半导体二极管激光器的发展史是典型单一材料族和二极管结构的演化史。最初形式的器件通常仅在低温下以脉冲方式工作，寿命只有几分钟。进一步发展通常是沿着延长管子寿命,然后提高温度，再后是连续波工作（第二和第三步在某些情况下可以互换)和最后是沿着更高寿命的正常路线进行的。

报道了采用双抽运头串联的对称直通腔结构及KTP晶体腔内倍频实现高功率红光激光输出的实验结果。在激光二极管(LD)抽运功率为1250 W,声光Q开关工作重复频率为10 kHz条件下,获得平均功率为83 W,波长为659.5 nm的红光激光输出,光-光转换效率为6.7%,斜率效率为17%。激光器采用平-平腔结构,每个抽运头使用了一个连续运转的高功率激光二极管侧面抽运组件,组件内由35只20 W的激光二极管呈五边形阵列分布抽运一根Nd:YAG圆棒。采用镜片镀膜的方法使Nd:YAG工作在1319 nm波