径与准直器外径配合间隙较大,可以实现对光,这在锡焊工艺中没有问题,在全胶工艺中则因胶层厚度不均匀而劣化可靠性,必须精确计算光路并采用偏心准直器
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2013-03-30
    • 文件大小:95kb
    • 提供者:u010097678
  1. C编写的usb2.0枚举程序

  2. 自己编写的usb枚举程序,用的芯片是atmel的arm7,不过除了底层的几个函数外,大部分都是应用层。写得比较烂,大家不要扔砖头。
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2008-11-12
    • 文件大小:25kb
    • 提供者:sihanfei
  1. 雷电、电快速瞬变及静电放电危害和防护器件TVS应用.pdf

  2. 雷电、电快速瞬变及静电放电危害和防护器件TVS应用pdf,常见的几种“过电压”抑制元件有: 1.1 气体放电管(GDT):气体放电管是具有一定气密的玻璃或陶瓷外壳,中间充满稳定的气体,如氖 或氩,并保持一定压力。电极表面涂以发射剂以减少电子发射能量。当过电压升高在“崩溃点”之 前,GDT 不导电,是一个绝缘体,但当电压大于“崩溃点”后,则产生“电弧放电”,GDT 的电压 降到“电弧电压”(10-25V),此过程几乎与导通后的电流大小无关,“过电压”被箝位。“过电压” 消失后,放电器会熄灭电弧并
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-20
    • 文件大小:414kb
    • 提供者:weixin_38744153
  1. 选择合适模拟设备中EMC的模拟器件

  2. 为了防止解调,模拟电路处于干扰环境中时需保持线性和稳定,尤其是反馈回路,更需在宽频带范围内处于线性及稳定状态,这就常常需要对容性负载进行缓冲,同时用一个小串联电阻和一个大约5PF的积分反馈电容串联。这是由于大多数模拟设备的抗扰度问题是由射频解调引起的。运放每个管脚都对射频干扰十分敏感,这与所使用的反馈线路无关,所有半导体对射频都有解调作用,但在模拟电路上的问题更严重。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-19
    • 文件大小:63kb
    • 提供者:weixin_38589316
  1. EMC选择合适的模拟器件

  2. 大多数模拟设备的抗扰度问题是由射频解调引起的。运放每个管脚都对射频干扰十分敏感,这与所使用的反馈线路无关,所有半导体对射频都有解调作用,但在模拟电路上的问题更严重。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-19
    • 文件大小:63kb
    • 提供者:weixin_38637998
  1. 教你在模拟设备中EMC如何选择模拟器件

  2. 运放每个管脚都对射频干扰十分敏感,这与所使用的反馈线路无关,所有半导体对射频都有解调作用,但在模拟电路上的问题更严重。本文就将教你在模拟设备中EMC如何选择模拟器件。(作者:云际)
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-14
    • 文件大小:65kb
    • 提供者:weixin_38733676
  1. 元器件应用中的换种思路谈常用器件三极管工作原理

  2. 随着科学技的发展,电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件,其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。三极管原理的关键是要说明以下三点:      1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。   2、放大状态下集电极电流Ic,为什么会只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄,但只要Ib为零,则Ic即
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:222kb
    • 提供者:weixin_38639471
  1. DP83848 单路10/100 Mb/s以太网收发器精简的介质无关接口 (RMII) 模式

  2. 引言   根据精简介质无关无关接口RMII规范,美国国家半导体的DP83848 10/100 Mb/s单端物理层器件结合了低引脚数目的RMII。在10/100 Mb/s系统中将DP83848 的物理(PHY)层连接到媒体存取控制(MAC)层,RMII提供了引脚数目更低的选择来替换IEEE802.3定义的介质无关接口(MII)。   本应用注释总结了设计工程师如何充分利用DP83848 的RMII模式优点,来提供低成本的系统设计。 查看详细文章:DP83848 单路10/100 Mb/s以太
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-08
    • 文件大小:30kb
    • 提供者:weixin_38634037
  1. 通信与网络中的意法推出SMP80MC系列微电容瞬变xDSL避雷器件

