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搜索资源列表

  1. 射频电路设计技术 王磊，杨红 等编著

  2. 内容简介本书系统地介绍射频通信电路设计的基本原理和方法，共分11章，前3章介绍射频设计前沿动态、基本原理及射频电路中最基本的元器件；后8章详细介绍了滤波器、匹配网络、放大器、混频器、振荡器和锁相环等通信工程必不可少的组成部分的原理分析及设计过程，对于设计中常常遇到问题的章节还配有例子。每章开始有一小段对本章内容的简单介绍，让读者可以在较短时间融入该章节的学习境界中；每一章节的结束部分为本章小结及参考文献，这样可以让读者在学习之余巩固学习效果、拓宽知识面。 本书内容全面、逻辑与结构合理，讲解由浅

  3. 所属分类：网络基础

    • 发布日期：2010-09-30
    • 文件大小：11mb
    • 提供者：z3912

  1. 常用电子元件扫盲篇 电子元件基础知识

  2. 电子元件基础知识 三极管简介 功率放大管真假辨别 三极管的检测方法与经验及测判三极管的口诀 场效应晶体管放大器篇 常用电容容值 常用电阻值

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-04-01
    • 文件大小：115kb
    • 提供者：shenredfly

  1. 一文看懂纵向晶体管与横向晶体管的原理及区别

  2. 晶体管简介 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。 晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。 晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Bas

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：139kb
    • 提供者：weixin_38645379

  1. 三款红外接收二极管电路图

  2. 红外接收二极管电路图一： 如图所示，图是红外线遥控接收装置实例。红外线传感器有多种，这里选用光电二极管TPS604。工作原理简介如下：光电二极管TPS604接收到被调制的红外线的微弱信号，先经场效应晶体管VT1的前级放大，再经晶体管VT2进行适当的放大，由UT2的集电极输出相应信号控制有关电路。VDZ稳压管为+5V、VT1为3DJ6VT2为C8550。 红外接收二极管电路图二： 红外接收二极管电路图三： 左边部分为发射头D1的电路·，右边的为接搜头D2的电路，图中的接收头要反过来

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：93kb
    • 提供者：weixin_38667697

  1. 场效应晶体管简介

  2. 下面简单的介绍一下 场效应晶体管，希望大家能对场效应管有更高的了解。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-01
    • 文件大小：48kb
    • 提供者：weixin_38709139

  1. 基础电子中的TTL和CMOS电平总结

  2. 简介：本文总结了TTL和CMOS电平的特点、使用方式等内容 。 　　1，TTL电平(什么是TTL电平)： 　　输出高电平>2.4V,输出低电平=2.0V，输入低电平<=0.8v，噪声容限是0.4v。 　　特点： 　　1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成 　　2.COMS的逻辑电平范围比较大(5～15V)，TTL只能在5V下工作 　　3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：70kb
    • 提供者：weixin_38572960

  1. 元器件应用中的国半功率MOSFET简介及其应用

  2. 引言     目前现售的高压功率MOSFET是一种N-沟道、增强型、双扩散、金属氧化硅场效应晶体管。它们和NPN双极型晶体管具有相同的功能，但前者采用电压控制的器件，而后者则是采用电流控制的双极型器件。我们将当今对MOSFET日益增长的需求归结于其高输入阻搞，以及人微言轻多数载流子器件，可以避免少数载流子储存时间影响、热失控或者二次击穿的危险。 　　附件查看：国半功率MOSFET简介及其应用.pdf  来源:ddcode

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：29kb
    • 提供者：weixin_38641339

  1. 基础电子中的MOS微电子技术简介

  2. MOS场效应晶体管是金属－氧化物－半导体场效应晶体管的简称，它通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力。MOS场效应晶体管不仅具有双极型三极管体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，而且还具有输入阻抗高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。因而，在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 　　与双极型三极管不同，MOS晶体管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子，因此称其为单极型器件。MOS晶体管可以分为增强型晶体管与耗尽型晶体管两种。根据沟道掺杂不同，又

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：194kb
    • 提供者：weixin_38712416

  1. 利用单片机I/O口直接驱动LCD

  2. 如何将小家电成本降低的同时,又保证其性能,是对应用工程师提出的更高要求。本控制板需要进行温度控制,显示界面要求LCD显示。带专用LCD驱动器,又带A/D转换器的单片机成本太高,因此选用台湾义隆公司带A/D的单片机EM78P259N直接驱动LCD。该款单片机性价比高,性能可靠,很适合在家电控制中应用。 1 LCD简介 　　目前,市面主流LCD(液晶显示器)分成以下几大类：TN(扭曲阵列型)、STN(超扭曲阵列型)、DSTN(双层超扭曲阵列)、HPA(高性能定址或快速DSTN)、TFT(薄膜场

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：77kb
    • 提供者：weixin_38742571

  1. TTL和CMOS电平总结

  2. 简介：本文总结了TTL和CMOS电平的特点、使用方式等内容 。 　　1，TTL电平(什么是TTL电平)： 　　输出高电平>2.4V,输出低电平=2.0V，输入低电平<=0.8v，噪声容限是0.4v。 　　特点： 　　1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成 　　2.COMS的逻辑电平范围比较大(5～15V)，TTL只能在5V下工作 　　3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：69kb
    • 提供者：weixin_38686153