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  1. 场效应管的主要特性参数

  2. 本文讲述场效应管的直流参数、场效应管的微变参数及其他参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38620741

  1. 场效应管的主要参数

  2. 本文介绍场效应管的几个主要参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：30kb
    • 提供者：weixin_38747211

  1. 绝缘栅型场效应管之图解2

  2. 本文主要简述N沟道增强型场效应管的特性曲线、其他类型MOS管（N沟道耗尽型、P沟道增强型P沟道耗尽型）及场效应管的主要参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38518518

  1. 关于场效应管的参数大全

  2. 直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。 开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。 交流参数 交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。 低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：87kb
    • 提供者：weixin_38687277

  1. 场效应管的参数解释

  2. 本文主要对场效应管的常用参数进行了解释说明，希望对你的学习有所帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：31kb
    • 提供者：weixin_38690830

  1. 场效应管分类作用参数和管脚识别

  2. 文章主要讲解场效应管分类作用参数和管脚识别的方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-26
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38694674

  1. 模拟技术中的单端A类放大器及场效应管（2）

  2. 3 场效应管的主要参数及选用： 　　为了正确安全运用场效应管，防止静电、误操作或储存不当而损坏场效应管，必须对场效应管主要参数有所了解和掌握。场效应管的参数多达几十种，现将主要参数及含义列于表1，作为参考。 表1　场效应管主要参数及含义 　　场效应管的选用应注意以下几点。 　　(1) 场效应管的I D 的参数按电路要求选取，能满足功耗要求并略有裕量即可，不要认为越大越好，I D越大，C GS 也越大， 对电路的高频响应及失真不利，如I D 为2 A 的管子，C GS 约为80 pF

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：137kb
    • 提供者：weixin_38742951

  1. 元器件应用中的场效应管的主要参数

  2. 1)夹断电压，U(GS)使漏电流接近于零时，此时栅极上所加的偏压就称夹断电压 (此参数是对耗尽型而言)。 　　2 )饱和漏电流I(DSS)，当栅压为零时，漏极电流的饱和值。 　　3)直流输人电阻R(GS)，对于结型场效应管是指栅源PN结在一定反压下的反向电阻，可达10(7)Ω以上。对绝缘栅场效应管是指氧化层绝缘电阻。 　　4)跨导gm，它是漏电流的变化量和引起这个变化量的栅源电压变化量之比，反应场效应管的放大能力。 　　5)击穿电压BU(DS)，表示漏极釉源极之间的击穿电压。即漏源饱和电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：117kb
    • 提供者：weixin_38592848

  1. 元器件应用中的场效应管的主要特性参数

  2. 一、直流参数　　1.夹断电压UP　　在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。　　2.开启电压UT　　在UDS为某一固定值的条件下，使S极与D极之间形成导电沟道的UGS就是开启电压。它只适用于增强型绝缘栅型场效应管。　　3.饱和电流IDSS　　在UDS-O的条件下，漏极与源极之间所加电压大于夹断电压时的沟道电流称为饱和电流，它适用于耗尽型绝缘栅型场效应管。　　4.直流输入电阻RGS     

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：27kb
    • 提供者：weixin_38669093

  1. 元器件应用中的CS系列N沟道结型场效应管

  2. CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。　　CS系列结型场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：126kb
    • 提供者：weixin_38547397

  1. 元器件应用中的3DJ系列N沟道结型场效应管

  2. 3DJ系列场效应管的主要特性参数见表。　　3DJ列场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：250kb
    • 提供者：weixin_38737176

  1. 元器件应用中的MT系列V-MOS功率场效应管

  2. MT系列V-MOS功率场效应管的主要特性参数见表。　　MT系列V-MOS功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：128kb
    • 提供者：weixin_38509082

  1. 元器件应用中的VN系列N沟道V-MOS功率场效应管

  2. VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。　　VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：182kb
    • 提供者：weixin_38741244

  1. 元器件应用中的IRF系列V-MOS大功率场效应管

  2. IRF系列V-MOS大功率场效应管的主要特性参数见表。　　IRF系列V-MOS大功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：123kb
    • 提供者：weixin_38638033

  1. 元器件应用中的P沟道结型开关场效应管

  2. 表列出了一些P沟道结型场效应管的主要特性参数。　　一些P沟道结型开关场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：62kb
    • 提供者：weixin_38747025

  1. 元器件应用中的N沟道结型开关场效应管

  2. 表列出了一些N沟道结型开关场效应管的主要特性参数。　　一些N沟道结型开关场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：79kb
    • 提供者：weixin_38674223

  1. 元器件应用中的双栅场效应管

  2. 双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极，其中两个栅极是互相独立的，使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。表列出了一些双栅场效应管的主要特性参数。　　一些双栅场效应管圭要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：115kb
    • 提供者：weixin_38742532

  1. 元器件应用中的功率MOS场效应管

  2. 表列出了一些小功率MOS场效应管的主要特性参数。　　一些小功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：114kb
    • 提供者：weixin_38651540

  1. 元器件应用中的小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数（SOT-23式封装）

  2. 与双极型半导体三极管相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大以及交叉调制失真小等特点。片状场效应管也同样具有上述特点。片状场效应管又分为片状结场效应管和片状绝缘栅场效应管两类。片状绝缘栅场效应管最大的特点是具有优良的开关特性。其导通电阻仅为几十毫欧姆，因此它的应用较为广泛。    表给出了小信号用片状绝缘栅场效应管的主要特性参数。                                                  表：小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数(SOT-23式封装

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：93kb
    • 提供者：weixin_38535132

  1. 单端A类放大器及场效应管（2）

  2. 3 场效应管的主要参数及选用： 　　为了正确安全运用场效应管，防止静电、误操作或储存不当而损坏场效应管，必须对场效应管主要参数有所了解和掌握。场效应管的参数多达几十种，现将主要参数及含义列于表1，作为参考。 表1　场效应管主要参数及含义 　　场效应管的选用应注意以下几点。 　　(1) 场效应管的I D 的参数按电路要求选取，能满足功耗要求并略有裕量即可，不要认为越大越好，I D越大，C GS 也越大， 对电路的高频响应及失真不利，如I D 为2 A 的管子，C GS 约为80 pF

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：192kb
    • 提供者：weixin_38691970
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