  2. 意法半导体(ST)推出一系列新的通信线路保护器件。TRISIL产品为保护ADSL/VDSL调制解调器和类似的用户终端设备(CPE)高数据传输速率的通信设备而专门设计。  SMP80MC系列微电容瞬变避雷器完全符合数字传输标准如ADSL2和ADSL2+,是第一个结电容与器件击穿电压无关的TRISIL产品,是第一个反复峰值脉冲电流额定值达到80A而典型电容只有12pF的系列产品。   因为容易遭到雷电浪涌的攻击,电信系统通常需要两级保护单元:安装在每条线路上的吸收大部分瞬间过压的主浪涌抑制器和安装在
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-26
    • 文件大小:54kb
    • 提供者:weixin_38562329
  1. 元器件应用中的ST推出xDSL避雷器件,为通信线路设备提供保护..

  2. 意法半导体(ST)日前推出一系列新的通信线路保护器件。TRISIL产品为保护ADSL/VDSL调制解调器和类似的用户终端设备(CPE)高数据传输速率的通信设备而专门设计。SMP80MC系列微电容瞬变避雷器完全符合数字传输标准如ADSL2和ADSL2+,是第一个结电容与器件击穿电压无关的TRISIL产品,是第一个反复峰值脉冲电流额定值达到80A而典型电容只有12pF的系列产品。       因为容易遭到雷电浪涌的攻击,电信系统通常需要两级保护单元:安装在每条线路上的吸收大部分瞬间过压的主浪涌抑
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-02
    • 文件大小:54kb
    • 提供者:weixin_38569569
  1. 基于弱相干光源测量设备无关量子密钥分发系统的误码率分析

  2. 测量设备无关量子密钥分发系统可以免疫任何针对探测器边信道的攻击,并进一步结合诱惑态方法规避了准单光子源引入的实际安全性问题.目前实验中一般采用弱相干光源,但是该光源含有一定比例的空脉冲和多光子脉冲.本文针对弱相干光源的具体特性,采用量子力学的描述,将各个器件进行量子化处理,并同时考虑探测器的具体性能参数的影响,分别给出了通信双方各自发送的脉冲含有特定光子数时产生的成功贝尔态和错误贝尔态的概率公式,从理论上对相位编码和偏振编码测量设备无关量子密钥分发系统的误码率进行了定量分析,分别推导并模拟了通信
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-21
    • 文件大小:349kb
    • 提供者:weixin_38592405
  1. 与偏振无关双向2×2和4×4自由空间光开关

  2. 利用成熟的偏振控制技术,设计了一种由偏振光分束器、相位型空间光调制器和反射镜构成的2×2光开关,该光开关所用器件少,具有结构简单紧凑、控制灵活方便、功能实现与信号光的偏振态无关以及可以双向交换等特点;在此基础上通过2×2光开关的串连,设计了一种与偏振无关的双向4×4光开关的实验模块,根据其路由选择与控制方法,得到了4×4光开关实现信号光全排列无阻塞输出与交换对应的路由状态表,并对该实验模块的功能实现进行了详细的分析与讨论。
  3. 所属分类:其它

  1. 1.3 μm高增益偏振无关应变量子阱半导体光放大器

  2. 采用低压金属有机化学气相外延法(LP-MOVPE)生长并制作了1.3 μm脊型波导结构偏振无关半导体光放大器(SOA),有源区为基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱(4C3T)结构,压应变阱宽为6 nm,应变量1.0%,张应变阱宽为11 nm,应变量-0.95%;器件制作成7°斜腔结构以有效抑制腔面反射。半导体光放大器腔面蒸镀Ti3O5/Al2O3减反(AR)膜以进一步降低腔面剩余反射率至3×10-4以下;在200 mA驱动电流下,光放大器放大的自发辐射(ASE)谱的3
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-11
    • 文件大小:629kb
    • 提供者:weixin_38548507
  1. 与入射线偏振光振动方向无关的低偏振度消偏器

