采用脉冲等离子体沉积后退火的方法，在石英基板上制备了掺钨的氧化锡透明导电膜。 钨的掺杂可以有效地提高膜的导电性，同时保持高透明度。 在不同的退火温度和钨掺杂含量下，已经研究了薄膜的结构，电学和光学性能。 X射线衍射测量（XRD）证实了在高于500℃退火的掺杂钨的氧化锡膜是多晶的并且具有四方金红石结构。 化学状态分析表明，钨原子被完全氧化为6+价。 可重现的最低电阻率为6.84 x 10（-4）ohm cm，载流子迁移率为66.4 cm（2）V-1 s（-1），载流子浓度为1.38 x 10（20