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  1. 器件模拟MEDICIN指导

  2. 这是一个难得的有关半导体器件模拟软件的中文版指导,是新手入门的绝佳资料

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-05-12
    • 文件大小：10mb
    • 提供者：lhlds_2009

  1. MAXPLUS II 模拟电梯控制

  2. 利用集成芯片和逻辑器件 模拟电梯的控制 四层楼电梯 EDA实验仪

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-12-03
    • 文件大小：8kb
    • 提供者：razer1030

  1. 模拟电路_第01章 半导体器件

  2. 模拟电路_第01章 半导体器件 93页 ppt

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-01-23
    • 文件大小：857kb
    • 提供者：zacharyc

  1. AMPS-1D太阳电池模拟软件

  2. AMPS是由美国宾西法尼亚州立大学电子材料工艺研究实验室提供的一维固体器件模拟软件。 AMPS采用牛顿－拉普拉斯方法在一定边界条件下数值求解联立的泊松方程、电子和空穴的连续性方程，可以用来计算光伏电池、光电探测器等器件的结构与输运物理特性

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-02-29
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：yangzhou8749

  1. 半导体器件模拟

  2. 做半导体器件的人值得一看，详细的半导体器件模型和模拟的分析

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-03-19
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：tongyidoushi

  1. c语言程序器件模拟

  2. 用于器件模拟，小尺寸器件的蒙特卡罗模拟，基于c语言

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2013-03-17
    • 文件大小：1kb
    • 提供者：yyl19841126

  1. ISE-TCAD半导体器件模拟DESSIS

  2. 半导体器件模拟isetcad中的 DESSIS使用部分，内部培训教程

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-05-31
    • 文件大小：452kb
    • 提供者：u010909397

  1. silvaco官方推荐最新 半导体器件模拟仿真设计学习指南

  2. silvaco官方推荐最新 半导体器件模拟仿真设计学习指南 PDF 400+ 很值得高年级学生/工程师参考

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-01-21
    • 文件大小：10mb
    • 提供者：u013419102

  1. 1D-AMPS一维半导体器件模拟软件

  2. AMPS是由美国宾西法尼亚州立大学电子材料工艺研究实验室提供的一维固体器件模拟软件。 AMPS采用牛顿－拉普拉斯方法在一定边界条件下数值求解联立的泊松方程、电子和空穴的连续性方程，可以用来计算光伏电池、光电探测器等器件的结构与输运物理特性

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-10-10
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：beimingzy

  1. 半导体器件的计算机模拟方法

  2. 半导体器件的计算机模拟方法,书籍资料，仅供学习。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-05-30
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：yaomaiok

  1. 基于comsol软件的光子晶体通信器件模拟_臧克宽

  2. 基于comsol软件的光子晶体通信器件模拟_臧克宽

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-07-29
    • 文件大小：401kb
    • 提供者：u012411986

  1. 半导体器件模拟

  2. 指导如何运用软件进行半导体模拟，实现半导体的模型化，方便操作和编写程序。适合自学或者上课的辅助资料

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-10-24
    • 文件大小：5mb
    • 提供者：ziliuli1991

  1. AN4232_STM32F3系列器件模拟比较器入门.pdf

  2. AN4232_STM32F3系列器件模拟比较器入门

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：545kb
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 基于Atlas的MFIS结构器件电学性能模拟

  2. 利用Atlas器件模拟软件，对MFIS结构器件的C—V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素，对MFIS结构器件记忆能力及稳定性的影响，为MFIS结构器件的设计和性能提高提供了参考。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：178kb
    • 提供者：weixin_38651661

  1. 显示/光电技术中的工艺参数下光电探测器的器件模拟

  2. 图1   TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟 　　图1（a）模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线，三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1WZcm2、25w/cm2，光波长为0.85gm时工作二极管的响应电流，以二极管面积为20×20 ptm＇计算，输入光功率分别为4 pW（-23 dBm）和100 pW（-10 dBm），图中可见无光照的响应电流（对应暗电流）约为10-15A数量级，光照强度为1 Wcm2时产生0.16 μtA光电流，响应度为0.04 A/W

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：98kb
    • 提供者：weixin_38591223

  1. 显示/光电技术中的二维器件模拟光电探测器的结构

  2. 图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和耗尽区位置［56］，从图可见，N阱与P＋区构成一个二极管，称为工作二极管D。；N阱与衬底构成一个二极管，称为屏蔽二极管Ds；在衬底深处的光生载流子被屏蔽二极管的耗尽区所吸收，不能扩散到工作二级管内；工作二极管内没有长距离扩散的光生载流子，只有N阱内短途扩散的载流子，从而提高了工作二极管的速度。从图中可以看出N阱上的耗尽区即P＋和N阱形成的耗尽区越大，工作二极管D。光生载流子中扩散成分越小，速度越高，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：85kb
    • 提供者：weixin_38640168

  1. EDA/PLD中的可编程模拟器件原理与开发

  2. 摘要：介绍了可编程模拟器件的基本原理和开发流程。列举了主流器件系列，并说明其核心技术。展望了可编程模拟器件的发展前景。 关键词：可编程模拟器件 模拟可编程技术可编程模拟器件（Programmable Analog Device）是近年来崭露头角的一类新型集成电路。它既属于模拟集成电路，又同可编程逻辑器件一样，可由用户通过现场编程和配置来改变其内部连接和元件参数从而获得所需要的电路功能。配合相应的开发工具，其设计和使用均可与可编程逻辑器件同样方便、灵活和快捷。与数字器件相比，它具有简洁、经济

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：99kb
    • 提供者：weixin_38589168

  1. EDA/PLD中的AC/DC设计、工艺模拟、器件模拟的EDA工具

  2. 分类 产品名 制造商 AC/DC设计・解析工具 MotorExpert 韓国jasontech公司 工艺・Simulator（仿真工具） ATHENA 美国Silvaco International公司 器件・Simulator（仿真工具） ATLAS 美国Silvaco International公司 器件模拟工具 工艺模拟工具 Medici Davinci TSUPREM Avanti公司   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：18kb
    • 提供者：weixin_38665193

  1. 工艺参数下光电探测器的器件模拟

  2. 图1   TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟 　　图1（a）模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线，三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1WZcm2、25w/cm2，光波长为0.85gm时工作二极管的响应电流，以二极管面积为20×20 ptm＇计算，输入光功率分别为4 pW（-23 dBm）和100 pW（-10 dBm），图中可见无光照的响应电流（对应暗电流）约为10-15A数量级，光照强度为1 Wcm2时产生0.16 μtA光电流，响应度为0.04 A/W

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：107kb
    • 提供者：weixin_38643307

  1. 二维器件模拟光电探测器的结构

  2. 图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和耗尽区位置［56］，从图可见，N阱与P＋区构成一个二极管，称为工作二极管D。；N阱与衬底构成一个二极管，称为屏蔽二极管Ds；在衬底深处的光生载流子被屏蔽二极管的耗尽区所吸收，不能扩散到工作二级管内；工作二极管内没有长距离扩散的光生载流子，只有N阱内短途扩散的载流子，从而提高了工作二极管的速度。从图中可以看出N阱上的耗尽区即P＋和N阱形成的耗尽区越大，工作二极管D。光生载流子中扩散成分越小，速度越高，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：117kb
    • 提供者：weixin_38506138
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