  2. 消偏器是光纤传感器、光放大器等偏振敏感性光学系统中的关键器件, 用于减小输入光的偏振度(DOP)。设计了一种与入射线偏振光振动方向无关的低偏振度消偏器, 该器件中利用人为的偏振相关延迟代替了保偏光纤的双折射, 并在偏振相关型消偏器前增加了一个1/4波片, 从而对任意方向振动的线偏振光具有相同的消偏能力, 结构紧凑。对消偏性能随波片阶数、入射光中心波长和振动方向的变化作了数值计算。实验中采用半峰全宽为0.13 nm的光源, 入射线偏振光在任意方向振动时, 输出光偏振度小于2.6%, 消偏器的插入损
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-10
    • 文件大小:519kb
    • 提供者:weixin_38692707
  1. 与偏振相关和无关的4×4自由空间光开关

  2. 设计了一种由相位型空间光调制器(PSLM)、偏振光分束器(PBS)、反射镜、半波片(HWP)和四分之一波片(QWP)构成的2×2光开关。该光开关所用器件少,具有结构紧凑规整、功能的实现与信号光的偏振态无关以及可以完成双向交换等特点。在此基础上通过2×2光开关的级联,设计了一种与偏振无关的4×4光开关的实验模块,根据其路由控制表对该实验模块功能的实现进行了分析。为与之作比较,还提出了一种与偏振相关的4×4光开关,该光开关利用对信号光偏振态的控制进行路由选择,以实现所需的交换和排序。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-10
    • 文件大小:787kb
    • 提供者:weixin_38575118
  1. 大角度偏振无关硅膜光子晶体宽带滤波器

  2. 提出一种基于超低折射率如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为衬底的大角度偏振无关蜂窝状空气孔型的二维硅基光子晶体宽带滤波器。结合色散关系和严格耦合波理论确定宽带工作区,分析了入射光垂直入射时硅膜厚度及空气孔径对器件性能的影响,得出适合于1.55 μm通信波长的一组优化参数,讨论了非垂直入射及偏振对器件性能的影响。结果表明,垂直入射时,可以得到透射率大于98%、110 nm以上的带宽;非垂直入射时,两偏振的共振带宽将随角度增加而减小,在入射角为18°时,透射率大于98%的共同带宽还能覆盖光通信的整个C波
  3. 所属分类:其它

  1. 偏振无关多齿谐振光栅反射镜的参数分析

  2. 通过严格耦合波分析方法考察了宽带偏振无关多齿谐振光栅反射镜的工艺容差性。理论分析显示,在1.62~1.76 μm波段范围内,当微纳谐振光栅的周期和厚度、调制形状、中间层厚度及缓冲层厚度等关键结构参数变化20 nm时,其对器件反射谱的影响几乎可以忽略不计。该结果表明此结构在现有工艺误差范围内表现出比较好的工艺容差性,从而有利于该器件的加工制备。
  3. 所属分类:其它

  1. 正入射宽光谱宽入射角高效率偏振无关多层倾斜光栅

  2. 基于严格耦合波分析方法和模拟退火优化算法,设计了一种在正入射条件下具有宽入射波长和角度范围的偏振无关高效率多层倾斜光栅。为了提高衍射效率和带宽范围,提出了一种折射率渐变的四层三明治光栅结构。基于这种结构,设计了一种可见光波长范围内偏振无关异常反射光栅器件。数值结果表明,正入射下,该光栅具有130 nm(550~680 nm)的波长带宽,在此范围内-1级衍射效率均高于93%,同时偏振相关损耗均小于0.2 dB。此外,这种光栅结构还具有47°(-2°~45°)的入射角度带宽,以及较大的制造容差范围。
  3. 所属分类:其它

  1. 换种思路谈常用器件三极管工作原理

  2. 随着科学技的发展,电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个为基本的常用器件,其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。三极管原理的关键是要说明以下三点:      1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。   2、放大状态下集电极电流Ic,为什么会只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄,但只要Ib为零,则Ic即为
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:262kb
    • 提供者:weixin_38713039
« 12 3 4 5 6 7 »