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  1. 模拟电子技术学习资料

  2. 包含各类题解 及模拟试卷 复习纲要 〈〈模拟电子技术基础〉〉复习纲要 第一章：常用半导体器件 （1） 熟悉下列定义、概念及原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区、PN结、耗尽层，导电沟道，二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用，晶体管与场效应管的放大作用及三个工作区域。 （2） 掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管的外特性、主要参数的物理意义。掌握其应用。 （3） 了解选用器件的原则。了解集成电路制造工艺。 第二章：基本放大电路 （1） 掌握以下基本概念和定义：放大、静态工作点、饱和

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2010-01-05
    • 文件大小：5mb
    • 提供者：syaing100

  1. 场效应管的工作原理讲解

  2. 1>场效应管的应用原理 2>静态工作点的计算 3>结型场效应管的缺点 4>MOS主要参数： 5>P沟道结型场效应管的特性曲线 6>输出特性曲线

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-13
    • 文件大小：699kb
    • 提供者：ping77582288

  1. 各种半导体器件的介绍、运用等（课件）

  2. 教学要求 1.1 半导体的特性 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.2 半导体二极管 1.2.1 PN结及其单向导电性 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.4 二极管的电容效应 1.2.5 稳压管 1.3 双极型三极管 1.3.1 三极管的结构 1.3.2 三极管的放大作用和载流子的运动 1.3.3 三极管的特性曲线 1.3.4 三极管的主要参数 1.3.5 PNP型三极管 1.4 场效应管 1.4.1 结型场效应管 1.4.2 绝缘栅型场效应管

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-06-19
    • 文件大小：6mb
    • 提供者：haifengqingfu

  1. 三极管,场效应管参数大全

  2. 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2008-09-15
    • 文件大小：206kb
    • 提供者：noraml

  1. 场效应管的主要特性参数

  2. 本文讲述场效应管的直流参数、场效应管的微变参数及其他参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38620741

  1. 绝缘栅型场效应管之图解2

  2. 本文主要简述N沟道增强型场效应管的特性曲线、其他类型MOS管（N沟道耗尽型、P沟道增强型P沟道耗尽型）及场效应管的主要参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38518518

  1. 模拟电路中半导体的基本知识

  2. 这节我们主要了解半导体的导电特性。理解PN结及其单向导电性。熟悉半导体二极管的伏安特性及主要参数。熟悉稳压管工作原理、伏安特性及主要参数。深刻理解晶体管的电流放大原理，熟悉输入和输出特性及主要参数。了解场效应管的工作原理、转移特性、输出特性及主要参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-21
    • 文件大小：110kb
    • 提供者：weixin_38518668

  1. 基础电子中的直流固态继电器的介绍

  2. 直流固态继电器采用变压器隔离，输出元件为功率场效应管，具有输出接通电阻低的特点。它的输出电流较大，在3~80A之间，可广泛应用于国防、科学研究、工业控制及现代化管理等领域。　　如表列出了一些直流固态继电器的主要特性参数，其端子接线图如图所示。 　　一些直流固定继电器端子接线图 　　直流固态继电器端子接线图  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：225kb
    • 提供者：weixin_38576811

  1. 基础电子中的密封直流固态继电器的介绍

  2. 密封直流固态继电器一般采用变压器或光电进行隔离，输出元件为功率场效应管，用金属玻璃绝缘子密封，具有压降小(导通电阻低)、开关速度快、体积小的特点。它的辅出电流一般不太大，在0.3~7A之间，可广泛应用于工业控制、现代化管理及军工产品中。   　　如表列出了一些密封直流固态继电器的主要特性参数，其端子接线图如图所示。一些密封固定态继电器的主要特性 密封直流固定态继电器端子接线图  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：218kb
    • 提供者：weixin_38543120

  1. 元器件应用中的场效应管的主要特性参数

  2. 一、直流参数　　1.夹断电压UP　　在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。　　2.开启电压UT　　在UDS为某一固定值的条件下，使S极与D极之间形成导电沟道的UGS就是开启电压。它只适用于增强型绝缘栅型场效应管。　　3.饱和电流IDSS　　在UDS-O的条件下，漏极与源极之间所加电压大于夹断电压时的沟道电流称为饱和电流，它适用于耗尽型绝缘栅型场效应管。　　4.直流输入电阻RGS     

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：27kb
    • 提供者：weixin_38669093

  1. 元器件应用中的CS系列N沟道结型场效应管

  2. CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。　　CS系列结型场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：126kb
    • 提供者：weixin_38547397

  1. 元器件应用中的3DJ系列N沟道结型场效应管

  2. 3DJ系列场效应管的主要特性参数见表。　　3DJ列场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：250kb
    • 提供者：weixin_38737176

  1. 元器件应用中的MT系列V-MOS功率场效应管

  2. MT系列V-MOS功率场效应管的主要特性参数见表。　　MT系列V-MOS功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：128kb
    • 提供者：weixin_38509082

  1. 元器件应用中的VN系列N沟道V-MOS功率场效应管

  2. VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。　　VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：182kb
    • 提供者：weixin_38741244

  1. 元器件应用中的IRF系列V-MOS大功率场效应管

  2. IRF系列V-MOS大功率场效应管的主要特性参数见表。　　IRF系列V-MOS大功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：123kb
    • 提供者：weixin_38638033

  1. 元器件应用中的P沟道结型开关场效应管

  2. 表列出了一些P沟道结型场效应管的主要特性参数。　　一些P沟道结型开关场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：62kb
    • 提供者：weixin_38747025

  1. 元器件应用中的N沟道结型开关场效应管

  2. 表列出了一些N沟道结型开关场效应管的主要特性参数。　　一些N沟道结型开关场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：79kb
    • 提供者：weixin_38674223

  1. 元器件应用中的双栅场效应管

  2. 双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极，其中两个栅极是互相独立的，使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。表列出了一些双栅场效应管的主要特性参数。　　一些双栅场效应管圭要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：115kb
    • 提供者：weixin_38742532

  1. 元器件应用中的功率MOS场效应管

  2. 表列出了一些小功率MOS场效应管的主要特性参数。　　一些小功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：114kb
    • 提供者：weixin_38651540

  1. 元器件应用中的小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数（SOT-23式封装）

  2. 与双极型半导体三极管相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大以及交叉调制失真小等特点。片状场效应管也同样具有上述特点。片状场效应管又分为片状结场效应管和片状绝缘栅场效应管两类。片状绝缘栅场效应管最大的特点是具有优良的开关特性。其导通电阻仅为几十毫欧姆，因此它的应用较为广泛。    表给出了小信号用片状绝缘栅场效应管的主要特性参数。                                                  表：小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数(SOT-23式封装

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：93kb
    • 提供者：weixin_38535132
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